WWW.PROGRAMMA.X-PDF.RU
БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА - Учебные и рабочие программы
 


Pages:     | 1 | 2 || 4 | 5 |   ...   | 8 |

«ФизикА.СПб Тезисы докладов 26 — 27 октября 2011 года Санкт-Петербург Организатор Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Спонсоры Российская академия наук Администрация ...»

-- [ Страница 3 ] --

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 234-40-63, эл. почта: fel@eltech.ru ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия Согласно современным тенденциям развития электроники, происходит все больший уход от классической электроники в сторону фотоники и функциональной электроники. Дополнительно на это накладывается все более плотное приближение к предельному размеру элемента в интегральной схеме в 22 нм, связанному с квантово размерными эффектами.



Так же интерес для фотоники представляют материалы способные к эффективной люминесценции на длинах волн 0,84, 1,31 и 1,52 мкм, что связано с затуханием сигнала в кварцевом волокне. Среди которых представляют большой интерес для сверхдальних оптических линий передач материалы, излучающие на длине волны 1,52 мкм. Ввиду этих трендов ведется активный поиск материалов, обладающих хорошими оптическими свойствами, в которых могут наблюдаться различные квантоворазмерные эффекты интересные для применения в фотонике и электронике. Технологии их получения сопровождаются определенными особенностями. Из-за сильной распространённости и относительной дешевизны ведется поиск материалов на основе кремния в различных состояниях и модификациях. Но так как кремний является не прямозонным полупроводником добиться в нем высокой эффективности фотолюминесценции весьма сложно. Для этого кремний нужно представить в виде распределенных в матрице наноструктур. В качестве матрицы обычно используют диэлектрики, такие как нитрид кремния (Si3N4), оксид кремния (SiO2) или аморфный кремний (-Si). При наночастицы самого кремния могут быть как в аморфном там и в кристаллическом виде. В кремнии представленном в таком виде уже будут разрешены прямые оптические переходы, за счет квантоворазмерного эффекта, что может позволить реализовать на нем эффективные оптоэлектронные устройства.

В данной работе рассматриваются 2 способа получения наночастиц, такие как метод лазерного электродиспергирования с последующим термическим отжигом и метод окрашивающего травления. При получении материалов методом лазерного электродиспергирования так же проводились эксперименты по внедрению редкоземельного металла (эрбия) в матрицу получаемой пленки. При формировании пленок методом лазерного электродиспергирования была полу

<

Наноструктурированные и тонкопленочные материалы

чена фотолюминесценция на длинах волн 439,4 нм и 576,5 нм. У пленок полученных методом окрашивающего травления так же наблюдалась фотолюминесценция на длинах волн 588, 625 и 705 нм. При добавлении в структуры, полученные методом лазерного электродиспергирования, эрбия были получены результаты по фотолюминесценции эрбия на длине волны 1.54 мкм.

Литература

1. Н. Н. Герасименко, Ю. Н. Пархоменко. Мир материалов и технологий: Кремний – материл наноэлектроники/ Н. Н. Герасименко, Ю. Н. Пархоменко – Москва: Техносфера, (2007).

2. Двуреченский. А. В, Якимов. А. И. ФТП, 35(9), (2001).

3. R. Fluckiger, J. Meier, M. Goetz, A. Shah. Appl. Phys., 77 (2), (1995).

Метод тепловой десорбции азота как способ контроля технологических режимов получения пористых материалов и наноструктур с высокой удельной поверхностью Е. В. Мараева, А. В. Старцева Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 234-30-16, эл. почта: jenvmar@mail.ru Пористые материалы имеют ряд несомненных преимуществ, делающих их незаменимыми во многих областях науки и техники, в том числе медицине, химической и электронной промышленности. Контроль параметров таких материалов

– необходимое условие для создания эффективных приборов на их основе. Для этой цели используются различные физические эффекты. Несмотря на различия в функциональном назначении, общим фактором при исследовании таких материалов является необходимость анализа размеров пор и измерение удельной поверхности.

Для контроля свойств поверхности наноматериалов (помимо распространенных методов оптической, сканирующей зондовой микроскопии, растровой электронной микроскопии) используется метод тепловой десорбции азота, позволяющий исследовать процессы адсорбции-десорбции и оценивать величину удельной поверхности материалов и наноструктур.

Целью настоящей работы является рассмотрение процессов капиллярной конденсации в мезопорах, образующихся в процессе золь-гель синтеза материа

–  –  –

лов системы «диоксид олова – диоксид кремния» и исследование особенностей влияния условий формирования золь – гель системы на величину удельной поверхности образующихся ксерогелей. Пористые материалы на основе металлооксидных соединений перспективны в отношении газового анализа и водородной энергетики, применяются для повышения эффективности каталитических слоев в топливных элементах.





В качестве метода формирования нанокомпозитов системы «диоксид олова

– диоксид кремния» в данной работе выбран золь-гель процесс, который в настоящее время является одним из наиболее удобных способов получения композиционных материалов с высокой степенью пористости [1, 2]. Оценка величины удельной поверхности и исследование процессов капиллярной конденсации проводились с помощью прибора серии Сорби (ЗАО «МЕТА», г.Новосибирск), в котором реализуется явление физической адсорбции азота на исследуемом образце – адсорбенте. Для измерения объёма адсорбированного газа используется метод тепловой десорбции, а дальнейшее определение удельной поверхности проводится по методу Брунауэра, Эммета, Теллера.

Капиллярная конденсация может приводить к объемному заполнению мезопор жидкой фазой адсорбата при относительном давлении паров Р/Р01.0 [3].

Необходимые условия капиллярной конденсации - наличие мезопор, смачиваемость их стенок адсорбированной фазой, температура сорбции ниже критической. Капиллярная конденсация возможна в обратимой и необратимой формах, их различие в том, что необратимая капиллярная конденсация сопровождается гистерезисом, причем десорбционная ветвь всегда проходит выше адсорбционной. Анализ полной изотермы адсорбции даёт возможность получить информацию о распределении пор по размерам в исследуемом образце.

В ходе данной работы были получены и исследованы образцы ксерогелей в системе «диоксид олова – диоксид кремния», изучены особенности влияния состава золь-гель системы и условий золь-гель синтеза (типа растворителя, температуры отжига, уровня кислотности среды) на величину удельной поверхности образцов. Полученные результаты позволяют оптимизировать условия получения ксерогелей с максимальной удельной поверхностью в системе «диоксид олова – диоксид кремния».

Авторы выражают искреннюю благодарность своему научному руководителю проф. В. А. Мошникову (каф. микроэлектроники СПбГЭТУ), а также сотрудникам ЗАО «МЕТА» А. А. Чугунову и А.М Веретельникову за консультативную помощь. Работа проводилась при финансовой поддержке Министерства образоваНаноструктурированные и тонкопленочные материалы ния и науки РФ в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России».

Литература

1. А.И.Максимов и др. Основы золь-гель технологии нанокомпозитов. 2-е издание. СПб.:

ООО «Техномедиа»: Изд-во «Элмор», 2008.

2. И. Е. Грачева, А. И. Максимов, В. А. Мошников, О. Ф. Луцкая. Известия государственного электротехнического университета. Сер. Физика твердого тела и электроника. 2, (2006).

3. А. П. Карнаухов, Адсорбция. Текстура дисперсных и пористых материалов, Наука, Новосибирск, (1999).

Создание наноструктур на основе фуллеренов C60 методом электронной литографии и исследование их вольтамперных характеристик С. И. Павлов, П. Н. Брунков, С. И. Нестеров, Р. В. Соколов, Е. М. Танклевская, А.

