WWW.PROGRAMMA.X-PDF.RU
БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА - Учебные и рабочие программы
 


Pages:     | 1 |   ...   | 3 | 4 || 6 | 7 |   ...   | 8 |

«ФизикА.СПб Тезисы докладов 26 — 27 октября 2011 года Санкт-Петербург Организатор Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Спонсоры Российская академия наук Администрация ...»

-- [ Страница 5 ] --

Экспериментальная установка была сконструирована из следующих элементов: спин-волновой линии задержки, широкополосного полупроводникового СВЧусилителя, переменного аттенюатора и направленных ответвителей. Эти элементы были последовательно соединены коаксиальными СВЧ-кабелями, образуя активное резонансное кольцо. Линия задержки была изготовлена из монокристаллической пленки железо-иттриевого граната (ЖИГ) с намагниченностью насыщения 1750 Гс. При выполнении экспериментов пленка была намагничена до насыщения постоянным магнитным полем.



В ходе эксперимента были проведены исследования для трех основных направлений намагничивания нормального, касательного вдоль направления распространения спиновых волн и касательного перпендикулярно направлению распространения спиновых волн. Такая экспериментальная установка позволила получить зависимости параметров автогенерируемого хаотического сигнала от направления поля подмагничивания и коэффициента усиления кольца Проведенные исследования показали, что активные кольца на основе ферромагнитных пленок могут генерировать как стационарный сигнал, так и сигнал в форме динамического хаоса. Изменяя величину и направление поля подмагничивания можно выбирать частоту и полосу генерируемого сигнала. Кроме того, управляя коэффициентом усиления кольца, можно управлять режимом генерации, а также параметрами динамического хаоса. Таким образом, активные кольца на основе ферромагнитных пленок могут найти практическое применение как электрически управляемые генераторы СВЧ сигналов.

Работа выполнена при поддержке грантов Президента РФ и Министерства образования и науки РФ.

Литература

1. А.С.Дмитриев, А.И.Панас. Динамический хаос: новые носители информации для систем связи. М.: Издательство Физико-математической литературы, 2002.

2. Alexey B. Ustinov, et al. Phys. Rev. Letters, 106, 017201 (2011)

2. С. В. Гришин и др. ПЖТФ, 37, 96 (2010).

–  –  –

Санкт-Петербургский академический университет, Санкт-Петербург, Россия тел: (904) 518-79-57, эл. почта: Ivan.G.Savenko@gmail.com Университет Исландии, Рейкьявик, Исландия Международный Институт Фундаментальной Физики, Натал, Бразилия ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия Терагерцовый (ТГц) диапазон частот до сих пор является неохваченным современными технологиями ввиду отсутствия твердотельного источника излучения, который был бы компактным, надёжным и одновременно подстраиваемым.

Фундаментальной причиной, препятствующей созданию такого источника, является малость скорости спонтанного излучения ТГц фотонов: согласно золотому правилу Ферми, скорость спонтанной эмиссии составляет десятки обратных милисекунд, однако время жизни носителей в твёрдом теле обычно лежит в пикосекундном диапазоне ввиду эффективного рассеяния на акустических фононах [1].

Однако скорость спонтанной эмиссии может быть существенно увеличена за счёт эффекта Парселла, если ТГц микрорезонатор поместить в другой одномодовый резонатор, настроенный на ТГц частоту [2]. Но даже в этом случает приходится иметь дело с криогенными температурами для получения квантовой эффективности около 1% (для многокаскадной структуры).

Тогда было предложено [3] следующее решение: скорость спонтанного излучения ТГц фотонов может быть увеличена посредством бозонной стимуляции при излучательном переходе в основное состояние (конденсат). Такой переход, например, возможен между верхней и нижней поляритонными ветками дисперсии в полупроводниковом микрорезонаторе. Однако этот переход является запрещённым (матричный элемент равен нулю). Чтобы его разрешить, можно, например, верхнее состояние сделать гибридным, добавив в систему ещё один уровень экситона с отличной от «поляритонного» экситона чётностью. Тогда усиление спонтанной эмиссии посредством эффекта Парселла вместе с бозонной стимуляцией позволит на несколько порядков увеличить скорость спонтанной эмиссии и преодолеть рассеяние на акустических фононах.

Хорошо известно, что сильное поляритон-поляритонное взаимодействие в микрорезонаторе позволяет наблюдать много интересных нелинейных эффектов даже при невысоком уровне накачки, а именно, сверхтекучесть, бии мультистабильность, образование солитонов и др. Разумно предположить, что поляритон-поляритонное взаимодействие окажет и сильное влияние на поведе

<

Приборы и материалы ТГц и СВЧ диапазона

ние ТГц фотонов. К сожалению, квазиклассический подход, основанный на решении уравнения Больцмана [3], не позволяет должным образом описать когерентное взаимодействие ТГц фотонов с поляритонами, и возникает необходимость использовать более точный, полностью квантовый подход, предложенный нами [4].





Работа, описываемая в настоящих тезисах, посвящена как раз построению такого формализма, учитывающего следующие процессы, протекающие в микрорезонаторе: когерентное взаимодействие поляритон-ТГц фотон, поляритон-поляритонное взаимодействие, приводящие к "синему сдвигу" (англ.

blueshift) поляритонных мод и некогерентные процессы рассеяния на акустических фононах (взаимодействие с поляритонным резервуаром). В результате возникает возможность не только получить бистабильность (с гистерезисом) на пороговой характеристике (зависимости числа фотонов от накачки верхней поляритонной ветки), но и моделировать устройство ТГц переключателя (из состояния в котором число ТГц фотонов мало в состояние с большим числом фотонов).

Литература

1. I. A. Shelykh et al., Phys. Rev. B 83, 165316 (2011).

2. Y. Chassagneux et al., Nature 457, 174-178 (2009).

3. K. V. Kavokin et al., Appl. Phys. Lett. 97, 201111 (2010).

4. I. G. Savenko et al., arXiv:1103.1336, в печати в Phys. Rev. Lett.

Изготовление полевого транзистора с субмикронным затвором для применения в СВЧ микросхемах на GaAs, GaN.

А. А. Сидельников, Б. В. Калинин ОАО ВНИИРА, НТК 10700 Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 356-06-11, эл.почта: vniira@sp.ru Одной из основных задач в развитии полупроводниковых СВЧ устройств является повышение рабочей частоты. Для этого существует несколько путей, одним из которых является сокращение длины затвора транзистора. В данной работе предлагается конкретная реализация топологии и технологии изготовления субмикронного транзистора, с использованием метода «алюминиевой щели» [1].

Данный метод заключается в следующем: на пластину полупроводника, с уже готовыми омическими контактами и межприборной изоляцией наноситься слой диэлектрика SiO2 толщиной 0,2-0,3 мкм. Сверху напыляют слой алюминия. Затем наноситься фоторезист, в котором засвечиваются и с помощью стандартного фотошаблона вскрываются затворные области. В нашем случае стандартная длина затвора составляет 1 мкм. Далее слой алюминия на вскрытых областях стравлива

<

Приборы и материалы ТГц и СВЧ диапазона

ется, тем самым получается алюминиевая маска необходимая для дальнейшего травления диэлектрика. Диэлектрик стравливается плазмохимическим методом, в силу того, что травление изотропное, происходит травление диэлектрика под алюминиевой маской, причем на длину равную его толщине то есть 0,2-0,3 мкм.

