WWW.PROGRAMMA.X-PDF.RU
БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА - Учебные и рабочие программы
 


Pages:     | 1 |   ...   | 2 | 3 || 5 | 6 |   ...   | 8 |

«ФизикА.СПб Тезисы докладов 26 — 27 октября 2011 года Санкт-Петербург Организатор Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Спонсоры Российская академия наук Администрация ...»

-- [ Страница 4 ] --

В) Рассчитана оптимальная структура активной области лазера (число слоёв и длина резонатора), реализующая спектры генерации с заранее заданной шириной и спектральной плотностью при накачке минимальной мощности и достаточно высоких температурах (близких к комнатной), что чрезвычайно важно с практической точки зрения;

Г) Получено аналитическое выражение для сдвига между максимумами функции распределения КТ по энергии и спектра генерации лазера;

Д) Подробно изучена перспектива использования многослойной структуры, состоящей из сдвинутых друг относительно друга по энергии слоёв КТ, в качестве активной области лазера на КТ для получения спектров генерации наибольшей ширины.



Литература

1. A. E. Zhukov, Dental Sciences, 58 (12), (2006).

2. A. E. Zhukov det al.Long-Wavelength Quantum Dot Lasers, seria Frontiers in Quantum Dots Research, Nova Science Publishers, Hauppauge N. Y. (2006).

3. А. Е. Жуков и др. ФТП, 41, (2007).

4. А. В. Савельев и др. Физика и Техника Полупроводников, 43 (12), (2009).

5. А. В. Савельев и др. Физика и Техника Полупроводников, 45 (2), (2011).

Полупроводниковые лазеры и фотоприемники Ультрафиолетовые фотодетекторы на основе контактов металл - твердые растворы AlGaN И. А. Ламкин, С. А. Тарасов, А. Н. Пихтин Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 234-31-64, эл. почта: IALamkin@mail.ru На основе контактов металл— твердые растворы AlGaN можно создать дешевые фоточувствительные структуры. Создание ультрафиолетовых фотоприемников особенно актуально для астрономии, астронавигации, в военных целях, кроме того, они находят применения во многих областях науки, таких как, экология, медицина, биотехнологии. Сравнительно дешевая технология производства таких фотоэлементов позволяет создать карманный детектор ультрафиолетового излучения, в том числе "видимо- или солнечнослепой". Также барьеры Шоттки обладаю повышенной чувствительностью, так как излучению не требуется проникать вглубь полупроводника и высоким быстродействием из-за малой электрической емкости. Кроме того, полупроводниковые фотодетекторы имеют малый вес и небольшие габариты, а также существенно надежнее вакуумных фотоэлементов.

Структура фотоприемника состоит из слоя сапфира, на который методом химического осаждения из газовой фазы наносится твердый раствор AlGaN толщиной 1 мкм. На поверхности подложки методом термического вакуумного напыления создаются омический и выпрямляющий контакты. Омические контакты создаются по оптимизированной технологии — структура контакта Ti/Al с последующим отжигом [1]. Толщина выпрямляющего контакта не превышает 15 нм для соблюдения эффекта полупрозрачности. При исследовании спектральных характеристик свет от дейтериевой лампы, проходя через монохроматор, засвечивал выпрямляющий контакт, диаметром 1,5 мм. Изучение спектра чувствительности фотоприемников проводилось от 200 нм.

В работе проведено исследование влияние мольной доли Al в твердом растворе AlGaN на спектральные характеристики фотоприемников. Твердый раствор AlN-GaN образует ряд прямозонных твердых растворов с шириной запрещенной зоны в диапазоне от 3,32 до 4,91 эВ. Варьирование концентрации Al позволяет создавать фотодетекторы с резкой длинноволновой границей фоточувствительности в заданной области. Показано, что использование твердого раствора с мольной долей Al 0,08 позволяет создать ультрафиолетовый "видимослепой" фотоприемник, который не чувствителен к излучению длинной волны больше чем

Полупроводниковые лазеры и фотоприемники

360 нм. Увеличение мольной доли Al до 0,52 позволило реализовать "солнечнослепой" фотоэлемент с длинноволновой границей чувствительности 290 нм. На величину фотоотклика важное влияние оказывает граница раздела металл - полупроводник. Наличие промежуточного слоя оксида существенно снижает характеристики структуры. Исследование технологии предварительной очистки позволило увеличить фоточувствительность. Также, немало важное значение имеет температурные режимы напыления и отжиг сформированной структуры. Установлено, что при напылении металла, подложку необходимо подогреть до 300 °С. Проведенные исследования показывают возможность использования барьеров Шоттки к AlGaN в качестве, как фотодиодов, так и в качестве МДП транзистора, где затвор будет являться фоточувствительной областью, т. е. простейшим датчиком ультрафиолетового излучения заданного диапазона спектральной чувствительности.





Литература

1. И. А. Ламкин, С. А Тарасов, А. О. Феоктистов, Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 5, (2011).

Полупроводниковые лазеры в средней ИК-области спектра (2-2.4 мкм) на модах шепчущей галереи В. В. Шерстнев1, M. И.Ларченков1, А. М. Монахов1, Е. А. Гребенщикова1, А. Н. Баранов2, Ю. П. Яковлев1 ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия.

Institut d'Electronique du Sud (IES), Universite Montpellier 2, 34095 Montpellier, France тел: (812) 292-79-56, факс: (812)297-00-06, эл. почта: vic2sherstnev@gmail.com Моды шепчущей галереи (WGM) являются универсальными линейными возбуждениями дисковых и кольцевых резонаторов. Впервые они наблюдались в 1910 году как звуковые волны, распространяющейся вдоль наружной стены галереи для посетителей, в круглом зале собора Св. Павла в Лондоне и были исследованы лордом Релеем [1]. Придуманное для этого акустического явления название "моды шепчущей галереи" - whispering gallery modes (WGM) было использовано для обозначения собственных мод дисковых резонаторов. Мы использовали это явление для создания нового типа WGM-лазера в средней ИК-области спектра [2, 3].

Интерес к дисковым лазерам обусловлен тем, что добротность их резонатора может достигать величины 10, что существенно превышает добротность Фабри-Перро лазеров (3*10 ) и должно позволить получить лазерную генерацию при существенно более низких пороговых токах и более высоких температурах.

Полупроводниковые лазеры и фотоприемники Нами были созданы и исследованы дисковые лазеры на основе квантоворазмерной гетероструктуры, содержащей две квантовые ямы GaInAsSb/AlGaAsSb шириной 100 для спектрального диапазона 2,0-2,4 мкм, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре.

В докладе рассмотрены электролюминесцентные свойства WGM-лазера как с целым (диск) так и с усеченными резонаторами (полдиска и четверть диска).

Кроме того, будут представлены результаты исследования перестраиваемого по частоте WGM-лазера с управляемым поглотителем. Для этой цели верхний контакт дискового лазера состоял из двух секторов, при этом сектора были отделены зазором шириной 10 мкм (рис.2). Одна часть контакта дискового лазера находилась под напряжением выше порога генерации, а вторая часть контакта ниже порога генерации, которая изменялась от 0 до 1 В. При этом наблюдалась сверхбольшая перестройка по частоте лазера от 2.24 мкм до 2.275 мкм. В докладе рассмотрен механизм такой уникальной перестройки. Такой диапазон перестройки дискового лазера соизмерим с полушириной спектра спонтанного излучения и перспективен для применения WGM-лазеров в диодно-лазерных спектрометрах.