В. Нащекин ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия эл. почта: Pavlov_Sergey87@mail.ru В последние годы сильно возросло количество работ, посвященных созданию электронных компонент (транзисторов, светодиодов, и т.д.) на основе органических соединений [1, 2]. Это обусловлено тем фактом, что устройства на основе органических соединений имеют ряд преимуществ по сравнению с неорганическими аналогами, такие как: механическая гибкость, простота производства, низкая стоимость, а также возможность уменьшения топологических размеров. Одним из перспективных в этом направлении материалов являются тонкие пленки фуллеренов. Факт проявления уникальных свойств фуллеренов носит фундаментальный характер, обусловленный их сферической формой, и состоит в реализации различных квантовых эффектов: размерное и зарядовое квантование, баллистический транспорт и др. [3, 4]. Созданию органических полевых транзисторов (OFET) на основе пленок фуллеренов уделяется особое внимание, например [5, 6].

В работе описана методика создания наноструктур на основе фуллеренов C методом прецизионной электронной литографии. Разрабатываемая методика включает два способа создания фуллереновых наноструктур: традиционный метод "взрывной" фотолитографии (неполимеризованная фаза фуллеренов), а также

Наноструктурированные и тонкопленочные материалы

путем полимеризации электронным лучом (полимеризованная фаза). Второй способ позволяет создавать структуры меньшего размера (шириной 50-100 нм). Важным фактом создаваемых наноструктур в различных состояниях является их структурное различие на молекулярном уровне, что определяет значительную разницу их электрических и оптоэлектрических характеристик. Для измерения вольтамперных характеристик (ВАХ) разработана конфигурация металлических электродов (Cr/Au) толщиной порядка 40 нм на диэлектрических подложках (Si/SiO2), толщина диэлектрического слоя окисла составляет 250 нм.

Вид вольт-амперных характеристик, полученных структур, по величине тока и форме измеренного сигнала подтверждают существенное различие свойств для неполимеризованной и полимеризованной фазы фуллеренов. При измерении прямой и обратной ветвей ВАХ обнаружено явления гистерезиса, зависящего от геометрических размеров наноструктур (ширина и длина). Исследование ВАХ после предварительного облучения образцов светом заданного спектрального диапазона (так называемая персистентная проводимость) демонстрируют либо увеличение тока, либо его уменьшение в зависимости от дозы облучения, а также используемого спектрального диапазона. Полученные результаты хорошо коррелируют с зонной схемой аморфных пленок фуллеренов и свидетельствуют об оптической активации глубоких электронных состояний в запрещенной зоне фуллеренов. Эффект обратимых оптических перезарядок влияет на проводимость полученных структур на молекулярном уровне и может быть использован для создания нового типа приборов. В частности, одним из применений таких структур может быть их использование в качестве элементов памяти с высокой степенью плотностью.

Работа поддержана в рамках Программы фундаментальных исследований Президиума РАН «Разработка методов получения химических веществ и создание новых материалов», направление: «Полифункциональнальные материалы для молекулярной электроники» 2007-2011 гг.

Литература

1. Y. Sugawara et al., Appl. Phys. Lett. 98, 013303 (2011).

2. A. N. Aleshin, I. P.Shcherbakov., J. Phys. D: Appl. Phys 43, 315104 (2010).

3. R. Danneau et al., Appl. Phys. Lett. 88, 012107 (2006).

4. Huang-Ming Lee et al., J. Appl Phys. 100, 043701 (2006).

5. M. Kitamura et al., Appl. Phys. Lett. 93, 033313 (2008).

6. Y. Kubozono et al., Appl. Phys. Lett. 93, 033316 (2008).

Наноструктурированные и тонкопленочные материалы Дифракционные структуры на основе стеклометаллических нанокомпозитов М. И. Петров1, О. В. Шустова2, А. А. Липовский2, Ю. П. Свирко3 Санкт-Петербургский академический университет, Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 297-21-45, эл. почта: trisha.petrov@gmail.com Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 297-2095, эл. почта: shustova.o@gmail.com University of Eastern Finland, Joensuu, Finland, эл. почта: ysvirko@uef.fi Представляемая работа посвящена изучению оптических свойств стеклометаллических нанокомпозитов (стекол, содержащих металлические наночастицы), а также дифракционных структур, созданных на их основе. В работе обсуждаются методы их создания и исследования. Представлены также результаты теоретического анализа спектральных свойств дифракционных структур, а также возможность их применения для исследования поверхностных плазмон-поляритонов в стеклометаллических нанокомозитах.

На сегодняшний день оптические свойства сред, содержащих наночастицы благородных металлов, являются темой большого числа исследований [1]. Наличие поверхностного плазмонного резонанса в металлических наночастицах радикально меняет свойства диэлектрических сред, в которые они помещены. Мощное оптическое поглощение в видимом диапазоне, положением которого можно управлять, модифицируя параметры нанкомпозита, обеспечивает возможность приборного применения таких сред. Большое внимание исследователей привлекают последнее время нелинейные свойства композитных сред [2, 3] за счет большой скорости нелинейного отклика. Особенности оптических свойств нанокомпозитов должны быть учтены и использованы при создании фотонных структур на их основе.

В данной работе исследуются свойства дифракционных решеток на основе серебряного и медного нанокомпозита, как простейшего примера фотонных структур. Исследуемые решетки были созданы как с помощью стандартного метода плазменного травления, так и с помощью эффекта электрополевого растворения, позволяющего модифицировать нанокомпозиты и управлять профилем заполнения наночастиц в стекле [4, 5]. В работе экспериментально и теоретически изучено влияние состава и свойств нанокомпозитов на спектры оптической дифракции. В частности, продемонстрировано наличие области сильного оптического поглощения, положение которой определяется концентрацией наночастиц

Наноструктурированные и тонкопленочные материалы

в стекле. В работе также обсужден вопрос возбуждения плазмон-поляритонов в стеклометаллических нанокомпозитах с помощью исследуемых поверхностных дифракционных решеток. Распространение поверхностных плазмонов приводит к «двойному» усилению полей вблизи наночастиц – за счет локализации полей поврехностного плазмон поляритона, а также за счет усиелинеи поля вблизи поверхностного плазмонного резонанса отдельной наночастицы. Такое взаимодействие полей может привести, в частности, к усилению нелинейных оптических эффектов, наблюдаемых в нанокомпозитах.

Литература

1. U. Kreibig, M.Vollmer, Optical Properties of Metal Clusters, (Springer: Berlin), (1995).

2. J.-Y. Bigot, V. Halte, J.-C. Merle, A. Daunois,Chem. Phys. 251, (2000).

3. M.Halonen, A. A. Lipovskii, Y. P. Svirko, Opt. Express 15, (2007).

4. Podlipensky et al, J.Phys.Chem. B 108, (2004).

5. A.A. Lipovskii et al. JAP, 109, 011101, (2011).

Использование метаморфной технологии для получения МНЕМТ наногетероструктур InAlAs/InGaAs на подложках GaAs и InP с различной мольной долей InAs в активной области Г. Б. Галиев1, И. С. Васильевский2, Е. А. Климов1, С. С. Пушкарёв1, 2, О. А. Рубан1, 2 Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, Москва, Россия Эл. почта: s_s_e_r_p@mail.ru Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Москва, Россия Эл. почта: ivasilevskii@mail.ru На сегодняшний день псевдоморфные НЕМТ гетероструктуры с квантовой ямой (КЯ) In0.52Al0.48As/In0.70Ga0.30As, выращенные на подложке InP, позволяют изготовить СВЧ транзисторы с рекордной частотой отсечки fT до 681 ГГц. Технологически и экономически более привлекательны альтернативные им метаморфные наногетероструктуры на подложках GaAs с мольной долей InAs в квантовой яме от 52% и выше, в которых подложку и значительно рассогласованные с ней активные слои соединяет переходный слой с плавно изменяющимся по толщине составом – метаморфный буфер (ММБ).