Затем диэлектрик вновь напыляется в протравленные в алюминии окна, алюминий снимается с пластины. Таким образом, мы получаем две щели длиной 0,2мкм. Одна из них запыляется диэлектриком. В другую щель напыляется затвор по стандартной технологии. Таким образом, при применении стандартного оборудования для травления напыления, фотолитографии удается уменьшить длину затвора в три четыре раза.

На опытных образцах, полученных по данной технологии, граничную частоту удалось увеличить в 2-2,5 раза, с 4-6 ГГц до 12-14 ГГц. В то же время, теоретически достижимая частота для данной конфигурации канал-затвор достигает 40 ГГц, Основной причиной того, что эта частота не была достигнута, является большое расстояние сток-исток, а также недостаточная технологии плазмохимического травления диэлектрика была недостаточно отработана.

Полученные результаты показывают большой потенциал данной технологии субмикронного затвора, потому что она значительно упрощает и удешевляет процесс создания короткозатворного транзистора, который используется в различных СВЧ микросхемах.

Литература

1. Т. С. Петрова и др. Известия Томского политехнического университета. 309 (8), (2006).

Нелинейный сверхвысокочастотный фазовращатель на основе слоистой структуры феррит-сегнетоэлектрик А.

Б. Устинов Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 234-99-83, эл. почта:ustinov-rus@mail.ru В последние годы наблюдается значительный интерес к исследованию феррит-сегнетоэлектрических структур [1]. В частности, линейные свойства электромагнитно-спиновых волн, распространяющихся в таких структурах, в настоящее время достаточно хорошо изучены и на их основе разработаны сверхвысокочастотные (СВЧ) приборы [2-4]. Целью настоящей работы являлась разработка и исследование нелинейного СВЧ фазовращателя на основе электромагнитно-спиновых волн.

Приборы и материалы ТГц и СВЧ диапазона

Эксперименты были проведены для случая конструкции фазовращателя, подобной описанной в [3]. Слоистая структура состояла из пленки железоиттриевого граната (ЖИГ) и пластины титаната бария-стронция (БСТ). Пленка ЖИГ была эпитаксиально выращена на подложке галлий-гадолиниевого граната (ГГГ).

Толщина пленки составляла 5.7 мкм, ширина – 2 мм, длина – 4 см, намагниченность насыщения – 1750 Э. Пленка ЖИГ имела ширину кривой ферромагнитного резонанса 0.6 Э на частоте 5 ГГц. Пластина БСТ толщиной 500 мкм была изготовлена из керамики состава Ba0.6Sr0.4TiO3. Ее размеры в плоскости были 510 мм.

-2 Тангенс угла диэлектрических потерь БСТ на частоте 5 ГГц составлял около 10.

Керамика находилась в параэлектрической фазе. Она имела изотропную диэлектрическую проницаемость при комнатной температуре. На обе стороны пластин были напылены электроды для приложения электрического напряжения. Верхний электрод представлял собой слой хрома толщиной около 50 нм. Такая толщина была много меньше толщины скин-слоя для СВЧ электромагнитного поля рабочей частоты. Это обусловливало возможность гибридизации мод электромагнитных волн в сегнетоэлектрике и магнитостатических спиновых волн в феррите. Для возбуждения и приема электромагнитно-спиновых волн использовались микрополосковые антенны, расстояние между которыми составляло 8 мм. К электродам БСТ прикладывалось электрическое напряжение в диапазоне 0—1000 В. Магнитное поле в диапазоне 1100—1400 Э прикладывалось в плоскости структуры параллельно антеннам.

В ходе экспериментов измерялись частотные зависимости коэффициентов передачи и отражения при различных уровнях падающей на макет СВЧ мощности.

Устройство демонстрировало две функции: нелинейный фазовый набег до 140 градусов при мощности 15 дБм и индуцированный электрическим напряжением дифференциальный фазовый сдвиг до 330 градусов при напряжении 1000 В.

С увеличением частоты нелинейный фазовый набег возрастал, в то время как дифференциальный фазовый сдвиг уменьшался. Описанное устройство может найти различные применения. В частности, на его основе возможна разработка СВЧ логических элементов, нелинейных интерферометров и нелинейных направленных ответвителей.

Работа поддержана грантами РФФИ, Президента РФ и Министерства образования и науки РФ.

Литература

1. U. Ozgur et al. J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 20, 911 (2009).

2. V. E. Demidov et al. J. Appl. Phys. 91, 10007 (2002).

3. A. B. Ustinov et al. Appl. Phys. Lett. 90, 031913 (2007).

4. А. Б. Устинов и др. ЖТФ, 80 (6), (2010).

ПРИМЕСИ И ДЕФЕКТЫ

В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Резонансное и релаксационное поглощение ультразвука анизотропными ян-теллеровскими центрами в GaAs К. А. Барышников Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 465-24-46, эл. почта: barysh.1989@gmail.com Экспериментальные исследования распространения ультразвука в полупроводниках позволяют определить такие важные параметры материала как упругие модули, времена релаксации, симметрию дефектов [1]. Особую роль в этой методике играет изучение резонансного и релаксационного поглощения.

Резонансное поглощение будет наиболее эффективно, если все уровни расщеплены на одинаковую величину, совпадающую с энергией поглощаемого фонона.

Очевидно, что такой случай не может быть реализован за счет случайных полей.

Кроме резонансного, возможно также и релаксационное поглощение ультразвука, связанное с неравновесностью (отставанием от равновесного) заполнения расщепленных подуровней центра, изменяющих свое положение в поле звуковой волны. Поскольку энергии звуковых квантов существенно меньше энергии квантов электромагнитного поля, то поглощение ультразвука позволяет изучать примеси, у которых основное состояние расщеплено на небольшую величину [2].

В данной работе рассмотрено поглощение ультразвука на анизотропных янтеллеровских центрах, основное состояние которых расщепилось за счет туннелирования ядер между эквивалентными симметричными конфигурациями [3, §3.2].

Примеси и дефекты в полупроводниках

В работе [4] показано, что элементы I группы периодической таблицы: Cu, Ag, Au, – создают в кристалле GaAs глубокие акцепторы, связывающие две дырки в основном состоянии, и эти дырки оказываются подвержены сильному эффекту Яна-Теллера. В работе [4] изучались статические свойства Cu, Ag, Au, и не рассматривались динамические задачи. Нами показано, что динамическое (туннельное) расщепление этих центров составляет несколько микроэлектронвольт и может привести к резонансному поглощению ультразвука. В режиме малых интенсивностей ультразвуковых волн теоретически рассчитаны коэффициенты резонансного и релаксационного поглощения. Мы показали, что во многих случаях возможно наблюдать экспериментально оба вида поглощения.