Работа частично поддержана программой Президиума РАН №27 «Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов», грантами РФФИ 10-02-93110-НЦНИЛ_а, 10-02-00548, а также государственным контрактом № 02.740.11.0445.

Литература.

1. Lord Rayleigh, Phyl. Mag. 20, 1001, 1910.

2. Sherstnev V.V., Krier A., Monakhov A.M. Hill G. Electron. Lett. 39 (12), (2003).

3. Monakhov A.M. et al. Appl. Phys. Lett, 94, (2009).

–  –  –

Интерференционная фокусировка полупроводниковых лазеров для биомедицинских применений С. Н. Лосев2, В. В. Дюделев2, А. Г. Дерягин2, Ю. Г Ким1,В. И. Кучинский2, В. Сиббет3, Э. У. Рафаилов4, Г. С. Соколовский2 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, Россия ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия Тел: (812) 292-79-14, факс: (812) 297-10-17, эл. почта: serano@ya.ru University of St Andrews, North Haugh, St Andrews, KY16 9SS, UK University of Dundee, Nethergate, Dundee, DD1 4HN, UK Оптический захват и манипулирование живыми клетками и их органеллами при помощи так называемых «оптических пинцетов» является одним из важнейших направлений применения лазеров в биологии и биомедицине. В качестве источника излучения при оптическом захвате применяются газовые и твердотельные лазеры, что делает оптические пинцеты громоздкими и дорогостоящими приборами.

Принципиальным барьером на пути внедрения дешёвых и компактных полупроводниковых источников излучения в данную область является трудность фокусировки мощных полупроводниковых лазеров вследствие многомодового характера их излучения и генерации в каналах (шпотования). Мерой качества многомодового (квази-Гауссова) светового пучка принимается параметр М, определяющий увеличение достижимого размера фокусного пятна по сравнению с его размером для идеального Гауссового луча. Для широкополосковых лазеров М составляет 20-50, а для светодиодов превышает 200, что соответствует теоретическому пределу размера фокусного пятна, на один-два порядка превышающему дифракционный предел.

Для преодоления этого ограничения, нами предложена фокусировка многомодового излучения за счет использования интерференции, а не преломления света на поверхности фокусирующей оптики, применяемого для традиционной фокусировки. Ранее нами была продемонстрирована генерация пространственноинвариантных (Бесселевых) пучков, являющихся продуктом интерференции конически сходящихся лучей [1, 2], при помощи мощных полупроводниковых лазеров и светодиодов [3]. В настоящей работе экспериментально продемонстрировано фокусное пятно размером 4 мкм для полупроводникового лазера с шириной полоска 100 мкм (=1.06 мкм, М2=22), что более чем в 2 раза меньше теоретического предела при фокусировке такого пучка идеальной оптической системой с единичной числовой апертурой. Нами также продемонстрирована фокусировка луча светодиода (0.6 мкм, М2200) в Бесселев пучок с диаметром центрального луча 6 мкм, что почти на порядок меньше теоретического предела, составляющего Полупроводниковые лазеры и фотоприемники около 40 мкм. В докладе обсуждаются параметры, определяющие мощность в центральном луче и предельную длину распространения Бесселевых пучков, полученных из многомодового излучения с высоким параметром М. Также в работе представлены результаты по генерации бесселевых пучков от вертикально-излучающих лазеров с внешним резонатором, применение которых позволило получить рекордные мощности, заключённые в бесселевом пучке, сгенерированного от полупроводникового лазера. Работа выполнена при поддержке гранта Президента.

Литература

1. J. Durnin, J. Opt. Soc. Am., A4, 651 (1987).

2. Б.Я.Зельдович, Т.А.Пилипецкий, Изв. ВУЗов. Радиофизика, 9(1), 95 (1966).

3. Г.С.Соколовский и др., Письма в ЖТФ, 36(1), 22 (2010).

Исследование влияния токового воздействия на оптические свойства наногететоструктур на основе твердых растворов ALGaN и GaInN Е. А. Менькович, С. А. Тарасов, А. Н. Пихтин Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, Россия тел: +7 (812) 234-40-63, эл. почта: fel@eltech.ru тел: +7-921-657-59-95, эл. почта: ankat.kate@gmail.com Развитие технологии выращивания гетроструктур на основе твердых растворов нитридов AlGaN и GaInN позволило в последние годы создавать высокоэффективные полупроводниковые излучатели работающие в синей и ультрафиолетовой области спектра. Эти материалы являются базисом для создания коротковолновых лазеров, применяемых в Blu-Ray приводах, а также синих и зеленых светодиодах. Особенно важно их применение для создания белых СИД и энергосберегающих осветительных светодиодных ламп.

Некоторые физические процессы, протекающие в широкозонных наногетероструктурах во время эксплуатации, являются нежелательными, поскольку ухудшают их рабочие характеристики, а в некоторых случаях приводят к полной поломке прибора на их основе. Такие процессы до конца не исследованы, являются лимитирующими с экономической точки зрения, не позволяя светодиодному освещению полностью вытеснить менее экономичные источники освещения. Особенно ярко подобные явления проявляются при изменении токового воздействия,

Полупроводниковые лазеры и фотоприемники

вызывая изменение рабочей длины волны, перегрев и ускоренную деградацию приборов.

Представленная работа посвящена исследованию оптических свойств светодиодных наногететоструктур на основе твердых растворов AlGaN и GaInN. Эксперименты проводились в широком диапазоне воздействующих токов от 1 мкА до 100 мА. Основное внимание уделяется анализу спектральных характеристик СИД, полученных с использованием установки на основе спектрометра быстрого сканирования USB4000 и эталонной лампы LS 1 фирмы Ocean Optics. Для ускорения процесса исследования на основе среды программирования LabView была разработана и отлажена программа автоматизации исследования оптических характеристик наноструктур, которая позволяет при минимальном участии оператора измерять относительные и абсолютные спектры СИД, а также обрабатывать их для последующего анализа. Все возможности программы в целом позволяют минимизировать время обработки и снизить влияние человеческого фактора (т.е. субъективную погрешность) в процессе проведения эксперимента. Максимально повысить точность измерений стало возможным благодаря реализации установки измерения абсолютных значений мощности излучения СИД в соответствии с международным стандартом CIE 127:2007 и ГОСТ 17616-82.

Анализ экспериментальных данных показал, что для ряда структур наблюдается необычное смещение характеристик электролюминесценции при изменении токового воздействия. При увеличении тока сдвиг происходит не в длинноволновую сторону, как это обычно происходит вследствие уменьшения ширины запрещенной зоны, а в сторону меньших длин волн. Это можно объяснить большим влиянием при относительно малых токах распределения носителей заряда по уровням размерного квантования, которое следует рассматривать с учетом наличия хвостов плотностей состояния.

Особенно сильный сдвиг доминирующей длины волны в коротковолновую сторону (до 10 нм) наблюдался у некоторых образцов, измеренных при очень малых токах. В этом случае этот эффект может быть объяснен влиянием упругих напряжений и пьезополей, возникающих на гетерограницах в наноструктуре вследствие сильного различия параметров решетки. Их наличие приводит к значительному увеличению эффективной ширины запрещенной зоны. Увеличение приложенного напряжения к наногетероструктуре компенсирует влияние пьезополей, поэтому при повышении токового воздействия сдвиг характеристик уменьшался.

Полученные результаты при их внедрении на предприятиях светодиодной промышленности может позволить значительно улучшить параметры белых свеПолупроводниковые лазеры и фотоприемники тодиодов и разработать экономичные источники освещения нового поколения.