В настоящей работе представлены результаты исследования выращенных методом МЛЭ метаморфных НЕМТ наногетероструктур c -легированной кремни

<

Наноструктурированные и тонкопленочные материалы

ем КЯ InxAl1–xAs/InyGa1–yAs/InxAl1–xAs толщиной 160–200. Образец 1 выращен на подложке InP (1 0 0), а образцы 2–6 – на подложках GaAs (1 0 0), при этом образцы 1, 3–6 одинаково легированы и имеют одинаковые активные области с мольной долей InAs более 70%, а образец 2 легирован сильнее и имеет активную область с мольной долей InAs около 40%.

Под активной областью понимается совокупность барьера InxAl1–xAs, квантовой ямы InyGa1–yAs, спейсера InxAl1–xAs, -слоя Si, второго барьера InxAl1–xAs и защитного кэп-слоя InyGa1–yAs. В исследуемых образцах варьируются состав и толщины ММБ при неизменном линейном законе увеличения мольной доли InAs, а в образцах 5 и 6 с целью улучшения их кристаллической структуры внутрь ММБ на 0.5 и 0.9 его толщины вставлены две сверхрешётки In(x+х)Al1–(x+х)As/In(x–х)Ga1–(x–х)As, симметрично рассогласованные на х ~

0.08 относительно окружающего их состава ММБ и потому механически напряжённые. Подвижность e и концентрация nS электронов были измерены методом Ван дер Пау, а морфология рельефа поверхности была исследована методами АСМ и РЭМ. На области 9.59.5 мкм была измерена среднеквадратичная шероховатость поверхности.

Полученные результаты показывают, что основные электрофизические параметры метаморфных наногетероструктур сильно зависят от конструкции ММБ.

При этом проявляется чёткая корреляция этих параметров со среднеквадратичной шероховатостью поверхности.

Выражаем благодарность сотрудникам лаборатории зондовой микроскопии НИИВТ им. С. А. Векшинского Нестерову С. Б. и Нежметдиновой Р. А. Работа выполнена при финансовой поддержке программы фундаментальных исследований президиума РАН № 21, ФЦП «Кадры» (НК616П-39) а также Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 11-07-00050).

Газочувствительные нанокомпозиты на основе оксида цинка, полученные в условиях иерархической самосборки А. В. Cитников, И. Е. Грачева Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 234-30 16, эл. почта: iegrachova@mail.ru В основе золь-гель процессов лежат процессы самосборки, которые могут осуществляться не только традиционными силами (за счет взаимодействий ионного или ковалентного характера, или посредством металлических, водородных

–  –  –

и координационных связей). Иерархическая самосборка, как правило, происходит под влиянием более слабых сил, таких как силы Ван-дер-Ваальса, кулоновского взаимодействия, силы Казимира, силы, связанные с особенностями среды и внешних полей (коллоидные, капиллярные, -связи, конвективные, магнитные, электрические, оптические, гравитационные, гидрофильно– гидрофобных взаимодействий. Сущность иерархической самосборки состоит в синтезе исходных строительных «блоков» с зафиксированными размерами, формой и заданными размерными свойствами при дальнейшем процессе их интеграции. Иерархическая самосборка может быть многоуровневой, когда интегрированные блоки являются исходными элементами более крупных образований (с более крупными характерными радиусами взаимодействия).

В работе проводилось исследование наноструктурированных материалов с иерархической структурой, полученной из жидкой фазы в условиях самосборки золь-гель процессов и содержащей диоксид кремния и полупроводниковую фазу оксида цинка n-типа электропровод-ности.

Для определения толщины полупроводниковых наноструктурированных слоев создавались поперечные срезы (кросс-секции) остросфокусированным пучком ионов галлия, предоставленного установкой Strata FIB 205 фирмы FIE. Была определена толщина полупроводниковых наноструктурированных слоев по поперечным срезам. Для исследования среза образца предметный стол установкой Strata FIB 205 фирмы FIE поворачивали на угол 45, наблюдение проводили во вторичных электронах, возбуждаемых пучком ионов диаметром 7 нм.

В результате травления были сформированы канавки с размерами ~ 5 мкм х 5 мкм, при чем глубина разреза была равна ~ 2 мкм. Выявлено, что толщина полупроводниковых слоев составляет 200 нм.

Исследования морфологии пленочных наноструктур проводились с применением «полуконтактной» колебательной методики атомно-силовой микроскопии с помощью нанолаборатории Ntegra Terma. Для диагностики поверхности полученных образцов в работе использовались зондовые датчики с кантилевером в виде балки прямоугольного сечения серий NSG 01 компании NTMDT с резонансной частотой 150 кГц. В работе АСМ-кадры представляли собой квадратные матрицы, имеющие размер 256 на 256 элементов.

В работе показана возможность формирования ежеподобных сферических нанокомпозитов на основе оксида цинка двух типов: из стержней и сферических треугольников, полученных в условиях торроидной самосборки золь-гель процессов и наноматериалов в виде «длинных нитей» с диаметром 20 нм на пористой структуре оксида цинка. Показано, что управление самосборкой в золь-гель про

<

Наноструктурированные и тонкопленочные материалы

цессах позволяет контролировать структуру нанокомпозитов. С применением методов сканирующей зондовой мирокроскопии экспериментально определены несколько различных этапов эволюции наносистем. Удалось зафиксировать структуры двухкомпонентных систем диоксид кремния – оксид цинка, принадлежащие нуклеофильному механизму роста и спинодальному распаду.

Исследовалась чувствительность наноматериалов, полученных в условиях иерархической самосборки золь-гель процессов, к восстанавливающим газамреагентам.

Работа проводилась в рамках реализации ФЦП "Научные и научнопедагогические кадры инновационной России" на 2009—2013 годы при выполнении государственных контактов П1249 от 07.06.2010.

Особенности темплатного синтеза структур на основе пористого оксида алюминия Е. Н. Соколова Санкт-Петербурский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 234-30-16, эл. почта: SokolovaEkNik@yandex.ru Пористый оксид алюминия, благодаря своей упорядоченности пор, оптическим и электрофизическим свойствам, является одним из актуальных материалов для различных целей микро - и наноэлектроники. Перспективным методом создания наноструктурированных пористых материалов за счет своей эффективности и экономичности является электрохимическое травление (ЭХТ). В процессе ЭХТ формируется слой Al2O3 с самоупорядоченной структурой пор [1]. Значительный научный и практический интерес в темплатном синтезе представляет получение слоев por-Al2O3/Si, а также получение магнитных нанокомпозитов и металлических нанонитей в такой матрице. Одним из методов получения магнитных нанокомпозитов в порах является электрохимическое осаждение магнитных металлов. Данный метод формирования нанокомпозитов Ni на подложках por-Al2O3, задающих условия роста кристаллов, позволяет управлять свойствами материала (структурой, диаметром нанокристаллов Ni и т.п.). В работе [2] предлагается электрохимический способ встраивания нанонитей вентильных металлов в основании оксидной ячейке, для формирования наноразмерных столбиковых автоэмиттеров. Таким образом, целью данной работы является синтез магнитных

60 Наноструктурированные и тонкопленочные материалы

нанокомпозитов и металлических нанонитей в матрице пористого анодного оксида алюминия.