Для определенности было рассмотрено расщепление уровней янтеллеровского центра Cu в кристалле GaAs. Данная задача напоминает так называемую Е-е — задачу [3, §2.1], но в отличие от нее в данной работе учтено, что центр Cu (элемент I группы таблицы Менделеева), замещая Ga (элемент III группы), связывает две дырки, обменное взаимодействие между которыми учтено.

Считая массу большой, но конечной, рассчитан туннельный эффект в адиабатическом потенциале в случае малого квадратичного возмущения (масса должна быть такой, что энергия гармонических колебаний около дна ямы была бы много меньше потенциального барьера между ямами). Для этого нами обобщен метод Ландау для квазиклассического расчета величины туннельного расщепления на случай трёх ям замкнутых в кольцо.

Получена величина туннельного расщепления в квазиклассическом приближении и показано, что для реальных значений параметров центра Cu в GaAs [4] она сравнима с энергиями квантов ультразвуковых колебаний. На этой основе рассчитаны коэффициенты резонансного и релаксационного поглощения ультразвука и показано, что их значения достижимы в эксперименте.

Литература

1. V. Gudkov.The Jahn-Teller Effect, Fundamentals and Implications for Physics and Chemistry, "Springer" (2009).

2. K. Lassmann, Hp. Schad, Sol. St. Comm. 18 (1976).

3. И. Б. Берсукер, Эффект Яна-Теллера и вибронные взаимодействия в современной химии, Наука (1987).

4. Н. С. Аверкиев и др. ФТТ, 32, (1990).

–  –  –

U-центры германия и олова в кристаллических и стеклообразных халькогенидных полупроводниках П. В. Гладких Российский государственный педагогический университет им А. И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия тел: +7 (960) 239-63-89, эл. почта:petegl@inbox.ru

–  –  –

Примеси и дефекты в полупроводниках Работа финансировалась в рамках Федеральной целевой программы «Научные и научно педагогические кадры инновационной России» (гос. Контракт № 2.740.11.0544).

U-центры олова в стеклообразных халькогенидах мышьяка А. Ю. Дашина Российский государственный педагогический университет им А. И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия тел: +7 (905) 221-66-47, эл. почта: dashinaa@mail.ru В настоящей работе для идентификации двухэлектронных центров олова с отрицательной корреляционной энергией (U - центров) в стеклообразных халькогенидах мышьяка используется эмиссионный вариант мессбауэровской спекm 119m 119m троскопии на изотопах Sb( Sn) и Te( Sn), когда в исследуемый образец вводится радиоактивный материнский изотоп, после распада которого образуется дочерний мессбауэровский атом.

Объектами исследований служили и стеклообразные сплавы систем AsxS1-x, AsxSe1-x, GexS1-x, GexSe1-x. В зависимости от химической природы материнского изотопа возможно введение дочернего атома либо в узлы мышьяка, либо в узлы халькогена.

Примесные атомы олова, образующиеся после радиоактивного распада ато

–  –  –

Cтекла AsxSe1-x и AsxSe1-x построены из структурных единиц двухкоординированного халькогена (-As-Х-As-) и (-As-Х-Х-As-), причем по мере возрастания содержания халькогена в составе стекла увеличивается доля структурных единиц (-As-ХХ-As-) и одновременно увеличивается доля состояний Sn6 в узлах мышьяка.

–  –  –

образующего химические связи с атомами халькогена), так и в узлах халькогена (в виде центров, образующих химические связи, характерные для полуметаллических соединений олова с мышьяком).

Работа финансировалась в рамках Федеральной целевой программы "Научные и научно педагогические кадры инновационной России" (гос. Контракт № 02.740.11.0544).

Спектры люминесценции пленок ZnO легированных редкоземельными элементами.

М. В. Еременко, М. М. Мездрогина ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия Тел:+7(962)7148656 эл. почта:Erjomenko@gmail.com Легирование редкоземельными металлами широкозонного прямозонного полупроводника ZnO открывает перспективы создания светоизлучающих приборов на заданную длину волны как в видимой (при легировании Tm, Er, Eu), так и ближней инфракрасной (при легировании Yb,Sm,Er) областях спектра. Такие приборы могут работать при повышенных температурах, при повышенных воздействиях ионизирующих излучений.

В данной работе исследовано влияние отжига в среде ионизированного азота, а также введения соактиваторов (Ce, Er) на формирование спектров фотолюминесценции (ФЛ) монокристалл-лических пленок ZnO:Re (Re: Ce, Eu, Sm, Er, Tm, Yb). Пленки получены двумя методами: (I) молекулярно-лучевого эпитаксиального роста (MBE) и (II) магнетронным распылением. По данным рентгеноструктурного анализа пленки были монокристаллическими.

Показано, что отжиг в среде ионизированного азота вне зависимости от метода получения пленок ZnO приводит к существенным изменениям спектра ФЛ: уменьшению интенсивности примесной полосы излучения в сине-зеленой области спектра, а также к длинноволновому сдвигу максимума краевой люминесценции. Относительное содержание примесей азота и кислорода в пленках ZnO до и после отжига определялось методом спектрометрии ядерных реакций с дейтронами на аналитическом комплексе ПИЯФ РАН.

Обнаружено, что легирование отожженных в среде ионизированного азота кристаллических пленок ZnO, полученных методом магнетронного распыления, Примеси и дефекты в полупроводниках редкоземельными ионами приводит к появлению линий излучения внутрицентровых 4f переходов, интенсивность которых резко увеличивается при введении соактиваторов: Ce в случае ZnO: (Sm, Er, Tm), и Er в случае ZnO:Yb.

Обсуждаются возможные механизмы передачи возбуждения от матрицы ZnO к редкоземельным ионам роли активаторов, приводящие к значительной сенсибилизации излучения внутрицентровых 4f переходов в заранее заданном спектральном диапазоне.

–  –  –

Идеология двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергий (U -центров) в общем виде используется для объяснения электрических и магнитных свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) (линейность температурной зависимости удельной теплоемкости, пиннинг уровня Ферми вблизи середины запрещенной зоны, отсутствие сигнала электронного парамагнитного резонанса). Были также рассмотрены возможности стабилизации U - центров в кристаллических полупроводниках.

Однако, несмотря на очевидную эффективность теории двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией (U - центров) для объяснения физико-химических свойств аморфных и кристаллических полупроводников, остается нерешенной основная проблема — прямыми экспериментальными методами такие центры в полупроводниках и полуметаллах обнаружены не были. В частности, электронный парамагнитный резонанс (ЭПР) - один из наиболее информативных методов идентификации заряда примесных атомов в твердых телах – оказался не эффективным методом определения заряда U - центров. Следует отметить, что, кроме чисто академического интереса, идентификация U - центров методом мессбауэровской спектроскопии открывает принципиальную возможность использования мессбауэровских U - центров в качестве инструмента исследования бозе-конденсации электронных пар в решетках сверхпроводников.

Примеси и дефекты в полупроводниках

Представляемая работа посвящена идентификации методом мессбауэровской спектроскопии двухэлектронных центров германия и олова с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидах свинца, а также обнаружению процесса бозе-конденсации электронных пар при сверхпроводящем фазовом переходе с использованием мессбауэровских U - центров. Проведенный нами анализ показал, что наиболее перспективными для проведения подобных исследований явm ляются изотопы As( Ge) и ( Sn), а объектами исследований могут служить халькогениды свинца (PbS, PbSe, PbTe), которые являются классическими модельными объектами физики твердого тела.