Учет рассмотренных эффектов даст возможность снизить явления самонагрева и связанной с ними деградации, увеличить срок службы осветительного прибора и снизить эксплуатационные затраты.

Интегральнооптический модулятор мощного лазерного излучения А. А. Подоскин, С. О. Слипченко, А. В. Рожков, А. Ю. Лешко, Д. А. Винокуров, А. Л. Станкевич, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов.

ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 292-73-79), эл. почта: podoskin_s_s@mail.ru В настоящее время одним из актуальных направлений в разработке мощных полупроводниковых лазеров является создание высокочастотных импульсных источников излучения. В современных мощных полупроводниковых лазерах используются оптически высокосовершенные гетероструктуры, внутренние оптические потери в которых составляют величину менее 1см при внутреннем квантовом выходе близком к 100% [1, 2], что позволяет достигать сверхвысоких уровней токовой накачки и большой оптической мощности как в непрерывном, так и в импульсном режимах [1, 3, 4, 5]. Мы показали, что такое совершенство наногетероструктур в случае лазеров полосковой конструкции может приводить к возникновению замкнутой моды (ЗМ) [4, 5, 6, 7, 8], захватывающей весь лазерный кристалл и приводящей к срыву генерации моды Фабри-Перо резонатора (ФПМ).

В работе впервые продемонстрирована возможность использования эффекта переключения генерации между ФПМ и ЗМ для создания высокочастотного оптического модулятора мощного лазерного излучения.

На основе анализа причин возникновения ЗМ и механизма переключения мод ФПМ и ЗМ [9, 10] предложено два способа реализации высокочастотной модуляции мощного оптического излучения. В основе – лежит управляемое изменение баланса модальных усиления и потерь для ФПМ и ЗМ. Модулятор представляет собой интегральнооптический прибор, включающий секции управления и усиления. Первый способ модуляции подразумевает понижение модальных потерь ЗМ за счет прямой токовой подкачки секции управления, что приводит к переключению генерации с ФПМ на ЗМ. Второй способ модуляции заключается в увеличении модальных потерь ЗМ и переключению генерации с ЗМ на ФПМ. Это

Полупроводниковые лазеры и фотоприемники

происходит за счет Штарковского сдвига края спектра поглощения квантовой ямы в секции управления под воздействием внешнего электрического поля.

В рамках работы экспериментально продемонстрированы возможности переключения между ФПМ и ЗМ в интегральнооптическом модуляторе лазерного излучения способами прямой токовой подкачки и обратного смещения секции управления. Показана высокая эффективность управления мощным оптическим излучением (до 30Вт/А). Проанализировано влияние конструкции лазерной гетероструктуры и лазерного кристалла на режимы переключения между ФПМ и ЗМ.

Достигнуты характерные времена переключения между ФПМ и ЗМ ~500пс при уровне оптической мощности до 10Вт.

Литература

1. С. О. Слипченко и др., ФТП, 38, 1477 (2004).

2. G. Erbert et al., IEEE Journal of selected topics in quantum electronics, vol.11, 1217 (2005).

3. P. Crump et al., Proc. of SPIE, vol. 7198, 719814 (2009).

4. X. Wang et al, Proc. of SPIE, vol. 7198, 71981G (2009).

5. С. О. Слипченко и др., ФТП, 40, 1017 (2006).

6. H. Wenze et al., IEEE J. Quantum Electron, vol. 41, 645, (2009).

7. С. О. Слипченко и др., ФТП, 43, 1409 (2009).

8. А. Ю. Лешко и др., ФТП, 36, 1393 (2002).

9. С. О. Слипченко и др., ФТП, 45, 672 (2011).

10. С. О. Слипченко и др., ФТП, 45, 682 (2011).

Фотодиоды для спектрального диапазона 2.5 – 4.8 мкм, работающие при комнатной температуре В. В. Шерстнёв, Д. А. Старостенко, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Ю. П. Яковлев ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия Тел.: (812) 292-79-29, Факс: (812) 247-00-06, эл. почта: yak@iropt1.ioffe.ru Инфракрасные (ИК) фотодиоды, работающие в спектральном диапазоне 2мкм, являются ключевым компонентом газоанализаторов при обнаружении углекислого (СО2) и “угарного” (СО) газов на длинах волн 4.27 мкм и 4.7 мкм, соответственно.

Твёрдые растворы InAsSb, перспективные для создания фотодиодов в данном спектральном диапазоне, могут выращиваться на подложках GaSb или InAs. Гетерофотодиод со структурой InAs1-xSbx/GaSb (0.10х0.14) был создан нами

Полупроводниковые лазеры и фотоприемники

ранее. При освещении через подложку InAs0.86Sb0.14/GaSb фотодиоды продемонстрировали диапазон спектральной чувствительности 1.7-4.2 мкм.

В данной работе мы сообщаем результаты исследований, направленных на создание высокоэффективных фотодиодов, работающих при комнатной температуре в среднем ИК диапазоне 2.5-4.8 мкм. Гетероструктуры с активным слоем InAs0.88Sb0.12, выращивались методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) на подложках InAs. Для обеспечения пониженной деформации, вызванной несоответствием параметров решётки подложки и активного слоя, нами был введён буферный слой из твёрдого раствора InAs 0.94 Sb0.06. В качестве широкозонного “окна” использовался твёрдый раствор InAsSbP. Разработаны фотодиоды на основе гетероструктур InAs/InAs0.94Sb0.06/InAs0.88Sb0.12/InAsSbP c диаметрами фоточувствительной площадки 0,3 мм.

Отличительной особенностью фотодиодов является высокая токовая монохроматическая чувствительность в максимуме спектра (max=2.0-4.8 мкм) достигающая значений 0.5-0.8 А/Вт, значение плотности обратных темновых токов (1.0А/см, при напряжении обратного смещения 0.1-0.2 В. Дифференциальное сопротивление в нуле смещения достигает величины 20-100 Ом. По нашим оценкам, обнаружительная способность фотодиодов в максимуме спектральной 8 -1 1/2 чувствительности достигает величины (1-2)10 смВт Гц.

Работа частично поддержана программой Президиума РАН №27 «Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов», грантами РФФИ 10-02-93110-НЦНИЛ_а, 10-02-00548-а, 11-08-01031, 11-07-00691, 11-03а также государственным контрактом № 02.740.11.0445.

Омические контакты к эпитаксиальным слоям AlGaN:Si с различным содержанием Al М. В. Толстой1, И. А. Ламкин2, В. Н. Жмерик1, С. А. Тарасов2, А. В. Афанасьев2 ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия тел: (921) 633-69-30, эл. почта: tolstoymv@gmail.com Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 234-31-64, эл. почта: IALamkin@mail.ru В последнее десятилетие активно разрабатываются светоизлучающие и фотоприемные приборы на основе широкозонных нитридных соединений

–  –  –

третьей группы AlGaN с рабочими длинами волн вплоть до глубокого ультрафиолетового (УФ) диапазона (200 нм и менее), что необходимо для проведения уникальных физических химических, медико-биологических исследований и развития новых технологий. Эти приборы существенно превосходят традиционные вакуммные приборы по рабочим напряжениям, размерам и возможностям регулировки спектрального диапазона. Однако в технологии приборных структур на основе соединений AlGaN имеются не до конца решенные проблемы и получение низкоомных омических контактов к слоям n-AlxGa1-xN с высоким содержаниям Al (x 0.4) является одной из них.