Процесс электрохимического формирования слоев por-Al2O3 проводился при условиях, описанных в [3], в ходе которого рост пористого слоя вглубь подложки осуществлялся за счет уравновешивания двух процессов: образования окисла на внешней поверхности барьерного слоя оксидной ячейки и его растворение на внутренней поверхности у основания поры. Для достижения высокого упорядочивания структуры por-Al2O3 осуществлялось химическое преструктурирование образца. Методом электрохимического катодного осаждения из электролита на основе солей шестиводного хлорида никеля проводилось формирование наночастиц никеля в матрицах por-Al2O3. С целью формирования металлических нанонитей на кремниевую подложку методом магнетронного распыления осаждали двухслойную тонкопленочную систему Ti - Al. После полного растворения барьерного слоя окисного слоя в процессе ЭХТ со стороны поры начинается встраивание анодного оксида вентильного металла (Ti) в основание оксидной ячейки и последующее его врастание в пору.

Диаметр встраиваемого столбика металла определяется диаметром поры оксидной ячейки [2]. Исследование полученных образцов проводилось с помощью оптической, растровой электронной и атомносиловой микроскопиями. Результаты исследований показали, что применение особых технологических параметров (низкой температуры, напряжения и концентрации электролита и др.) позволяет формировать слои с заданной геометрией. В ходе работы была оптимизирована технология формирования и получены высокоупорядоченные слои por-Al2O3 c сотовой структурой пор (диаметр пор 20…200нм, коэффициент упорядочивания К 98%) на различных подложках и сквозные мембраны por-Al2O3, автозакрепленные в алюминиевой фольге. Показано, что варьируя условия процесса осаждение, можно формировать слои никеля с более однородным строением (шероховатостью), меньшей дефектностью, лучшей адгезией. Получены первые столбчатые титановые структуры в матрице оксида алюминия, обладающие однородностью.

Работа проводилась при поддержке ФЦП «Развитие внутрироссийской мобильности научных и научно-педагогических кадров путем выполнения научных исследований молодыми учеными и преподавателями в научно-образовательных центрах».

Литература

1. В.А.Мошников, Е.Н.Соколова, Ю.М.Спивак. Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2, (2011).

2. Н.И.Татаренко, В.Ф.Кравченко, автоэмиссионные наноструктуры и приборы на их основе. М. Физмат, (2006).

3. А.В.Афанасьев и др. Биотехносфера, 1-2(13-14), (2011).

Наноструктурированные и тонкопленочные материалы

–  –  –

Перспективы использования халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) системы Ge-Sb-Te в миниатюрных устройствах энергонезависимой фазовой памяти [1] ставят перед исследователями задачу изучения фундаментальных свойств этих материалов и механизмов фазовых трансформаций аморфное-кристаллическое состояние в микро и наноразмерных объемах.

В данной работе представлены результаты по синтезу и исследованию структурных и оптических свойств тонких пленок конкретного состава Ge2Sb2Te5 (GST225), который по оценкам [1] является наиболее перспективным для создания быстродействующих и надежных устройств памяти и пороговых переключателей, работа которых основана на сильном изменении физических свойств материала при фазовом переходе аморфное-кристаллическое состояние.

Пленки GST225 были получены методом термического напыления в вакууме на стеклянных подложках с помощью модифицированной установки ВУП-5. Остаточное давление составляло ~10 Па, температура подложки 50С. Толщина пленок варьировалась в пределах 0.1-1.0 мкм. В качестве исходного состава для напыления использовался поликристаллический GST225, синтезированный из элементов полупроводниковой чистоты. При синтезе объемных образцов был использован метод - градиентной закалки расплавов ХСП в специально сконструированных конических ампулах, позволяющий реализовать широкий диапазон скоростей (1-100 град/cек) охлаждения расплава в одном эксперименте.

Для определения состава полученных пленок использовался метод рентгеноспектрального анализа. Установлено, что при увеличении температуры испарителя в диапазоне 370-470С существенно изменялось соотношение атомов Ge и Sb в синтезированных пленках, в то время как количество атомов Te оставалось примерно постоянным. Так при T=380±10С состав пленки соответствовал формуле Ge34Sb11Te55, при T=415±10С – Ge30Sb15Te55. Температура испарителя, при которой получилась пленка оптимального состава GST225 (Ge22Sb22Te56), была 460±10С.

Структурная характеризация пленок проведена методами атомно-силовой микроскопии (АСМ), рентгеновского анализа и рамановской спектроскопии. Полученные данные свидетельствуют о том, что пленки GST225, напыленные при

–  –  –

температуре подложки 50С, имеют аморфную структуру. Для получения пленок GST225 в кристаллическом состоянии был использован их отжиг в вакууме при температурах 200-250С в течение 1-2 часов.

Результаты АСМ демонстрируют наличие в отожженных пленках ограненных частиц размером ~2 мкм, что свидетельствует о кристаллической структуре пленки. В спектрах резонансного рамановского рассеяния при возбуждении выше края запрещенной зоны в отожженных пленках наблюдались узкие эквидистантные линии (до 6 пиков), связанные с рассеянием на LO-фононах. Измерения спектров пропускания исходных и отожженных пленок GST225 показали заметное (~55%) уменьшение коэффициента пропускания в отожженных пленках по сравнению с неотожженными, что связано с увеличением показателя преломления при переходе пленки из аморфного в кристаллическое состояние.

Литература1. S. Raoux, W. Wenic, D. Ielmini. Chem. Rev. 110, (2010).

Исследование динамики системы иммунных белков (комплемена) методом когерентной спектроскпоии Д. С. Перевозник, Д. В. Мокрова Санкт-Петербургский государсвтенный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия тел: +7 921 984-47-02, эл. почта: piralta17@gmail.com тел: +7 921 309-04-30, эл. почта: dashkeria@gmail.com Во всём мире интенсивно разрабатываются лазеры, медицинского назначения, биомедицинские комплексы, диагностическая, терапевтическая и хирургическая аппаратура. Одно из самых эффективных направлений применения лазеров в биомедицине лазерная медицинская диагностика и исследование биохимических и биофизических параметров биообъектов.

Биологические среды по своей природе относятся к дисперсным средам, в которых рассеяние излучения оказывает заметное влияние на его физические характеристики. Большое разнообразие и структурная сложность биологических систем, требует разработки адекватных биофизических моделей рассеяния и поглощения света для достоверного выявления диагностической информации.

Традиционные методы макро- и микродиагностики, широко применяющиеся как в исследовательских, так и в клинических условиях, могут получить дальНаноструктурированные и тонкопленочные материалы нейшее развитие за счет применения методик на основе рассеяния когерентного света. Все это требует создания и развития новых измерительных подходов в том числе базирующихся на принципах статистической оптики: лазерной корреляционной спектроскопии, лазерной оптики спеклов и спекл-интерферометрии, спектроскопии оптического смешения и корреляции фотонов.

Одной из проблем современной биохимии является выявление механизма лизиса чужеродных клеток комплементом крови. Система комплемента – это совокупность белков биологических жидкостей, а именно плазмы крови, лимфы, молока, осуществляющая реализацию иммунного ответа организма. Лизис – разрушение чужеродной клетки; лизис эритроцита – гемолиз. Задача данной работы состоит в выявлении динамики белков в смеси: сыворотка крови человека – эритроциты кролика и ряда добавок, методом когерентного светорассеяния. На первом этапе решения этой задачи было необходимо определить спектральную область светового поглощения исследуемой смеси, в которой динамика комплемента будет выражена наиболее отчетливо.