В результате проведенных исследований идентифицированы нейтральные 2+ 4+ Ме6 ) и двукратно ионизованные (Ме6 ) донорные U - центры олова и германия в халькогенидах свинца, а также продемонстрировано различие в поведении U центров олова в кристаллических (PbSe) и стеклообразных (As2Se3) халькогенидных полупроводниках, легированных оловом и таллием (здесь и далее верхний индекс означает зарядовое состояние центра, а нижний индекс - его координационное число). Продемонстрирован электронный обмен между нейтральными и ионизованными U -центрами олова (германия) в халькогенидах свинца с использованием состояний разрешенных зон. Обнаружено, что изменение электронной плотности в катионных узлах кристаллической решетки при сверхпроводящем фазовом переходе тем больше, чем меньше стандартная корреляционная длина (т.е. чем меньше эффективный размер электронной пары). Продемонстрировано, что изменение электронной плотности в узлах кристаллической решетки в процессе бозе-конденсации куперовских пар в классических сверхпроводниках (Pb1-xSnx)1-zInzTe различно для различных подрешеток.

Работа финансировалась в рамках Федеральной целевой программы Научные и научно педагогические кадры инновационной России» (гос. Контракт № 02.740.11.0544).

Примеси и дефекты в полупроводниках

–  –  –

Данная работа посвящена идентификации методом эмиссионной мессбауm эровской спектроскопии на изотопах Sb( Sn) двухэлектронных центров олова с отрицательной корреляционной энергией (U - центров) в классических представителях халькогенидных полупроводников – кристаллических сульфиде, селениде и теллуриде свинца (PbS, PbSe, PbTe), стеклообразных сульфидах и селенидах германия (GeS2, Ge2S3, GeSe2, Ge2Se3). Если примесный атом способен отдавать (или принимать) два электрона (“двухэлектронные центры”), то в запрещенной зоне полупроводника возникает две полосы локализованных состояний, разделенных на величину корреляционной энергии: U = E2 -E1, где E1 и E2 — первая и вторая энергии ионизации центра. Если корреляционная энергия отрицательна, то такой центр называется “двухэлектронным центром с отрицательной корреляционной энергией” (U - центр).

Предполагалось, что использование эмиссионного варианта мессбауэровской спектроскопии создаст условия для стабилизации центров олова в различных узлах кристаллической структуры халькогенидов свинца и различных узлах структурной сетки стеклообразных халькогенидов германия, и определение природы электрической активности этих центров.

–  –  –

Центры олова, образующиеся после радиоактивного распада Sb в узлах германия структурной сетки стекол GeS2, Ge2S3, GeSe2, Ge2Se3 являются амфотерными U - центрами, причем состояние Sn3 является однократно ионизованным 4+ акцептором, а состояние Sn6 - однократно ионизованным акцептором, а нейтральные состояния этих центров оказывается нестабильным.

–  –  –

Работа финансировалась в рамках Федеральной целевой программы "Научные и научно педагогические кадры инновационной России" (гос. Контракт № 02.740.11.0544).

ЭПР ионов Се3+ в монокристаллах тиогаллата свинца Д. Д. Крамущенко, Г. Р. Асатрян ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 292-73-20, эл. почта: dorota@rambler.ru В данной работе впервые обнаружены и исследованы спектры электронного 3+ парамагнитного резонанса (ЭПР) ионов Ce в монокристаллах тиогаллата свинца 3+ PbGa2S4. Установлено, что ионы Ce замещают ионы свинца в кристаллической решетке тиогаллата свинца. Наблюдается ряд магнитно-неэквивалентных парамагнитных центров. Обсуждается природа многоцентровости церия в кристалле.

Ранее, в работе [1], нами впервые методом электронного парамагнитного 3+ резонанса (ЭПР) были обнаружены ионы Dy в кристаллах тиогаллата свинца.

В данной работе впервые обнаружены и зарегистрированы спектры ЭПР от различных парамагнитных центров ионов Ce в PbGa2S4. Исследования спектров ЭПР проводились на стандартном ЭПР - спектрометре трехсантиметрового диапазона, в температурном интервале 4—40 К. Для низкотемпературных исследований использовался гелиевый криостат проточного типа. Монокристаллы были выращены методом Бриджмена-Стокбаргера в Кубанском Государственном университет (г. Краснодар, Россия).

Спектры ЭПР монокристаллов PbGa2S4, активированных ионами церия состоит из большого числа линий поглощения (более 30). Используя ориентационные и температурные зависимости, можно выделить три наиболее интенсивных основных магнитно-неэквивалентных парамагнитных центров Се обозначенных нами как Се1, Се2, Се3. Это качественно соответствует замещению трех различных структурных положений Pb1, Pb2 и Pb3 ионов свинца в кристаллической решетке PbGa2S4, приведенных ранее в работе [2].

Примеси и дефекты в полупроводниках

–  –  –

состояние F5/2, расщепляется внутрикристаллическим полем тиогаллата на ряд штарковских компонент, на нижней из которых и наблюдается ЭПР переход в Х диапазоне. Ион Ce не имеет нечетных изотопов (ядерный спин I = 0) и поэтому в спектрах ЭПР не наблюдается магнитная сверхтонкая структура. Однако 3+ в спектрах ЭПР Се в PbGa2S4 кроме основных трех интенсивных линий от магнитно-неэквивалентных центров, наблюдается ряд линий меньшей интенсивности, примерно на 1 — 2 порядка. Эти линии сгруппированы около основных линий церия и имеют сходные с ними угловые зависимости резонансных магнитных полей и ширины линий. На основании этих фактов, а также по оценке средних значений g факторов g, сателлитные линии также приписаны нами ионам 3+ Ce, локализованным в положениях свинца в решетке кристалла. Все три основных центра Ce (Се1, Се2 и Се3) проявляют аксиальную симметрию в плоскости (ab) кристалла. Резкие ориентационные зависимости линий их линий ЭПР в плоскости (bс) хорошо описываются спиновым гамильтонианом аксиальной симметрии с эффективным спином S = 1/2. Локальные магнитные оси основных центров церия совпадают с кристаллографической осью z тиогаллата свинца. Определены главные значения g тензора для наблюдаемых трех основных типов 3+ парамагнитных центров Ce.

3+ Наблюдается также зависимость ширины линий ЭПР иона Ce от ориентации кристалла PbGa2S4, уширение примерно в 10 раз при изменении угла от 0 до 90.

Это уширение, по-видимому, обусловлено неразрешенной суперсверхтонкой структурой спектров от ядер лигандов окружения парамагнитного центра.