В работе исследовалось влияние высокотемпературного отжига на вольтамперные характеристики (ВАХ) многослойных металлических контактов к эпитаксиальным слоям AlхGa1-xN:Si с х=0-0.6. Слои с толщиной ~1 микрон выращивались методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на подложках с-Al2O3 в металл-обогащенных условиях. Для легирования слоев использовался твердотельный эффузионный источник кремния. Ввведение на начальных стадиях роста трехстадийного буферного слоя AlN и короткопериодной сверхрешетки AlN/AlGaN позволило получить удовлетворительное структурное качество слоев, имевших плотность прорастающих дислокаций 10 -10 см и полузолирующие свойства при отсутствии легирования.

В легированных слоях холловские измерения обнаружили концентрацию электронов 810 см. Два типа контактов Ti/Al(50/50 нм) и Ti/Al/Ti/Au (20/120/50/120нм) напылялись методами резистивного и электронно-лучевого напыления, соответственно, а затем с помощью фотолитографии формировались контактные площадки с размером 400 мкм400 мкм и различным межэлектродным расстоянием (5-100 мкм) для измерений ВАХ. Отжиг контактов в температурном диапазоне (500-800°С) проводился с помощью либо резистивного нагрева, либо быстрого высокотемпературного отжига (RTA). Образцы отжигались как в вакууме, так и в атмосфере водорода.

При измерениях ВАХ образцов была обнаружена их сильная зависимость от содержания Al в слоях AlxGa1-xN:Si. Образцы со слоями с низким содержанием Al (x=0-0.1) демонстрировали для всех типов контактов омическое сопротивление (линейную ВАХ) без какого-либо отжига. Однако, для образцов с более высоким содержанием Al (x=0.4) в слоях наблюдалась нелинейность ВАХ, которая исчезала лишь после отжига в вакууме при температуре 750°С в течение 10 минут. Еще большая нелинейность ВАХ с напряжением отсечки ~5 В и относительно высокие значения диференциального сопротивления при больших напряжениях были обнаружены для слоев с высоким содержанием Al (x=0.6) и обоими типами контактов. Эти отрицательные эффекты могли быть уменьшены в случае многослойного

Полупроводниковые лазеры и фотоприемники

контакта Ti/Al/Ti/Au путем его отжига при температуре ~700°C в вакууме как с помощью резистивного нагрева, так и методом RTA в течение 10 мин и 30 c, соответствено. После этих операций наблюдалось уменьшение напряжения отсечки до 2-3В и заметное (примерно на порядок) снижение дифференциального сопротивления. Таким образом, были получены контакты к слоям Al0.6Ga0.4N:Si с напряжением отсечки 3 В и прямым напряжением ~10 В при токе ~200 мА, что примерно соответствует значениям дифференциальных сопротивлений в светодиодных структурах УФ-диапазона.

Снижение контактного сопротивления после отжига объясняется, во-первых, снижением потенциального барьера для электронов из-за образования в приконтактных областях нитрида титана с меньшей работой выхода чем у металлического титана и, кроме того, это может быть связано с сужением данного потенциального барьера из-за увеличения проводимости полупроводника вблизи контакта вследствие ускорения таких диффузионных процессов в этой области как экстракция азота из полупроводника, образование металлических микрошунтов и др.

ПОВЕРХНОСТЬ

Исследование механических свойств GaAs нанопроводов методами атомно-силовой микроскопии П. А. Алексеев1, 2, M. Lepsa3, А. Н. Титков1 ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия эл. почта: npoxep@gmail.com Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, Россия Institute of Bio- and Nanosystems, Forschungszentrum Jlich 52428 Jlich, Germany Полупроводниковые нанопровода являются перспективным материалом для создания полупроводниковых приборных структур с улучшенными характеристиками, таких как приборы опто- и наноэлектроники[1], газовые и био- сенсоры[2].

Помимо определения электрофизических свойств нанопроводов, существует проблема определения механических параметров данных объектов. Известно несколько подходов по определению механических свойств нанопроводов: возбуждение колебаний нанопроводов на резонансной частоте[3], переменным электрическим полем и квазистатическое сгибание нанопроводов методами атомносиловой микроскопии[4].

В данной работе исследовались механические свойства GaAs нанопроводов методами атомно-силовой микроскопии. Использовался атомно-силовой микроскоп Ntegra Aura производства компании NT-MDT (г.Зеленоград) и кремниевые зонды NSG 11 (NT-MDT). Нанопровода были выращены на (111) GaAs подложке VLS методом в MBE системе. В качестве катализатора использовались капли Ga.

Исследовались наклонные нанопровода выращенные под углом 19° к подложке.

Зонд атомно-силового микроскопа приводился в контакт с незакреплённым концом нанопровода и измерялись нагрузочно-разгрузочные кривые. Факт того что

Поверхность

балка зонда располагалась параллельно исследуемому нанопроводу, приводил к отсутствию эффекта плуга и гистерезиса на нагрузочно-разгрузочных кривых. Это позволило более точно определить жёсткость исследуемого нанопровода.

Жёсткость нанопровода определялась по формуле:

kcant - жёсткость зонда, ssub - наклон нагрузочноk NW k cant /(s sub /s NW - 1). Где разгрузочной кривой записанной на подложке, sNW - наклон нагрузочноразгручной кривой записанной на нанопроводе. Используя найденное значение жёсткости нанопровода, вычислялся модуль Юнга по формуле:

64L3, E k NW где L длина нанопровода, d диаметр нанопровода.

3d 4 Был определён модуль Юнга для GaAs нанопроводов различных диаметров и различного типа легирования. Для нанопроводов диаметром 130 нм и 160 нм полученный модуль Юнга составил (4,52±1,82)*10 Па и (12,8±2,18)* Па соответственно. Эти значения являются сопоставимыми с модулем Юнга объёмного GaAs величина которого составляет 8,59*1010 Па.Также был определен предел прочности для нанопровода диаметром 150 нм и он составил 1,82*10 Па.

Работа поддержана грантом Президента РФ «Ведущие научные школы» НШЛитература

1. Y.Li et al, Nanoletters 6, 1468 (2006).

2. C.M.Lieber et al, Nature Biotechnology 23, 1294 (2005).

3. C.Y. Nam et al,Nanoletters 6, 153 (2006).

4. S. Barth et al, Nanotechnology 20, 115705.

–  –  –

Санкт-Петербургский академический университет, Санкт-Петербург, Россия тел: (952) 205-95-25, эл. почта: airg12@mail.ru Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 234-63-81, эл. почта: AVOsetrov@inbox.ru В настоящее время беспроводные системы связи (спутниковая, навигационная, сотовая и др.) быстро развиваются и осваивают частотный диапазон

–  –  –

до 5-6 ГГц. Большая часть задач по формированию и обработке сигналов в диапазоне частот до 2–3 ГГц успешно решаются с помощью акустоэлектронных компонентов на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Дальнейшее повышение рабочих частот резко ограничивается технологическими возможностями: устройства с воспроизводимыми характеристиками изготавливаются на пределе возможностей оптической фотолитографии [1].

Центральная частота фильтра определяется выражением f = V/, где V и – соответственно фазовая скорость распространения поверхностной акустической волны и длина волны ПАВ, задаваемая периодом электродов d. Задачу увеличения частоты обработки сигнала можно решить использованием новых материалов с высокой скоростью ПАВ, что позволяет подняться в область высоких частот, без увеличения разрешения литографии.

Перспективными материалами для применения в функциональной электронике являются алмаз и сапфир. В отличие от традиционных материалов, применяемых в акустоэлектронике (кварц, ниобат и танталат лития, LGS и т.д.) и имеющих скорость распространения ПАВ в диапазоне от 2000 до 4000 м/с, скорость ПАВ равна 11000 м/с для алмаза и 5550 м/с для сапфира [1, 2].