В работе было проведено исследование реакция системы комплемента на чужеродный объект (в нашем случае – эритроциты кролика).

Ввиду того что, белки и гемоглобин поглощают соответственно в УФ и видимом диапазоне (500-600 нм), представляет интерес отойти от традиционных методов измерения на одной длине волны (800 нм) и провести измерения в большем диапазоне длин волн (200-1100 нм).

После выполнения серии экспериментов стало очевидным, что наиболее информативным является УФ диапазон, который соответствует преимущественно поглощению белков. По динамике в УФ диапазоне можно судить о динамике трансформации белков входящих в состав смеси.

Для выявления деталей процесса эриптолиза (ранняя стадия гемолиза), перспективно применение методики когерентного светорассеяния дисперсными биологическими средами, методы корреляционной спектроскопии.

С этой целью в работе выполнена серия измерений динамики лизиса эритроцитов – мишеней в плазме крови человека методами фотонно-корреляционной спектроскопии. Приводятся результаты эксперимента и обсуждаются перспективы развития методики.

–  –  –

Новый метод обработки спектров EXAFS в исследовании современных материалов и биологических молекул М. Д. Шарков, А. В. Бобыль, М. Е. Бойко, Е. М. Ершенко, С. Г. Конников, К.

Ю. Погребицкий ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 292-79-85, эл. почта: mischar@mail.ioffe.ru Разработана новая методика анализа спектров EXAFS (Extended X-Ray Absorption Fine Structure = дальняя тонкая структура спектров рентгеновского поглощения), состоящая из трех операций - определения энергии края поглощения, выделения осциллирующей составляющей спектра EXAFS и Фурьепреобразования этих осцилляций. На основе вариационного принципа построена процедура выделения осцилляций спектра [1]. Определены диапазоны нахождения нижней и верхней границ окна Фурье-преобразования осцилляций [2].

Применение разработанного метода Проведен анализ спектра EXAFS человеческого белка церулоплазмина.

Сформулирована гипотеза о структуре белка в окрестности атомов Cu [2, 3]. Подтверждена гипотеза [4] о существовании в матрице белка треугольника из атомов Cu.

Проанализирован спектр EXAFS образца титаната лития Li4Ti5O12. Установлено присутствие порядка 50% TiO2 в составе образца [2].

Проанализированы спектры EXAFS двух образцов трифилита LiFePO4. Определены тенденции к изменению компонентного состава в образце трифилита.

Литература

1. М. Д. Шарков, К. Ю. Погребицкий, С. Г. Конников, ЖТФ 77, 8, (2007).

2. М. Д. Шарков, К. Ю. Погребицкий, М. Е. Бойко, ЖТФ, в печати (2011).

3. К. Ю. Погребицкий, М. Д. Шарков, ФТП 44 (6), (2010).

4. P. Bielli, L. Calabrese, Cell. Mol. Life Sci. 59, 1413 (2002).

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ

И ФОТОПРИЕМНИКИ

Влияние конструктивных параметров на ширину полосы модуляции вертикально-излучающих лазеров М.А. Бобров1, 2, М.М. Павлов1, 2, С.А. Блохин2, А.Г. Кузьменков2, Н.А. Малеев2, В.М. Устинов2, P. Wolf 3, P. Moser3, D. Bimberg3 Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 297-31-78, эл. почта: largaseal@gmail.com ФТИ им.А.Ф.Иоффе, С-Петербург, Россия Institut fr Festkrperphysik und Zentrum fr Nanophotonik, Technische Universitt Berlin, Берлин, Германия В последние годы вертикально-излучающие лазеры (ВИЛ) находят все более широкое применение в быстродействующих оптоволоконных системах связи, высокопроизводительных компьютерных системах, а также датчиках и сенсорах различного типа [1]. Растущие с каждым годом требования к сетевой полосе пропускания и скорости передачи данных в Интернете, а также к пропускной способности и скорости передачи устройств ввода-вывода стимулирует активный поиск путей развития технологии ВИЛ, обеспечивающей скорость передачи данных более 25 Гбит/с в режиме прямой токовой модуляции. Уже предложены различные подходы по повышению частоты релаксационных колебаний ВИЛ до 20 ГГц [2], что приводит к необходимости соответствующего повышения частоты отсечки паразитного электрического фильтра низких частот (ФНЧ), образованного элементами конструкции прибора.

Цель данной работы состояла в исследовании влияния приборной конструкции на быстродействие типичного ВИЛ c легированными брэгговскими зеркалами.

Полупроводниковые лазеры и фотоприемники

Базовая конструкция ВИЛ представляет собой двойную меза-структуру на нелегированной подложке, планаризованная материалом с малой диэлектрической проницаемостью (BCB) и копланарными контактными площадками (земля-сигналземля). Основными источниками паразитной емкости в ВИЛ являются емкость контактных площадок Сpad, дифференциальная емкость p-n перехода Сi и емкость, образующаяся на оксидных слоях, формирующих токовое и/или оптическое ограничении Сox.

Отметим, что емкость прямо смещенного p-n перехода Сi крайне сложно контролировать в ВИЛ (увеличение нелегированной области микрорезонатора, малый фоновый уровень легирования). Была изготовлена серия приборов с разными размерами первой мезы, токовой апертуры, второй мезы, формой нижнего контакта. Исследования емкости приборов проводилось по мостовому методу с помощью измерителя иммитанса (RLC-измеритель) при нулевом смещении и частоте 1 МГц. Зависимость емкости прибора от площади под оксидными слоями демонстрирует два линейных участка, соответствующие приборам с закрытой (область I) и открытой апертурами (область II). Благодаря применению метода эффективного увеличения толщины оксидных слоев в ВИЛ, вклад емкости Сox в суммарную паразитную емкость прибора невелик (~0,3 фФ/мкм ). В тоже время открытие токовой апертуры ведет к скачкообразному увеличению емкости прибора вследствие появления вклада от барьерной емкости p-n перехода. Экстраполяция данных в области I к нулю дает емкость контактных площадок Сpad~40 фФ. Изменение формы контактных площадок к нижнему контакту, а также существенное увеличение размера второй мезы (до двух раз относительно первой мезы) не оказывает влияние на емкость Сpad. Результаты моделирования в широком диапазоне частот электрического отражения ВИЛ с закрытой апертурой дают идентичную суммарную емкость приборов (анализ ВИЛ с открытой апертурой затруднен в силу существенной нелинейности эквивалентной схемы ВИЛ при прямом смещении). Малосигнальный анализ амплитудно-частотных характеристики лазеров показал, что ширина полосы модуляции ВИЛ нелимитирована паразитной частотой отсечки (~25 ГГц) и достигает 20 ГГц. Таким образом, предложенная конструкция ВИЛ позволяет крайне эффективно бороться с паразитной емкостью прибора.

Работа выполнена при поддержке РФФИ, программы Президиума РАН, ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» и грантом Санкт-Петербурга для молодых кандидатов наук.

Литература

1. R.Szweda, III-Vs Review, 19 (1), (2006).

2. A. Mutig et al., Appl. Phys. Lett. 95,131101, (2009).

Полупроводниковые лазеры и фотоприемники Поворот плоскости поляризации излучения гетеролазеров под воздействием переменной ультразвуковой деформации В. А. Горелов, Л. А. Кулакова ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 292-71-55, эл. почта: vlad-gorelov@yandex.ru тел: (812) 515-92-05, эл. почта: L.Kulakova@mail.ioffe.ru Диодные лазеры с перестраиваемым спектром излучения являются основой как лазерной спектроскопии высокого разрешения, так и многих интерферометрических систем измерения и оптических систем связи. Упругие напряжения изменяют величину расщепления между подзонами размерного квантования и перемешивают волновые функции тяжелых и легких дырок.