Гетеровалентное замещение иона Pb на Ce в кристаллической решетке тиогаллата свинца требует зарядовой компенсации. Часть наблюдаемых дополнительных 3+ парамагнитных центров малой интенсивности, нами приписана тем ионам Се, в ближайшем окружении которых образуется дефект из-за локальной компенсации заряда. Симметрия окружения при этом меняется, главные магнитные оси таких центров отклонены на угол ± 5 от кристаллографической оси z, изменяются также параметры спинового гамильтониана. Магнитные оси трех основных центров Се, как уже отмечалось, совпадают с осью z кристалла, несмотря на отличие структурных положений свинца в решетке PbGa2S4.

Работа была поддержана Министерством образования и науки России по ГК 14.740.11.0048, Программой Российской академии наук: «Спин-зависимые эффекты в твердом теле и спинтроника», а также грантом РФФИ № 09-02-01409.

–  –  –

Литература

1. Д. Д. Крамущенко, Г. Р. Асатрян, А. В. Гурин. Тезисы докладов конференции ФизикА. СПб, 2010.

2. В. Н. Каменщиков и др. ФТТ, 49 (2), (2007).

–  –  –

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 552 7793, эл. почта: vladmashkov@yahoo.com Стремительное развитие микроэлектроники, сопровождаемое увеличением производительности процессоров, а также огромный рост мирового Интернет трафика требуют постоянного увеличения скорости передачи данных и пропускной способности каналов связи. Вследствие этого уже в настоящее время имеется острая необходимость в развитии оптических систем передачи информации, которое на данный момент сдерживается только отсутствием источника излучения, совместимого со стандартной кремниевой технологией. Именно по этой причине изучение оптического излучения из систем на основе кремния привлекает очень большое внимание.

В настоящей работе мы приводим результаты исследований электрои фотолюминесценции из кремниевых наноструктур, представляющих собой сверхузкую кремниевую квантовую яму p-типа проводимости, ограниченную барьерами, сильно легированными бором до концентрации N(B) = 5 10 см.

Такие ямы создаются на поверхности n-Si (100) в рамках стандартной кремниевой планарной технологии путём диффузии бора, контролируемой управлением потоками собственных междоузельных атомов и вакансий. Выполненные ранее [1, 2] исследования угловых зависимостей электронного парамагнитного резонанса, а также данные сканирующей туннельной микроскопии продемонстрировали, что наличие такой высокой концентрации бора приводит к образованию упорядоченной системы тригональных дипольных центров B - B с отрицательной корреляционной энергией, которые формируются вследствие реконструкции мелких акo + - цепторов бора, 2B B + B. Образование данной упорядоченной фазы сопрово

<

Примеси и дефекты в полупроводниках

ждается перестройкой энергетического спектра двумерного дырочного газа с формированием корреляционной щели в плотности состояний, что выражается, в частности, в появлении сверхпроводящих свойств -барьеров (Tc = 145 K), обнаруженных в процессе исследований температурных и полевых зависимостей удельного сопротивления, термоэдс, теплоёмкости и магнитной восприимчивости [3].

Было обнаружено, что в спектрах электро- и фотолюминесценции из таких наноструктур доминирует относительно интенсивная линия излучения с мощностью ~0.03 mW при комнатной температуре и прямом токе 50 mA. При этом излучение обладает высокой степенью поляризации, которая демонстрирует угловую зависимость, совпадающую с ориентацией дипольных центров бора, и может быть управляема посредством приложения дополнительного внешнего электрического поля параллельного плоскости структуры. Исследование интенсивности излучения в зависимости от различных внешних параметров, таких как температура, величина прямого тока и дополнительное латеральное электрическое поле, позволило предложить модель, объясняющую наблюдаемое поведение люминесценции, которая основана на донорно-акцепторной рекомбинации, происходящей между состояниями мелких доноров и состояниями дипольных центров бора и контролируемой с помощью внешнего латерального электрического поля.

Литература

1. N.T. Bagraev, N.G. Galkin, W. Gehlhoff et al. J. Phys.: Condens. Matter 20, 164202 (2008).

2. N.T. Bagraev, W. Gehlhoff, L.E. Klyachkin et al. Physica, 21 (2006).

3. Н. Т. Баграев и др. ФТП, 43, 1481 (2009).

–  –  –

Проблема оптической активации ионов редкоземельных металлов (РЗМ) в аморфном гидрогенизированном кремнии a-Si:(H) представляет большой интерес в связи с возможностью разработки на основе этого материала излучателей, используемых в волоконно-оптической связи, а также в связи с возможностью их интегрирования в кремниевую технологию. Однако, несмотря на очевидную не

<

Примеси и дефекты в полупроводниках

обходимость таких исследований, в литературе они практически отсутствуют.

Объясняется это трудностями экспериментального плана: легирование a-Si(Н), как правило, проводится из газовой фазы, тогда как РЗМ практически не имеют газообразных соединений, что затрудняет приготовление материала, необходимого для проведения исследований. Именно поэтому нами была разработана и реализована специальная технология получения легированного РЗМ a-Si(H).

В настоящей работе представлены наши результаты по исследованию влияния примесей РЗМ на свойства a-Si(H), полученного таким методом.

Пленки a-Si(H), легированные РЗМ, получали с помощью метода высокочастотного распыления мозаичной мишени в газовой смеси, содержащей аргон, водород и силан. Температура положки Тs была 550 или 650 К (при температуре подложки менее 550 К пленки a-Si(H) не удовлетворяют требованиям, предъявляемым к пленкам "приборного класса", а выше 650 К начинается частичная кристаллизация пленок). В качестве легирующих добавок использовали Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Ho, Dy, Yb. Чистота легирующих добавок 99.999%. Концентрацию примеси определяли с учетом коэффициента распыления и площади РЗМ на мозаичной мишени.

Были измерены следующие параметры полученных пленок: температурная зависимость темновой проводимости, фотопроводимость при освещении потоком 3.10 фотон/см.с, спектральная зависимость фотопроводимости, оптическая ширина запрещенной зоны Eo, термоэдс S при различных температурах. Зарядовое состояние примесей европия и диспрозия определялось с помощью мессбауэровской спектроскопии на изотопах Eu и Dy. Мессбауэровские спектры примесных атомов Eu и Dy в пленках a-Si (H) снимались при 295 К с источниками Sm2О3 и Gd2O3( Tb), соответственно. Образцы готовились с использованием металлических мишеней, обогащенных до 90% соответствующим изотопом. Для оценки концентрации водорода в пленках a-Si(Н) и для идентификации типа связей водорода с кремнием использовался метод ИК-спектроскопии.

Наилучшие фотоэлектрические параметры (минимальная темновая проводимость, максимальная фотопроводимость) реализованы при температуре подложки Тs = 650 K. При этой же температуре достигается и эффективное легирование пленок, тогда как при Тs = 550 K примесные атомы оказываются в электрически неактивном состоянии. Таким состояниям отвечают ассоциаты типа [примесь - дефект структуры], причем с повышением температуры подложки происходит разрушение указании ассоциатов и возрастает доля электрически активных атомов.

Примеси и дефекты в полупроводниках

Примесные атомы Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Но и Yb образуют в щели подвижности a-Si(H) полосу акцепторного типа, лежащую вблизи середины щели подвижности, и уровень Ферми оказывается локализованный в этой полосе. В зависимости от глубины залегания акцепторной полосы легированный материал при Т 300 К может быть дырочным (примеси Nd, Но), собственным (Sm, Ho) или электронным (Tb, Dy, Yb).