Монокристаллический алмаз, как и сапфир, не является пьзоэлектриком, поэтому для возбуждения ПАВ используем нанесенные на поверхность данных материалов пьезоэлектрические пленки алмазоподобных полупроводников: оксида цинка и нитрида алюминия, с последующим формированием ВШП.

Методом переходных матриц [3] рассчитана скорость ПАВ и коэффициент электромеханической связи (КЭМС) для четырех возможных конфигураций электродов.

Проведенный анализ позволил определить толщины пленок оксида цинка на алмазе и нитрида алюминия на сапфире, обеспечивающие высокую скорость и необходимую величину коэффициента электромеханической связи.

Изготовлены резонаторы и линии задержки на подложках ZnO/алмаз и AlN/сапфир. Определены основные параметры ПАВ в данных слоистых структурах, полученные результаты согласуются с выполненными ранее расчетами. Скорость ПАВ в структуре ZnO/алмаз достигает 7000м/с, а в структуре AlN/сапфир 5600м/с.

Развитие технологии нанесения тонких пленок позволяет начать использование новых для традиционной акустоэлектроники материалов. Слоистые структуры позволяют путем варьирования толщиной пленки управлять основными параметПоверхность рами ПАВ, обладают стабильностью и стойкостью, вдобавок стоимость таких подложек сравнима (ZnO/алмаз) и даже ниже (AlN/сапфир), чем стоимость обычных для акустоэлектроники материалов. Применение данных структур позволяет шагнуть в СВЧ диапазон без увеличения разрешения литографии и применять полученные приборы в системах сотовой связи и спутниковой навигации.

Литература

1. В. Новиков, Электроника: Наука, Технология, Бизнес. Спецвыпуск, (2008).

2. D.Morgan, “Surface Acoustic Wave Filters”, Elsevier, 2007.

3. E.L. Adler, “SAW and Pseudo-SAW properties using matrix methods”, IEEE transactions on ultrasonics, ferroelectrics, and frequency control, 41(6), 876, (1994).

Атомно-силовая микроскопия монокристаллических и поликристаллических сегнетоэлектрических пленок Е. В. Гущина, А. В. Анкудинов, Л. А. Делимова, В. С. Юферев, И. В. Грехов.

ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 292-73-17, эл. почта: katgushch@yandex.ru Сегнетоэлектрические (СЭ) пленки представляют интерес для использования в энергонезависимой ячейке памяти нанометровых размеров. Записанная информация в ней хранится в виде остаточной поляризации. Надежность работы такой ячейки зависит от транспортных свойств носителей заряда в пленке. В этом случае механизмы проводимости СЭ пленок удобно изучать методами атомносиловой микроскопии (АСМ) с проводящим зондом [1-3]. Так, в работе [1] показано, что за транспорт носителей заряда в 30-нм пленке Pb(Zr0.2Ti0.8)O3 (PZT) ответственен туннельный электрорезистивный эффект. В работе [2] обнаружено, что в поликристаллической Pb(Zr,Ti)O3 пленке проводимость по границам гранул выше, чем внутри самих гранул. А токи утечки в монокристаллической пленке PbZr0.07Ti0.93O3 объяснялись проникновением дефектов из подложки или наличием вторичных фаз в пленке [3]. В нашей работе с помощью сканирующей зондовой лаборатории Интегра Аура (производство НТМДТ, Москва) продолжены АСМ исследования возможных механизмов проводимости Pb(Zr,Ti)O3 пленок по составу близких к морфотропной границе.

С помощью микроскопии сопротивления растекания были проведены исследования монокристаллических и поликристаллических сегнетоэлектрических пленок различных по составу, по толщине, типу подложки и методу осаждения. Обнаружено, что на всех образцах поляризованная область является более прово

<

Поверхность

дящей по сравнению с окружающими областями. Кроме того, в поликристалллической пленке проводимость по границам зерен выше, чем проводимость самих зерен, что согласуется с результатами работы [2]. Последний факт можно объяснить наличием сверхтонкой прослойки полупроводниковой фазы PbO на границах зерен, которые образуют проводящие каналы между электродами [4].

Так же проводились исследования на одиночной грануле поликристаллической пленки. Измеренные вольт-амперные характеристики (ВАХ) показали, что после поляризации зерна отрицательным напряжением проводимость возрастает, а после приложения положительного напряжения убывает. Это свидетельствует о том, что величина тока зависит от направления поляризации. “тот эффект наблюдался также и в форвакуумных условиях (~10 мбар), что исключает возможный вклад поверхностной воды в механизм проводимости. Так же показано, что отклик тока поликристаллической пленки PbZr0.45Ti0.55O3 на прикладываемое смещение демонстрирует длинную релаксацию тока порядка десятков секунд. Для монокристаллических пленок продолжительность этого процесса достигала сотен секунд. Эти значения на два-три порядка больше времени перезарядки, связанной с переключением сегнетоэлектрического домена. Измеренные с помощью АСМ длинные времена релаксации тока и характер локальных ВАХ хорошо согласуются со стандартными измерениями проводимости через Pt электроды диаметром 330нм и толщиной 100нм, осажденные на эту же PbZr0.45Ti0.55O3 пленку [5]. Так как наблюдаемый ток имеет черты емкостного тока, полученные результаты можно объяснить медленной перезарядкой глубоких уровней, локализованных на границах PZT зерен, и участвующих в экранировании поляризационного заряда [5]. Существует также интересный механизм релаксации, связанный с формой домена поляризации. Недавние исследования формы такого домена в релаксорах показали, что доменная стенка может идти под некоторым углом к поверхности пленки [6]. Такие доменные стенки оказываются подвижными и могут приводить к наблюдаемой в АСМ длинной токовой релаксации.

Работа поддержана грантом Президента РФ «Ведущие научные школы» НШи РФФИ № 10-02-00562.

Литература

1. P. Maksymovich et.al. Science, 324, p. 1421 (2009).

2. H. Fujisawa et.al. Appl.Phys.Lett 71 (3), p.416-418 (1997).

3. N. Izyumskaya et.al. Appl.Phys.Lett., 91, 182906 (2007).

4. J. K. Lee et.al. Journal of Semiconductor Technology and Science, 2 (3), (2002).

5. L. A. Delimova et.al. MRS Proceedings, 1292, mrsf10-1292-k03-31(2011).

6. A. Kholkin et.al. Adv.Funct.Mater., 21, (2011).

Поверхность Исследование наноструктуры и механических свойств ультратонких пленок полимерных композитов И. А. Няпшаев, А. В. Анкудинов1, 2, А. П. Возняковский3 ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия Санкт-Петербургский государственный университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ФГУП НИИСК им. Лебедева, Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 292-73-17, эл. почта: xokage@mail.ru Полиблочные полисилоксановые сополимеры вызывают интерес как материал для формирования тонких и ультратонких пленок. Наиболее важной областью практического применения пленок является создание протекторных покрытий. Весьма перспективным представляется также и использование блоксополимеров в области мембранной технологии [1, 2]. В обоих случаях применения необходимо точно знать механические характеристики используемых полимерных пленок. Такие данные также весьма важны для более детального представления о взаимосвязи структура – свойства блок-сополимеров. Прочностные параметры толстых пленок сополимера могут быть легко измерены стандартными физико-механическими методами. В случае ультратонких пленок, толщиной микроны и менее, применение стандартных методик может приводить к неприемлемой погрешности (если принципиально окажется возможным). Удобный вариант для исследования структуры и механических свойств таких покрытий представляет сканирующая зондовая микроскопия (СЗМ).