В результате чего изменяются как частотные, так и поляризационные характеристики излучения. Введение переменной деформации может приводить к дополнительному расщеплению уровней легких и тяжелых дырок и соответствующему изменению поляризационных характеристик излучения с периодичностью ультразвуковой деформации. Изучение эффекта интересно не только с фундаментальной точки зрения, но и открывает новые возможности использования в устройствах обработки информации.

В работе анализируются полученные нами экспериментальные данные динамики излучения (в реальном масштабе времени) InGaAsP/InP гетеролазеров в присутствии переменной ультразвуковой деформации. Исследуемые структуры представляют собой две квантовые ямы и волноводный слой InGaAsP, ограниченный барьерами из InP. Ультразвуковое воздействие прикладывалось в направлении роста квантовой ямы, при этом наблюдался частотный сдвиг спектральной линии лазерного излучения, были получены данные о поляризационных свойствах излучения. С помощью использования дифференциальных методик измерения с высокой точностью получен переменный сигнал, связанный только с ультразвуковым воздействием.

На основании расчетов в рамках теории возмущений получена формула, связывающая измеренный переменный сигнал с "технологическими" деформациями в системе и переменной ультразвуковой деформацией. Расчеты проводились в приближении низких надкритичностей и независимости квантовых ям. Был проведен расчет, обосновывающий данные приближения. Оценки волноводных свойств структуры показали, что волновод не накладывает ограничений на применимость развитой теории. Аналитическая формула хорошо согласуется с экспериментальными данными и в простом при

–  –  –

Главными результатами проведенных исследований являются а) демонстрация того, что в исследованных структурах можно управлять быстрой и непрерывной периодической перестройкой спектра гетеролазеров в диапазоне 60 GHz за половину периода звука (50 ns) с сохранением неизменной интенсивности излучения; б) выявление возможностей управления направлением генерируемого излучения, в)оценены относительные величины деформаций в исследуемой структуре.

Литература

1. Л. А. Кулакова, ФТТ. 51, 1, 73 (2009).

2. Л. А. Кулакова, ЖЭТФ, 131, 5, 790(2007) Влияние насыщения усиления на мощностные и динамические характеристики полупроводниковых лазеров с квантово-размерной активной областью Е. Д. Колыхалова1, В. В. Дюделев2, М. В. Максимов2, Г. С. Соколовский2 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, Россия ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 292-79-14, эл. почта: amenemhet@inbox.ru Полупроводниковые лазеры, в первую очередь, лазеры на основе квантоворазмерных гетероструктур, выгодно отличающиеся от лазеров других типов своей Полупроводниковые лазеры и фотоприемники компактностью и эффективностью, нашли широкое применение во многих областях науки и техники, включающих запись, хранение и передачу информации, накачку оптических усилителей и твердотельных лазеров. Следует особо отметить многочисленные новые применения таких лазеров в фотомедицине и биофотонике, в частности, фото-эпиляцию, лазерную липосакцию и генерацию белков теплового шока [1]. К сожалению, диктуемая новыми применениями необходимость дальнейшего повышения мощности их излучения сталкивается с трудностями, связанными с насыщением ватт-амперной характеристики, обусловленным насыщением усиления, перегревом активной области и нелинейными эффектами не только в непрерывном, но и в импульсном режиме.

Поэтому особенно актуальным в настоящее время является изучение насыщения усиления в полупроводниковых лазерах на основе квантоворазмерных гетероструктур при накачке сверхкороткими импульсами тока, т.е. в условиях, исключающих проявление эффектов, связанных с перегревом активной области.

В данной работе на основе анализа скоростных уравнений показано, что даже незначительное отклонение ватт-амперной характеристики от линейной зависимости вследствие насыщения усиления при исключении температурных эффектов свидетельствует о многократном повышении концентрации носителей, необходимой для поддержания генерации, т.е. о повышении «эффективного» порога генерации. Эти выводы согласуются с результатами работ [2, 3], где был показан нетемпературный загиб ватт-амперной характеристики при накачке полупроводниковых лазеров с квантово-размерной областью короткими импульсами тока.

Наблюдаемое в этих работах переключение генерации между квантовыми состояниями также говорит о значительном росте концентрации носителей заряда в активной области. Сделанные нами оценки указывают на ускорение проявления эффектов, связанных с насыщением усиления, при уменьшении объём активной области полупроводникового лазера на основе наногетероструктур. Для подтверждения данной гипотезы нами были проведены комплексные исследования характеристик полупроводниковых лазеров с различным количеством слоёв квантовых точек в активной области. Эксперименты показали более раннее насыщение ватт-амперной характеристики у лазеров с меньшим объёмом активной области и, напротив, уменьшение влияния насыщения усиления при увеличении объема активной области за счет увеличения количества квантовых слоев. В докладе будут также представлены результаты исследования динамических характеристик лазеров с различным количеством слоёв квантовых точек в активной области, демонстрирующие существенное влияние фактора заполнения на время включения лазера.

–  –  –

Литература

1. G.S.Sokolovskii et al., Int. Conf. Laser Optics, St Petersburg, Russia, 28 June - 2 July 2010.

2. Г.С.Соколовский и др., Письма в ЖТФ, 16, (2008).

3. G.S.Sokolovskii et al., Int. Conf. Laser Optics, St Petersburg, Russia, 24-27 June 2008.

Высокоэффективные и быстродействующие фотодиоды для спектрального диапазона 2.5 – 4.8 мкм И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Д. А. Старостенко, В. В. Шерстнёв, Ю. П. Яковлев ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия тел.: (812) 292-79-29, Факс: (812) 247-00-06, эл. почта: glebkonovalov@ya.ru Инфракрасные (ИК) фотодиоды, работающие в спектральном диапазоне 2-5 мкм, являются ключевым компонентом газоанализаторов при обнаружении углекислого (СО2) и “угарного” (СО) газов на длинах волн 4.27 мкм и 4.7 мкм, соответственно.

Твёрдые растворы InAsSb, перспективные для создания фотодиодов в данном спектральном диапазоне, могут выращиваться на подложках GaSb или InAs. Фотодиод на онове гетероструктуры InAs1-xSbx/GaSb (0.10х0.14) был создан нами ранее. При освещении через подложку InAs0.86Sb0.14/GaSb фотодиоды продемонстрировали диапазон спектральной чувствительности 1.7-4.2 мкм.

В данной работе сообщаются о результатах исследований, направленных на создание высокоэффективных фотодиодов, работающих при комнатной температуре в среднем ИК диапазоне 2-5 мкм. Гетероструктуры с активным слоем InAs0.88Sb0.12, выращивались методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) на подложках InAs. Для обеспечения пониженной деформации, вызванной несоответствием параметров решётки подложки и активного слоя, нами был введён буферный слой из твёрдого раствора InAs0.94Sb0.06. В качестве широкозонного “окна” использовался твёрдый раствор InAsSbP. Разработаны фотодиоды на основе гетероструктур InAs/InAs0.94Sb0.06/InAs0.88Sb0.12/InAsSbP c диаметром фоточувствительной площадки 0.3 мм.