В области высоких температур (Т 400 К) проводимость осуществляется электронами по делокализованным состояниям зоны проводимости. Примесные атомы европия образуют в щели подвижности a-Si (H) полосу донорного типа, лежащую на 0.25 эВ ниже порога подвижности зоны проводимости, так что проводимость такого материала осуществляется электронами по делокализованным состояниям зоны проводимости. Такое отличие европия от всех РЗМ объясняется осо6ой устойчивостью полузаполненной 4f оболочки, характерной для атомов Eu.

Работа финансировалась в рамках Федеральной целевой программы "Научные и научно педагогические кадры инновационной России" (гос. Контракт № 02.740.11.0544).

Определение состава тройных халькогенидных стекол (AsySe1-y)1-xTex методом рентгенофлуоресцентного анализа.

А. В. Николаева Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия тел.: +7 904 607-74-77 эл.почта: anyuta_n@bk.ru Особенностью халькогенидных стеклообразных полупроводников является то, что они принадлежат к группе соединений переменного состава – в стеклообразном состоянии можно получать однородные материалы в широкой области составов. Однако отсутствие дальнего порядка в стеклах исключает из методов контроля за химическим составом систем типа AsxS1-x, AsxSe1-x, GexS1-x и GexSe1-x неразрушающего метода - рентгенофазового анализа. Присутствие в сплавах мышьяка приводит к существенным трудностям при определении их состава классических методов химического анализа (наличие специальной химической лаборатории, длительность анализа, большие погрешности в определении содержания химических элементов). Не менее важная задача – это определение концентрации примесей в исследуемых образцах.

Примеси и дефекты в полупроводниках

Все это стимулирует развитие новых методов определения количественного состава халькогенидных стекол. Одним из таких методов является метод рентгенофлуоресцентного анализа, который позволяет проводить не только качественный элементный анализ материала мишени, но и определять количественный состав.

В настоящей работе приведены экспериментальные результаты по определению количественного состава стеклообразных тройных сплавов систем (AsySe1-y)1-xTex.

Объектами исследований служили стеклообразные сплавы следующих составов: As0.4Se0.4Te0.2, As0.4Se0.571Te0.029, As0.4Se0.2Te0.4, As0.4Se0.3Te0.3, As0.364Se0.273Te0.364, As0.1Se0.8Te0.1, As0.15Se0.15Te0.7, As0.19Se0.19Te0.62, As0.37Se0.37Te0.26, As0.425Se0.425Te0.15, As0.45Se0.14Te0.41, As0.48Se0.5Te0.02, As0.5Se0.35Te0.15, As0.5Se0.45Te0.05, As0.5Se0.485Te0.015, As0.5Se0.499Te0.001, As0.5Se0.49Te0.01. Составы этих образцов приведены по составу исходной шихты, определенной с погрешностью ± 0.005. Стеклообразные сплавы не подвергались специальной механической обработке (шлифованию, полированию и др.). Спектры рентгеновской флуоресценции измерялись при значениях анодного напряжения от U = 11 до 50 кВ.

Спектры стеклообразных сплавов и соединений (AsySe1-y)1-xTex содержали все линии К-серий мышьяка, селена и теллура, причем наиболее интенсивные линии представляли собой суперпозицию их K1 и K2 компонент.

Поскольку отношение интенсивностей K-линий мышьяка, селена и теллура для исследованных образцов зависит от многих факторов (выходов флуоресценции, сечений поглощения как первичного, так и флуоресцентного излучений всеми атомами), то для определения концентраций мышьяка, селена и теллура в сплавах (AsySe1-y)1-xTex мы использовали метод стандарта. С этой целью измерялся рентгенофлуоресцентный спектр стандарта – As2Se3 в качестве стандарта объясняется тем, что он может быть получен в стеклообразном состоянии методом сплавления исходных компонент.

Для всех составов стекол (AsySe1-y)1-xTex интенсивность линии спектра, отвечающей атомам теллура, существенно меньше интенсивности линий мышьяка и селена. Это приводит к большой погрешности в определении площади под спектром теллура и, как результат, к весьма значительному разбросу экспериментальных точек на зависимостях типа хРФА = f (x). Поэтому состав стекол As-Se-Te записывался в виде (AsySe1-y)1-xTex, т.е. они представлялись в виде двух псевдобинарных систем: AsySe1-y и R1-xTex (где R = AsySe1-y). Рассматривалась зависимость yРФА = f (y) для псевдобинарной системы AsySe1-y, и зависимость хРФА = f(x) для

Примеси и дефекты в полупроводниках

псевдобинарной системы R1-xTex. Для спектра стандарта определялись площади под K1,2-линиями мышьяка SАs, селена SSe и теллура STe по соотношениям S Se STe yРФА и, где SAs, SSe и STe – площади под спекxРФА S As S Se S As S Se STe тральными линиями мышьяка, селена и теллура, а индекс «РФА» означает, что значения х и y определены из данных рентгенофлуоресцентного анализа с погрешностью ± 0.0001.

Для демонстрации такой возможности на графики дополнительно наносились экспериментальные значения xРФА для бинарных As-Se, так и тройных стекол As-Se-Te. Для всех образцов экспериментальные данные хорошо укладываются на градуировочные соотношения между величинами x и хРФА. Некоторый разброс данных объясняется большей погрешностью в определении x и y по составу исходной шихты по сравнению с погрешностью в определении хРФА и yРФА. Аналогичные зависимости получены и при значениях анодного напряжения 20 и 40 кВ.

Автор выражает искреннюю благодарность за руководство работой научному руководителю, профессору П. П. Серегину. Работа финансировалась в рамках Федеральной целевой программы «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» (гос. контракт № 02.740.11.0544).

–  –  –

В настоящее время для определения состава тройных халькогенидных стекол используется метод рентгенофлуоресцентной спектроскопии – анализ характеристического рентгеновского излучения мишени, возбуждаемого тормозным излучением рентгеновской трубки, позволяет проводить не только качественный элементный анализ материала мишени, но и определять количественный элементный состав.

В данной работе приведены экспериментальные результаты по определению количественного состава стеклообразных тройных сплавов систем Asx(GeySe1-y)1-x.

Примеси и дефекты в полупроводниках

Объектами исследований служили стеклообразные сплавы германиймышьяк-селен следующих составов: As0.111Ge0.25Se0.639, As0.2Ge0.167Se0.633, As0.25Ge0.3Se0.45, As0.333Ge0.167Se0.5, As0.345Ge0.086Se0.569, As0.4Ge0,2Se0.4, As0.4Ge0.1Se0.5, As0.476Ge0.48Se0.476. Составы этих образцов приведены по составу исходной шихты, определенной с погрешностью ± 0.005. Стеклообразные сплавы не подвергались специальной механической обработке (шлифованию, полированию и др.). Спектры рентгеновской флуоресценции измерялись при значениях анодного напряжения от U = 11 до 50 кВ.