В данной работе методами СЗМ были исследованы образцы ультратонких пленок полисилоксановых блок-сополимеров и их композитов с наноуглеродными соединениями. В поверхностном рельефе пленок выявлена упорядоченная структура с характерным периодом около 35 нм. Наблюдаемый рельеф объясняется наличием в блок-сополимере пространственной сетки доменов жесткого блока лестничного фенилсеквиоксана. Для диагностики механических свойств использован оригинальный вариант метода СЗМ, в котором количественные прочностные характеристики ультратонких пленок полимеров измеряются с помощью специальных калиброванных сферических зондов субмикронного радиуса кривизны [3, 4]. Применение сферических зондов позволило выявить картину процесса индентирования образцов: твердый СЗМ зонд погружается в мягкий сополимер и практически не деформирует его вне области контакта.

Обнаружено существенное увеличение упруго-прочностных параметров блоксополимера при введении в объем полимера дополнительно к сшивающему агенту 0.01% фуллеренов С60. В докладе будут также рассмотрены эксперимен

–  –  –

тальные результаты по выявлению роли добавки детонационных наноалмазов в прочностных свойствах блок-сополимера.

Литература

1. Dolgoplosk S. et.al //Papers of 5 International Conference.on Silicone in Coatings, Brussel, (1996).

2. Ямпольский. Ю. П и др. Высокомолек.соед, А. 18 (3), (1996).

3. И.А.Няпшаев, А.В.Анкудинов. Тр. конф. по физике и астрономии для молодых ученых СПб и Северо-запада «Физика СПб», (2009).

4. И.А.Няпшаев, А.В.Анкудинов, А.П.Возняковский. ФТТ, 53, (2011).

–  –  –

В настоящее время применение методов атомно-силовой микроскопии для анализа локальных фазовых (с точки зрения физико-химического строения) неоднородностей нанообъектов заметно ограничено. Исследование химического состава поверхности наноструктурированых материалов с высокой локальностью, которая потенциально обеспечивается в атомно-силовой микроскопии (до атомарного уровня) является важным для развития материаловедения наноматериалов. Модификация острия зонда атомно-силового микроскопа (АСМ )– ключевого компонент, такая как: утонение (заострение) путем удаления части материала, осаждения различных покрытий – магнитных, электропроводящих, функционализированных, является важным направлением развития методов атомно-силовой микроскопии для диагностики локальных фазовых неоднородностей материалов, поэтому представляет собой актуальную задачу.

В настоящее время доступны и широко используются электропроводящие и магнитные зонды. Они успешно применяются для диагностики металлов и сплавов, магнитных структур, а также микро и нано-устройств на их основе. Также активно применяются методы сканирующей зондовой микроскопии для исследования органических объектов с использованием зондов с привитыми функциональными группами. Поэтому для модификации зонда атомно-силового мик

<

Поверхность

роскопа в качестве функционального покрытия был выбран проводящий полимер полианилин (ПАНИ).

Были использованы два метода нанесения: нанесение частиц полианилина из приготовленных дисперсий, нанесение полианилина методом in-situ полимеризации анилина. Для первого метода использовались дисперсии полианилина стабилизированные поливинилпирролидоном. Для метода in situ полимеризации на первом этапе зонд покрывался окислителем (пероксидисульфат аммония) и на втором этапе проходила реакция полимеризации анилина на местах закрепления окислителя. Нанесение материала производилось на закрепленных АСМ зондах путем их погружения в каплю раствора дисперсии или окислителя и контролировалось по данным изгиба кантилевера.

Оценка качества нанесения проводилась путем тестирования зондов на калибровочных решетках заданной формы а также на подготовленных эталонных образцах полианилин до и после осаждения покрытия. Использование калибровочных решеток позволяет оценить 500нм находящиеся на кончике острия. По изображениям РЭМ определялось изменение прилегающих областей к острию.

Также получены изображения кантилевера и острия в растровый электронный микроскоп. В полученных сериях достигнуто улучшение локальности за счет присутствия полимера на кончике острия при общем ухудшении качества боковой поверхности. Это накладывает некоторые ограничения на исследуемый образец в плане областей сканирования и шероховатости образцов.

Сканирующая микроскопия токов ионной проводимости:

создание и исследование зондового датчика, апробация на тест-объектах А. В. Стовпяга1, А. О. Голубок1, 2, И. Д. Сапожников2 Санкт-Петербургский государственный университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 498-10-65, эл. почта: sanja100v@mail.ru Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 335-17-65, эл. почта: aogolubok@mail.ru Развитие методов сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ) стимулирует создание новых типов СЗМ – зондов. Для исследования с субмикронным разрешением мягких объектов, находящихся в растворе электролита была разработана методика, получившая название сканирующей микроскопии токов ионной проводимости (СМТИП)[1]. С помощью СМТИП получают карту ионных токов, проте

<

Поверхность

кающих над поверхностью образца, используя заостренную стеклянную микропипетку [2] в качестве зонда. СМТИП позволяет исследовать мягкие биологические объекты, функционирующие в жидкой среде с ионной проводимостью, визуализировать ионный транспорт в пористых полимерных мембранах и т.п. Пространственное разрешение СМТИП определяется радиусом зонда-пипетки ra и пространственной зависимостью иного тока I(х,у,z), которая, в свою очередь, определяется распределением электрического потенциала в зазоре между зондом и образцом. В отличие от классической методики СЗМ – атомно-силовой микроскопии (АСМ), где в качестве зондового датчика используется кантилевер с пирамидой радиусом 10-20 нм, СМТИП является бесконтактной методикой, которая не деформирует и не повреждает образец. [3] В данной работе приведены результаты компьютерного моделирование распределения электрического потенциала в зазоре «микропипетка – образец»

с помощью программы COMSOL MULTIPHYSICS и экспериментальные данные, полученные в режиме СМТИП на тест-объектах.

Также обсуждается реализация СМТИП — моды в СЗМ с пьезорезонансным датчиком силового взаимодействия, для одновременной визуализации поверхности образца в полуконтактном силовом режиме и режиме регистрации токов ионной проводимости.

Работа поддержана: ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009-2013 годы (ГК П557) и 2.1.2/9784 Министерство образование и науки РФ.

Литература:

1. P. K. Hansma, B. Drake, 0. Marti, S. A. C. Gould, and C. B. Prater. Science 243, 641 (1989).

2. В. Л. Миронов. Основы сканирующей зондовой микроскопии, ИФМ РАН, Нижний Новгород, 2004.

3. J. Gorelik et al. Phys. Chem. 7, (2005)

ПРИБОРЫ И МАТЕРИАЛЫ ТГЦ

И СВЧ ДИАПАЗОНА

Оптические и электрические свойства тонких плёнок полупроводникового полимера полифлуорена в терагерцовой области электромагнитного спектра А. В. Бобылев1, 2, А. Н. Алёшин1, В. Н. Трухин1, А. В. Андрианов1 ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, Россия тел: +7-921-643-5052, эл. почта: tuckerch@list.ru В настоящее время непрерывно возрастает интерес к терагерцовому (ТГц) излучению (диапазон частот от 0,1 до 10 ТГц) и терагерцовым диагностическим технологиям. Это связано с перспективами применения данного излучения в медицине, биологии, аналитической химии, полупроводниковой промышленности, вычислительных и телекоммуникационных системах, астрофизике и системах безопасности [1].