Отличительной особенностью фотодиодов является высокая токовая монохроматическая чувствительность в максимуме спектра (max = 4.2-4.7 мкм) достигающая значений 0.6-0.8 А/Вт, значение плотности обратных темновых токов (1.3А/см, при напряжении обратного смещения 0.1-0.2 В. Дифференциальное сопротивление в нуле смещения достигает величины 700-800 Ом. По нашим Полупроводниковые лазеры и фотоприемники оценкам, обнаружительная способность фотодиодов в максимуме спектральной 8 1 1/2 чувствительности достигает величины (5-8)10 смВт Гц.

Работа частично поддержана программой Президиума РАН №27 «Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов», грантами РФФИ 09-08-91224-СТ_а.

Литература1. В.В.Шерстнев и др. Письма в ЖТФ, 37 (1), (2011).

Влияние неоднородного уширения и преднамеренно внесённой неупорядоченности на ширину спектра генерации лазеров на КТ В. В. Коренев, А. В. Савельев, А. В. Омельченко, А. Е. Жуков Санкт-Петербургский академический университет, Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 920-29-90, эл. почта: krunu@yandex.ru Для различных задач оптоэлектроники, включая, например, оптическую передачу информации, а также медицины (оптическая томография) [1], требуется эффективный полупроводниковый лазер, обладающий широким спектром излучения в диапазоне длин волн 1.20 – 1.35 мкм, отвечающем окну прозрачности стандартного оптического волокна. Известно, что лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек (КТ) InAs/InGaAs позволяют перекрыть интересующий диапазон длин волн [2] и получить спектр лазерной генерации (СГ) шириной до 75 нм при комнатной температуре [3].

В связи с указанными обстоятельствами в данной работе на основе модели [4 – 5] теоретически описана работа эффективных полупроводниковых лазеров на КТ, обладающих достаточно широкими (~ 75 нм) спектрами генерации, а также рассмотрена оптимизация работы лазеров указанного типа с целью получения СГ заранее заданной ширины при типичных рабочих температурах и минимальной потребляемой мощности. В рамках рассматриваемой модели, учитывающей влияние температуры, неоднородного уширения и малых однородных уширений уровней энергии в КТ, были решены следующие задачи:

А) Получены аналитические выражения для описания спектров генерации и зависимости их ширины от мощности накачки лазера при произвольной темпе

–  –  –

ратуре. Количественно описаны уже имеющиеся в литературе экспериментальные данные при температурах достаточно близких к комнатным;

Б) Изучена зависимость ШСЛГ от ключевых параметров, оказывающих наибольшее влияние на ширину линии генерации. Рассмотрено влияние потерь на вывод излучения, внутренних потерь в резонаторе, длины резонатора лазера, величины разброса КТ по энергии, температуры, а также влияние явного вида функции распределения квантовых точек по энергии на ширину спектра генерации лазера;



Pages:     | 1 | 2 || 4 | 5 |   ...   | 8 |
Похожие работы:

«АСТРОНОМИЯ I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ В соответствии с образовательным стандартом учебного предмета «Астрономия» целями его изучения являются овладение учащимися основами систематизированных знаний о строении Вселенной, обучение учащихся способности познавать закономерности развития природных процессов, их взаимосвязанность и пространственно-временные особенности, формирование понимания роли и места человека во Вселенной. К основным задачам изучения учебного предмета «Астрономия» на III ступени общего...»

«Федеральное государственное образовательное бюджетное учреждение высшего профессионального образования «МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ МЕЖДУНАРОДНЫХ ОТНОШЕНИЙ (УНИВЕРСИТЕТ) МИД РОССИИ» «УТВЕРЖДАЮ» Председатель Приемной комиссии Ректор МГИМО (У) МИД России академик РАН А.В. ТОРКУНОВ Программа вступительного экзамена для поступления в магистратуру МГИМО (У) МИД России по направлению «Зарубежное регионоведение» МОСКВА 2015 Порядок проведения вступительного экзамена по дисциплине «Основы...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО НАУЧНЫХ ОРГАНИЗАЦИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ СПЕЦИАЛЬНАЯ АСТРОФИЗИЧЕСКАЯ ОБСЕРВАТОРИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (САО РАН) ПРИНЯТО УТВЕРЖДАЮ решением Ученого совета Директор САО РАН, САО РАН № _322_ член-корр. РАН от «_16_» сентября 2014 г. Ю.Ю. Балега «_»_ 2014 г. ОБРАЗОВАТЕЛЬНАЯ ПРОГРАММА ПОДГОТОВКИ НАУЧНО-ПЕДАГОГИЧЕСКИХ КАДРОВ В АСПИРАНТУРЕ 03.06.01 ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ Направление подготовки 01.03.02 АСТРОФИЗИКА И ЗВЕЗДНАЯ Направленность...»

«ISSN 0552-5829 РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ГЛАВНАЯ (ПУЛКОВСКАЯ) АСТРОНОМИЧЕСКАЯ ОБСЕРВАТОРИЯ ВСЕРОССИЙСКАЯ ЕЖЕГОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ С МЕЖДУНАРОДНЫМ УЧАСТИЕМ СОЛНЕЧНАЯ И СОЛНЕЧНО-ЗЕМНАЯ ФИЗИКА – 20 ТРУДЫ Санкт-Петербург Сборник содержит доклады, представленные на XVIII Всероссийской ежегодной конференции с международным участием «Солнечная и солнечно-земная физика – 2014» (20 – 24 октября 2014 года, ГАО РАН, Санкт-Петербург). Конференция проводилась Главной (Пулковской) астрономической обсерваторией...»

«Федеральное государственное образовательное бюджетное учреждение высшего профессионального образования «МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ МЕЖДУНАРОДНЫХ ОТНОШЕНИЙ (УНИВЕРСИТЕТ) МИД РОССИИ» «УТВЕРЖДАЮ» Председатель Приемной комиссии Ректор МГИМО (У) МИД России академик РАН А.В. ТОРКУНОВ Программа вступительного экзамена для поступления в магистратуру МГИМО (У) МИД России по направлению «Зарубежное регионоведение»     МОСКВА 2015 Порядок проведения вступительного экзамена по дисциплине «Основы...»

«Suhayl 5 (2005) pp. 163-2 Послание относительно Тасйир (Tasyr) и проекции лучей Абу Марвана аль-Эсихи (Ab Marwn al-Istij) Julio Sams и Hamid Berrani Джулио Самсо и Хамид Беррани Перевод с английского G. Z. Киев 201 1 Введение 1.1 Автор Абу Марван Абд Аллах ибн Халаф аль-Эсихи (Ab Marwn cAbd Allh ibn Khalaf al-Istij) был астрономом и астрологом, кто жил и работал в Толедо и Куэнка во второй половине одиннадцатого столетия2. У нас нет никаких точных дат его рождения и смерти, но его семья, должно...»

«ФизикА.СПб Тезисы докладов Российской молодежной конференции по физике и астрономии 28–30 октября 2014 года Санкт-Петербург Издательство Политехнического университета ББК 22.3:22.6 Ф 50 Организатор ФТИ им. А. Ф. Иоффе Спонсорами конференции ежегодно выступают Российский фонд фундаментальных исследований Российская академия наук Администрация Санкт-Петербурга Программный комитет Аверкиев Никита Сергеевич (ФТИ им. А. Ф. Иоффе) — председатель Арсеев Петр Иварович (ФИАН) Варшалович Дмитрий...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АЕЕНТСТВО НАУЧНЫХ ОРЕАНИЗАЦИЙ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук» (ИАПУ ДВО РАН) «СОГЛАСОВАНО» СДВЕННС; Зам. директора по научноДиректор ИАПУ ДВО РАН /^ S \ образовательцой и инновационной ^емик деятельности, д.ф.-м.н. Н.Г. Галкин Ю.Н. Кульчин сентября 2015 г. нтября 2015 г. ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ по специальной дисциплине Направление...»