Спектры характеристического рентгеновского излучения стеклообразных сплавов и соединений Asx(GeySe1-y)1-x содержали все линии К-серий германия, мышьяка, селена, причем наиболее интенсивные линии представляли собой суперпозицию их K1 и K2 компонент.

Поскольку отношение интенсивностей K-линий мышьяка, селена и теллура для исследованных образцов зависит от многих факторов (выходов флуоресценции, сечений поглощения как первичного, так и флуоресцентного излучений всеми атомами), то для определения концентраций мышьяка, селена и теллура в сплавах Asx(GeySe1-y)1-x мы использовали метод стандарта. С этой целью измерялся рентгенофлуоресцентный спектр стандарта – Ge2Se3 в качестве стандарта объясняется тем, что он может быть получен в стеклообразном состоянии методом сплавления исходных компонент.

Поглощение излучения тяжелой компоненты более легкой компонентой (что вызывает вторичную флуоресценцию последней и ведет к увеличению относительной интенсивности линии более легкой компоненты) приводит к разбросу экспериментальных точек на зависимостях типа хРФА = f (x).

Поэтому состав стекол Ge-As-Se записывался в виде Asx(GeySe1-y)1-x, т.е. они представлялись в виде двух псевдобинарных систем: GeySe1-y и R1-xAsx (где R = GeySe1-y). Рассматривалась зависимость yРФА = f (y) для псевдобинарной системы GeySe1-y и зависимость хРФА = f (x) для псевдобинарной системы R1-xAsx (в качестве стандарта использовался сплав Ge0.2As0.4Se0.4). Для спектра стандарта определялись площади под K1,2-линиями мышьяка SAs, германий SGe и селен SSe по соотношениям

–  –  –

Примеси и дефекты в полупроводниках что значения х и y определены из данных рентгенофлуоресцентного анализа с погрешностью ± 0.0001.

Для демонстрации такой возможности на графики дополнительно наносились экспериментальные значения xРФА как для бинарных Ge-Se, так и тройных стекол Ge-As-Se. Для всех стеклообразных образцов экспериментальные данные хорошо укладываются на градуировочные соотношения между величинами x и хРФА. Некоторый разброс данных объясняется большей погрешностью в определении x и y по составу исходной шихты по сравнению с погрешностью в определении хРФА и yРФА. Аналогичные зависимости получены и при значениях анодного напряжения 20 и 40 кВ.

Автор выражает искреннюю благодарность за руководство работой научному руководителю, профессору П. П. Серегину. Работа финансировалась в рамках Федеральной целевой программы «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» (гос. контракт № 02.740.11.0544).

–  –  –

Санкт Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия эл. почта: julieshafir@gmail.com ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 292-79-41, эл. почта: s_rodin77@mail.ru В последние годы произошел значительный прогресс в технологии и приборных применениях нитридных полупроводников. Стал актуальным вопрос об их более широком использовании, в частности в прецизионных детекторных структурах. Базисом для создания этих структур является кристаллически совершенный нитрид галлия, нитридные слои высокой чистоты, обладающие безупречными оптическими характеристиками. Кроме того, такие слои способны значительно улучшить параметры нитридных СВЧ-транзисторов на быстрых электронах, завоевывающих свое неординарное место на рынке сотовой и спутниковой связи, беспроводного Интернета, в радарах и системах радиопротиводействия.

Перспективы связаны с увеличением насыщенной скорости электронов, уменьшением теплового сопротивления в сверхчистом материале, так как канал двумерного электронного газа формируется обычно в слое нелегированного полупроводника. Также малое количество посторонних примесей и дислокаций

Примеси и дефекты в полупроводниках

в подложечных структурах непосредственно влияет на улучшение параметров лазерных и светодиодных структур. Особенностью роста нитридов методом хлоридной газофазной эпитаксии (ХГФЭ) является использование простых неорганических веществ, которые относительно легко поддаются очистке и являются доступными в виде материалов сверхвысокой степени чистоты. Также и химия процесса синтеза практически исключает загрязнение растущего слоя продуктами реакции. В ростовых системах ХГФЭ применяются такие конструкционные материалы и технология процесса, которые позволяют достичь выдающихся результатов по росту чистого арсенида галлия (GaAs), концентрация примесей в котором 15 -3 составляет Nd+Na10 см [2]. Таким образом, можно надеяться на значительный прогресс и в получении нитридных слоев высокой чистоты.

Для исследования слоев GaN, полученных методом ХГФЭ, были изучены спектры поглощения, фотолюминесценции, рентгеновской флюоресценции. Данные рентгеновской флюоресценции, полученные на установке XP-1Apt M, показали что объемные (100 мкм) слои нитрида галлия практически не содержат железа и других металлических примесей. Повышенная концентрация железа наблюдается в слоях на расстоянии 2-5 мкм от подложки и наиболее вероятно связана с его диффузионным проникновением из подложечной тэмплейт-структуры.

На этих толщинах также обнаруживаются следы алюминия, что предположительно связано с его диффузией из подложечной структуры, содержащей AlN-слои или, что менее вероятно, из подложки Al2O3. Фотолюминесцентные исследования при T=77K показывают высокую интенсивность линии экситона, полуширина и положение линии свидетельствуют о высоком структурном совершенстве и низком уровне напряжений в объемных слоях. Во всех спектрах ФЛ присутствует полоса донорно-акцепторной рекомбинации, интенсивность которой в объемных слоях значительно меньше интенсивности экситонного пика, а в тонких слоях (2 мкм) больше на целый порядок. Спектры поглощения слоев нитрида галлия демонстрируют, что плотность локализованных состояний в глубине запрещенной зоны (E 3 эВ) крайне мала как в объемном слое, так и в тонких слоях. Интересные результаты дает оценка ширины запрещенной зоны по линеаризованным спектрам поглощения образцов. Для объемного GaN получено значение Eg ~ 3,37 эВ (при Т=300 K), что хорошо коррелирует с данными фотолюминесцентных исследований. В тонких слоях наблюдается отклонение полученных значений в сторону меньших энергий (3,25 эВ). Это связывается с высокой плотностью локализованных состояний у границ запрещенной зоны, что в спектрах фотолюминесценции отражается в виде интенсивной полосы донорно-акцепторной рекомбинации.

Примеси и дефекты в полупроводниках Литература



Pages:     | 1 |   ...   | 3 | 4 || 6 | 7 |   ...   | 8 |
Похожие работы:

«АСТРОНОМИЯ I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ В соответствии с образовательным стандартом учебного предмета «Астрономия» целями его изучения являются овладение учащимися основами систематизированных знаний о строении Вселенной, обучение учащихся способности познавать закономерности развития природных процессов, их взаимосвязанность и пространственно-временные особенности, формирование понимания роли и места человека во Вселенной. К основным задачам изучения учебного предмета «Астрономия» на III ступени общего...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АЕЕНТСТВО НАУЧНЫХ ОРЕАНИЗАЦИЙ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук» (ИАПУ ДВО РАН) «СОГЛАСОВАНО» СДВЕННС; Зам. директора по научноДиректор ИАПУ ДВО РАН /^ S \ образовательцой и инновационной ^емик деятельности, д.ф.-м.н. Н.Г. Галкин Ю.Н. Кульчин сентября 2015 г. нтября 2015 г. ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ по специальной дисциплине Направление...»