Одна из наиболее интересных и новых методик исследований – терагерцовая когерентная спектроскопия, или спектроскопия во временных доменах, основанная на использовании фемтосекундных лазерных импульсов ближнего ИК и видимого диапазонов для генерации и детектирования ТГц излучения [1].

В данной методике информация о свойствах материалов может быть получена на основе анализа формы импульсов ТГц излучения (ТГц волновых форм) на входе и на выходе исследуемого образца. Терагерцовая когерентная спектроскопия позволяет определять характеристики исследуемых материалов бесконтактно, что особенно важно. Оптические и электрические характеристики материалов могут быть определены при этом без применения соотношений Крамерса – Кронига.

Приборы и материалы ТГц и СВЧ диапазона

В настоящей работе исследовались тонкие пленки полупроводникового полимера полифлуорена (PFO) (толщиной ~1 мкм). Данный материал перспективен для создания органических полевых транзисторов (OFETs), органических светоизлучающих диодов (OLEDs) и интегрированных OFET–OLED пикселей для органических дисплеев [2]. Поэтому исследование сверхбыстрых процессов и процессов транспорта в таких веществах представляет собой чрезвычайно актуальную задачу.

В работе был разработан метод дифференциальной ТГц когерентной спектроскопии, который позволяет определять оптические и электрические параметры тонких пленок на толстых подложках, прозрачных в ТГц области спектра. Были получены следующие параметры PFO полимера в области 0,2-3 ТГц: коэффициент преломления, коэффициент поглощения по мощности, действительная и мнимая проводимости. Полученные спектральные зависимости удовлетворительно описываются Друде-Лоренцевской осцилляторной моделью электромагнитного отклика [3].

Литература

1. B. Ferguson, X.-C. Zhang. Nature, 1, (2002).

2. T.A. Skotkeim, J.R. Reynolds (Eds.), Handbook of Conducting Polymers, CRC Press, NY, vol.1-2 (2007).

3. A.V. Andrianov et al. J. Phys. D: Appl. Phys., 44, 265101(2011).

Свойства динамического хаоса в кольцевых СВЧ генераторах на основе ферромагнитных пленок А. В. Кондрашов, А. Б. Устинов, Б. А. Калиникос Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 243-99-83, эл. почта: Kondrashov_av@inbox.ru В последние годы все большее внимание уделяется исследованиям динамического хаоса, возникающего в различных нелинейных системах и средах. Динамический хаос обладает рядом преимуществ при его использовании в качестве носителя информации, среди которых можно выделить большую информационную емкость, высокий уровень скрытности при передаче сообщений, а также возможность самосинхронизации источника и приемника [1]. В ряде недавних работ была показана возможность возникновения хаотической динамики в СВЧ системах на основе ферромагнитных пленок [2, 3].

Приборы и материалы ТГц и СВЧ диапазона Целью данной работы было исследование возможности управления параметрами автогенерируемого СВЧ динамического хаоса в кольцевой системе на основе пленки железо-иттриевого граната (ЖИГ).



Pages:     | 1 |   ...   | 2 | 3 || 5 | 6 |   ...   | 8 |
Похожие работы:

«ISSN 0552-58 РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ГЛАВНАЯ (ПУЛКОВСКАЯ) АСТРОНОМИЧЕСКАЯ ОБСЕРВАТОРИЯ XIX ВСЕРОССИЙСКАЯ ЕЖЕГОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФИЗИКЕ СОЛНЦА СОЛНЕЧНАЯ И СОЛНЕЧНО-ЗЕМНАЯ ФИЗИКА – 2 ТРУДЫ Санкт-Петербург Сборник содержит доклады, представленные на XIX Всероссийскую ежегодную конференцию по физике Солнца «Солнечная и солнечно-земная физика – 2015» (5 – 9 октября 2015 года, ГАО РАН, Санкт-Петербург). Конференция проводилась Главной (Пулковской) астрономической обсерваторией РАН при поддержке...»

«УТВЕРЖДАЮ Заместитель Министра образования Республики Беларусь _В.А. Будкевич «25»июня 2014 г. Инструктивно-методическое письмо Министерства образования Республики Беларусь «Об организации образовательного процесса при изучении учебного предмета «Астрономия» в учреждениях общего среднего образования в 2014/2015 учебном году» I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ В соответствии с образовательным стандартом учебного предмета «Астрономия» целями его изучения являются овладение учащимися основами систематизированных...»

«Suhayl 5 (2005) pp. 163-2 Послание относительно Тасйир (Tasyr) и проекции лучей Абу Марвана аль-Эсихи (Ab Marwn al-Istij) Julio Sams и Hamid Berrani Джулио Самсо и Хамид Беррани Перевод с английского G. Z. Киев 201 1 Введение 1.1 Автор Абу Марван Абд Аллах ибн Халаф аль-Эсихи (Ab Marwn cAbd Allh ibn Khalaf al-Istij) был астрономом и астрологом, кто жил и работал в Толедо и Куэнка во второй половине одиннадцатого столетия2. У нас нет никаких точных дат его рождения и смерти, но его семья, должно...»

«АСТРОНОМИЯ I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ В соответствии с образовательным стандартом учебного предмета «Астрономия» целями его изучения являются овладение учащимися основами систематизированных знаний о строении Вселенной, обучение учащихся способности познавать закономерности развития природных процессов, их взаимосвязанность и пространственно-временные особенности, формирование понимания роли и места человека во Вселенной. К основным задачам изучения учебного предмета «Астрономия» на III ступени общего...»

«Федеральное государственное образовательное бюджетное учреждение высшего профессионального образования «МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ МЕЖДУНАРОДНЫХ ОТНОШЕНИЙ (УНИВЕРСИТЕТ) МИД РОССИИ» «УТВЕРЖДАЮ» Председатель Приемной комиссии Ректор МГИМО (У) МИД России академик РАН А.В. ТОРКУНОВ Программа вступительного экзамена для поступления в магистратуру МГИМО (У) МИД России по направлению «Зарубежное регионоведение» МОСКВА 2015 Порядок проведения вступительного экзамена по дисциплине «Основы...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО НАУЧНЫХ ОРГАНИЗАЦИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ СПЕЦИАЛЬНАЯ АСТРОФИЗИЧЕСКАЯ ОБСЕРВАТОРИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (САО РАН) ПРИНЯТО УТВЕРЖДАЮ решением Ученого совета Директор САО РАН, САО РАН № _322_ член-корр. РАН от «_16_» сентября 2014 г. Ю.Ю. Балега «_»_ 2014 г. ОБРАЗОВАТЕЛЬНАЯ ПРОГРАММА ПОДГОТОВКИ НАУЧНО-ПЕДАГОГИЧЕСКИХ КАДРОВ В АСПИРАНТУРЕ 03.06.01 ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ Направление подготовки 01.03.02 АСТРОФИЗИКА И ЗВЕЗДНАЯ Направленность...»

«ПРОГРАММА вступительного экзамена по образовательным программам высшего образования– программам подготовки научно-педагогических кадров в аспирантуре по направлению подготовки 03.06.01 Физика и астрономия (очная и заочная форма обучения) направленность (профиль): 01.04.17 Химическая физика, горение и взрыв, физика экстремальных состояний вещества Содержание вступительного экзамена. № Наименование раздела п/п дисциплины Содержание Раздел 1. Строение вещества Основы квантовой теории...»