«Международная общественная организация «Астрономическое Общество» XII отчетно-перевыборный съезд НАУЧНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ «АСТРОНОМИЯ ОТ БЛИЖНЕГО КОСМОСА ДО КОСМОЛОГИЧЕСКИХ ДАЛЕЙ» Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Государственный астрономический институт им. П.К. Штернберга 25 – 30 мая 2015 г. Сборник резюме докладов Редакторы – проф. Н.Н. Самусь, В.Л. Штаерман Москва, 2015 Содержание Пленарные доклады Секция «Астрометрия и небесная механика» 13 Секция «Астрономические...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АЕЕНТСТВО НАУЧНЫХ ОРЕАНИЗАЦИЙ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук» (ИАПУ ДВО РАН) «СОГЛАСОВАНО» СДВЕННС; Зам. директора по научноДиректор ИАПУ ДВО РАН /^ S \ образовательцой и инновационной ^емик деятельности, д.ф.-м.н. Н.Г. Галкин Ю.Н. Кульчин сентября 2015 г. нтября 2015 г. ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ по специальной дисциплине Направление...»

«УТВЕРЖДАЮ Заместитель Министра образования Республики Беларусь _В.А. Будкевич «25»июня 2014 г. Инструктивно-методическое письмо Министерства образования Республики Беларусь «Об организации образовательного процесса при изучении учебного предмета «Астрономия» в учреждениях общего среднего образования в 2014/2015 учебном году» I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ В соответствии с образовательным стандартом учебного предмета «Астрономия» целями его изучения являются овладение учащимися основами систематизированных...»

«ISSN 0552-58 РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ГЛАВНАЯ (ПУЛКОВСКАЯ) АСТРОНОМИЧЕСКАЯ ОБСЕРВАТОРИЯ XIX ВСЕРОССИЙСКАЯ ЕЖЕГОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФИЗИКЕ СОЛНЦА СОЛНЕЧНАЯ И СОЛНЕЧНО-ЗЕМНАЯ ФИЗИКА – 2 ТРУДЫ Санкт-Петербург Сборник содержит доклады, представленные на XIX Всероссийскую ежегодную конференцию по физике Солнца «Солнечная и солнечно-земная физика – 2015» (5 – 9 октября 2015 года, ГАО РАН, Санкт-Петербург). Конференция проводилась Главной (Пулковской) астрономической обсерваторией РАН при поддержке...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО НАУЧНЫХ ОРГАНИЗАЦИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ СПЕЦИАЛЬНАЯ АСТРОФИЗИЧЕСКАЯ ОБСЕРВАТОРИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (САО РАН) ПРИНЯТО УТВЕРЖДАЮ решением Ученого совета Директор САО РАН, САО РАН № _322_ член-корр. РАН от «_16_» сентября 2014 г. Ю.Ю. Балега «_»_ 2014 г. ОБРАЗОВАТЕЛЬНАЯ ПРОГРАММА ПОДГОТОВКИ НАУЧНО-ПЕДАГОГИЧЕСКИХ КАДРОВ В АСПИРАНТУРЕ 03.06.01 ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ Направление подготовки 01.03.02 АСТРОФИЗИКА И ЗВЕЗДНАЯ Направленность...»

«ТУРИЗМ КАК ФАКТОР СОЦИАЛЬНОЭКОНОМИЧЕСКОГО РАЗВИТИЯ ТЕРРИТОРИЙ ГАСТРОНОМИЧЕСКАЯ СОСТАВЛЯЮЩАЯ РЕГИОНАЛЬНОГО ТУРПРОДУКТА Абрамкина Т.Н., Иркутский государственный университет, г. Иркутск Гастрономический туризм в последнее время стремительно набирает обороты во всём мире. Однако если за рубежом данный сегмент довольно хорошо развит, то в России этот вид туризма только начинает зарождаться. Актуальность исследования обусловлена тем, что на сегодняшний день выбор гастрономических туров по России...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО НАУЧНЫХ ОРГАНИЗАЦИЙ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук» (ИАПУ ДВО РАН) «СОГЛАСОВАНО» «УТВЕРЖДАЮ» Руководитель направления Заместитель директора по научноподготовки аспирантов03.06.01 образовательной и инновационной «Физика и астрономия»,д.ф.-м.н. деятельности, д.ф.-м.н. _ Н.Г. Галкин _ Н.Г. Галкин « » сентября 2015 г. « » сентября 2015 г....»

«Муниципальное бюджетное общеобразовательное учреждение гимназия г. Гурьевска Рабочая программа учебного предмета астрономия_ в 11 классе (профильный уровень) (наименование предмета) Составила Матвеева В. В., учитель физики и астрономии Гурьевск 2015 г. Пояснительная записка Астрономия как наука о наиболее общих законах природы, выступая в качестве учебного предмета в школе, вносит существенный вклад в систему знаний об окружающем мире. Для решения задач формирования основ научного...»

«Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Тамбовский государственный университет имени Г.Р.Державина» «Утверждено» Решением Ученого совета ФГБОУ ВПО «Тамбовский государственный университет имени Г.Р.Державина» от 24 февраля 2015 г. протокол № 44 Ректор В.М.Юрьев ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ ПО НАПРАВЛЕНИЮ ПОДГОТОВКИ НАУЧНО-ПЕДАГОГИЧЕСКИХ КАДРОВ В АСПИРАНТУРЕ 03.06.01 «ФИЗИКА...»

«ПРАВИТЕЛЬСТВО САНКТ-ПЕТЕРБУРГА КОМИТЕТ ПО НАУКЕ И ВЫСШЕЙ ШКОЛЕ РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ГЛАВНАЯ (ПУЛКОВСКАЯ) АСТРОНОМИЧЕСКАЯ ОБСЕРВАТОРИЯ СОЛНЕЧНАЯ И СОЛНЕЧНО-ЗЕМНАЯ ФИЗИКА — 2014 XVIII ВСЕРОССИЙСКАЯ ЕЖЕГОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ С МЕЖДУНАРОДНЫМ УЧАСТИЕМ 20 – 24 октября 2014 года Санкт-Петербург Сборник содержит тезисы докладов, представленных на XVIII Всероссийскую ежегодную конференцию с международным участием Солнечная и солнечно-земная физика — 2014 (20 – 24 октября 2014 года, ГАО РАН,...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО НАУЧНЫХ ОРГАНИЗАЦИЙ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук» (ИАПУ ДВО РАН) «СОГЛАСОВАНО» «УТВЕРЖДАЮ» Руководитель направления Заместитель директора по научноподготовки аспирантов 03.06.01 образовательной и инновационной «Физика и астрономия», д.ф.-м.н. деятельности, д.ф.-м.н. _ Н.Г. Галкин _ Н.Г. Галкин « » сентября 2015 г. « » сентября 2015...»

«РОСЖЕЛДОР Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Ростовский государственный университет путей сообщения (ФГБОУ ВПО РГУПС) РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ Б1.В.ОД.6 ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ НАПРАВЛЕНИЕ ПОДГОТОВКИ 03.06.01 «Физика и астрономия» Ростов-на-Дону 2014 г. Цели и задачи дисциплины Целью дисциплины «Физика конденсированного состояния» является формирование у аспирантов углубленных профессиональных знаний в области...»



 
2016 www.programma.x-pdf.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Учебные, рабочие программы»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.