«Муниципальное бюджетное общеобразовательное учреждение гимназия г. Гурьевска Рабочая программа учебного предмета астрономия_ в 11 классе (профильный уровень) (наименование предмета) Составила Матвеева В. В., учитель физики и астрономии Гурьевск 2015 г. Пояснительная записка Астрономия как наука о наиболее общих законах природы, выступая в качестве учебного предмета в школе, вносит существенный вклад в систему знаний об окружающем мире. Для решения задач формирования основ научного...»

«Федеральное государственное образовательное бюджетное учреждение высшего профессионального образования «МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ МЕЖДУНАРОДНЫХ ОТНОШЕНИЙ (УНИВЕРСИТЕТ) МИД РОССИИ» «УТВЕРЖДАЮ» Председатель Приемной комиссии Ректор МГИМО (У) МИД России академик РАН А.В. ТОРКУНОВ Программа вступительного экзамена для поступления в магистратуру МГИМО (У) МИД России по направлению «Зарубежное регионоведение»     МОСКВА 2015 Порядок проведения вступительного экзамена по дисциплине «Основы...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО НАУЧНЫХ ОРГАНИЗАЦИЙ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук» (ИАПУ ДВО РАН) «СОГЛАСОВАНО» «УТВЕРЖДАЮ» Руководитель направления Заместитель директора по научноподготовки аспирантов 03.06.01 образовательной и инновационной «Физика и астрономия», д.ф.-м.н. деятельности, д.ф.-м.н. _ Н.Г. Галкин _ Н.Г. Галкин « » сентября 2015 г. « » сентября 2015...»

«Международная общественная организация «Астрономическое Общество» XII отчетно-перевыборный съезд НАУЧНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ «АСТРОНОМИЯ ОТ БЛИЖНЕГО КОСМОСА ДО КОСМОЛОГИЧЕСКИХ ДАЛЕЙ» Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Государственный астрономический институт им. П.К. Штернберга 25 – 30 мая 2015 г. Сборник резюме докладов Редакторы – проф. Н.Н. Самусь, В.Л. Штаерман Москва, 2015 Содержание Пленарные доклады Секция «Астрометрия и небесная механика» 13 Секция «Астрономические...»

«ISSN 0552-5829 РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ГЛАВНАЯ (ПУЛКОВСКАЯ) АСТРОНОМИЧЕСКАЯ ОБСЕРВАТОРИЯ ВСЕРОССИЙСКАЯ ЕЖЕГОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ С МЕЖДУНАРОДНЫМ УЧАСТИЕМ СОЛНЕЧНАЯ И СОЛНЕЧНО-ЗЕМНАЯ ФИЗИКА – 20 ТРУДЫ Санкт-Петербург Сборник содержит доклады, представленные на XVIII Всероссийской ежегодной конференции с международным участием «Солнечная и солнечно-земная физика – 2014» (20 – 24 октября 2014 года, ГАО РАН, Санкт-Петербург). Конференция проводилась Главной (Пулковской) астрономической обсерваторией...»

«РАЗРАБОТАНА УТВЕРЖДЕНО Центром функциональных магнитных Ученым советом Университета материалов (заседание ЦФММ от 28.08.2014 г., от «22» сентября 2014 г., протокол протокол № _5_) №1 ПРОГРАММА КАНДИДАТСКОГО ЭКЗАМЕНА ПО СПЕЦИАЛЬНОЙ ДИСЦИПЛИНЕ в соответствии с темой диссертации на соискание ученой степени кандидата наук Направление подготовки 03.06.01 Физика и астрономия Профиль подготовки Физика конденсированного состояния Астрахань – 2014 Программа кандидатского экзамена составлена в...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АЕЕНТСТВО НАУЧНЫХ ОРЕАНИЗАЦИЙ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук» (ИАПУ ДВО РАН) «СОГЛАСОВАНО» СДВЕННС; Зам. директора по научноДиректор ИАПУ ДВО РАН /^ S \ образовательцой и инновационной ^емик деятельности, д.ф.-м.н. Н.Г. Галкин Ю.Н. Кульчин сентября 2015 г. нтября 2015 г. ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ по специальной дисциплине Направление...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО НАУЧНЫХ ОРГАНИЗАЦИЙ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук» (ИАПУ ДВО РАН) «СОГЛАСОВАНО» «УТВЕРЖДАЮ» Руководитель направления Заместитель директора по научноподготовки аспирантов03.06.01 образовательной и инновационной «Физика и астрономия»,д.ф.-м.н. деятельности, д.ф.-м.н. _ Н.Г. Галкин _ Н.Г. Галкин « » сентября 2015 г. « » сентября 2015 г....»

«Федеральное государственное образовательное бюджетное учреждение высшего профессионального образования «МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ МЕЖДУНАРОДНЫХ ОТНОШЕНИЙ (УНИВЕРСИТЕТ) МИД РОССИИ» «УТВЕРЖДАЮ» Председатель Приемной комиссии Ректор МГИМО (У) МИД России академик РАН А.В. ТОРКУНОВ Программа вступительного экзамена для поступления в магистратуру МГИМО (У) МИД России по направлению «Зарубежное регионоведение»     МОСКВА 2015 Порядок проведения вступительного экзамена по дисциплине «Основы...»

«ПРАВИТЕЛЬСТВО САНКТ-ПЕТЕРБУРГА КОМИТЕТ ПО НАУКЕ И ВЫСШЕЙ ШКОЛЕ РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ГЛАВНАЯ (ПУЛКОВСКАЯ) АСТРОНОМИЧЕСКАЯ ОБСЕРВАТОРИЯ СОЛНЕЧНАЯ И СОЛНЕЧНО-ЗЕМНАЯ ФИЗИКА — 2014 XVIII ВСЕРОССИЙСКАЯ ЕЖЕГОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ С МЕЖДУНАРОДНЫМ УЧАСТИЕМ 20 – 24 октября 2014 года Санкт-Петербург Сборник содержит тезисы докладов, представленных на XVIII Всероссийскую ежегодную конференцию с международным участием Солнечная и солнечно-земная физика — 2014 (20 – 24 октября 2014 года, ГАО РАН,...»

«ФизикА.СПб Тезисы докладов Российской молодежной конференции по физике и астрономии 28–30 октября 2014 года Санкт-Петербург Издательство Политехнического университета ББК 22.3:22.6 Ф 50 Организатор ФТИ им. А. Ф. Иоффе Спонсорами конференции ежегодно выступают Российский фонд фундаментальных исследований Российская академия наук Администрация Санкт-Петербурга Программный комитет Аверкиев Никита Сергеевич (ФТИ им. А. Ф. Иоффе) — председатель Арсеев Петр Иварович (ФИАН) Варшалович Дмитрий...»

«АСТРОНОМИЯ I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ В соответствии с образовательным стандартом учебного предмета «Астрономия» целями его изучения являются овладение учащимися основами систематизированных знаний о строении Вселенной, обучение учащихся способности познавать закономерности развития природных процессов, их взаимосвязанность и пространственно-временные особенности, формирование понимания роли и места человека во Вселенной. К основным задачам изучения учебного предмета «Астрономия» на III ступени общего...»

«РОСЖЕЛДОР Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Ростовский государственный университет путей сообщения (ФГБОУ ВПО РГУПС) РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ Б1.В.ОД.6 ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ НАПРАВЛЕНИЕ ПОДГОТОВКИ 03.06.01 «Физика и астрономия» Ростов-на-Дону 2014 г. Цели и задачи дисциплины Целью дисциплины «Физика конденсированного состояния» является формирование у аспирантов углубленных профессиональных знаний в области...»







 
2016 www.programma.x-pdf.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Учебные, рабочие программы»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.