«ПРОГРАММА вступительного экзамена по образовательным программам высшего образования– программам подготовки научно-педагогических кадров в аспирантуре по направлению подготовки 03.06.01 Физика и астрономия (очная и заочная форма обучения) направленность (профиль): 01.04.17 Химическая физика, горение и взрыв, физика экстремальных состояний вещества Содержание вступительного экзамена. № Наименование раздела п/п дисциплины Содержание Раздел 1. Строение вещества Основы квантовой теории...»

«АСТРОНОМИЯ I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ В соответствии с образовательным стандартом учебного предмета «Астрономия» целями его изучения являются овладение учащимися основами систематизированных знаний о строении Вселенной, обучение учащихся способности познавать закономерности развития природных процессов, их взаимосвязанность и пространственно-временные особенности, формирование понимания роли и места человека во Вселенной. К основным задачам изучения учебного предмета «Астрономия» на III ступени общего...»

«УТВЕРЖДАЮ Заместитель Министра образования Республики Беларусь _В.А. Будкевич «25»июня 2014 г. Инструктивно-методическое письмо Министерства образования Республики Беларусь «Об организации образовательного процесса при изучении учебного предмета «Астрономия» в учреждениях общего среднего образования в 2014/2015 учебном году» I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ В соответствии с образовательным стандартом учебного предмета «Астрономия» целями его изучения являются овладение учащимися основами систематизированных...»

«ПРАВИТЕЛЬСТВО САНКТ-ПЕТЕРБУРГА КОМИТЕТ ПО НАУКЕ И ВЫСШЕЙ ШКОЛЕ РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ГЛАВНАЯ (ПУЛКОВСКАЯ) АСТРОНОМИЧЕСКАЯ ОБСЕРВАТОРИЯ СОЛНЕЧНАЯ И СОЛНЕЧНО-ЗЕМНАЯ ФИЗИКА — 2014 XVIII ВСЕРОССИЙСКАЯ ЕЖЕГОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ С МЕЖДУНАРОДНЫМ УЧАСТИЕМ 20 – 24 октября 2014 года Санкт-Петербург Сборник содержит тезисы докладов, представленных на XVIII Всероссийскую ежегодную конференцию с международным участием Солнечная и солнечно-земная физика — 2014 (20 – 24 октября 2014 года, ГАО РАН,...»

«Федеральное государственное образовательное бюджетное учреждение высшего профессионального образования «МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ МЕЖДУНАРОДНЫХ ОТНОШЕНИЙ (УНИВЕРСИТЕТ) МИД РОССИИ» «УТВЕРЖДАЮ» Председатель Приемной комиссии Ректор МГИМО (У) МИД России академик РАН А.В. ТОРКУНОВ Программа вступительного экзамена для поступления в магистратуру МГИМО (У) МИД России по направлению «Зарубежное регионоведение» МОСКВА 2015 Порядок проведения вступительного экзамена по дисциплине «Основы...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО НАУЧНЫХ ОРГАНИЗАЦИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ СПЕЦИАЛЬНАЯ АСТРОФИЗИЧЕСКАЯ ОБСЕРВАТОРИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (САО РАН) ПРИНЯТО УТВЕРЖДАЮ решением Ученого совета Директор САО РАН, САО РАН № _322_ член-корр. РАН от «_16_» сентября 2014 г. Ю.Ю. Балега «_»_ 2014 г. ОБРАЗОВАТЕЛЬНАЯ ПРОГРАММА ПОДГОТОВКИ НАУЧНО-ПЕДАГОГИЧЕСКИХ КАДРОВ В АСПИРАНТУРЕ 03.06.01 ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ Направление подготовки 01.03.02 АСТРОФИЗИКА И ЗВЕЗДНАЯ Направленность...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР «КУРЧАТОВСКИЙ ИНСТИТУТ» Одобрено Советом по «УТВЕРЖДАЮ» Первый заместитель директора образовательной деятельности по научной работе НИЦ «Курчатовский институт» Протокол № 3 О.С. Нарайкин «25» сентября 2015 г. «25» сентября 2015 г. ОСНОВНАЯ ОБРАЗОВАТЕЛЬНАЯ ПРОГРАММА Уровень: подготовка научно-педагогических кадров (аспирантура) Направление подготовки кадров...»

«УТВЕРЖДАЮ Заместитель Министра образования Республики Беларусь _В.А. Будкевич «25»июня 2014 г. Инструктивно-методическое письмо Министерства образования Республики Беларусь «Об организации образовательного процесса при изучении учебного предмета «Астрономия» в учреждениях общего среднего образования в 2014/2015 учебном году» I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ В соответствии с образовательным стандартом учебного предмета «Астрономия» целями его изучения являются овладение учащимися основами систематизированных...»

«Муниципальное бюджетное общеобразовательное учреждение гимназия г. Гурьевска Рабочая программа учебного предмета астрономия_ в 11 классе (профильный уровень) (наименование предмета) Составила Матвеева В. В., учитель физики и астрономии Гурьевск 2015 г. Пояснительная записка Астрономия как наука о наиболее общих законах природы, выступая в качестве учебного предмета в школе, вносит существенный вклад в систему знаний об окружающем мире. Для решения задач формирования основ научного...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО НАУЧНЫХ ОРГАНИЗАЦИЙ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук» (ИАПУ ДВО РАН) «СОГЛАСОВАНО» «УТВЕРЖДАЮ» Руководитель направления Заместитель директора по научноподготовки аспирантов03.06.01 образовательной и инновационной «Физика и астрономия»,д.ф.-м.н. деятельности, д.ф.-м.н. _ Н.Г. Галкин _ Н.Г. Галкин « » сентября 2015 г. « » сентября 2015 г....»

«ТУРИЗМ КАК ФАКТОР СОЦИАЛЬНОЭКОНОМИЧЕСКОГО РАЗВИТИЯ ТЕРРИТОРИЙ ГАСТРОНОМИЧЕСКАЯ СОСТАВЛЯЮЩАЯ РЕГИОНАЛЬНОГО ТУРПРОДУКТА Абрамкина Т.Н., Иркутский государственный университет, г. Иркутск Гастрономический туризм в последнее время стремительно набирает обороты во всём мире. Однако если за рубежом данный сегмент довольно хорошо развит, то в России этот вид туризма только начинает зарождаться. Актуальность исследования обусловлена тем, что на сегодняшний день выбор гастрономических туров по России...»

«Федеральное государственное образовательное бюджетное учреждение высшего профессионального образования «МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ МЕЖДУНАРОДНЫХ ОТНОШЕНИЙ (УНИВЕРСИТЕТ) МИД РОССИИ» «УТВЕРЖДАЮ» Председатель Приемной комиссии Ректор МГИМО (У) МИД России академик РАН А.В. ТОРКУНОВ Программа вступительного экзамена для поступления в магистратуру МГИМО (У) МИД России по направлению «Зарубежное регионоведение»     МОСКВА 2015 Порядок проведения вступительного экзамена по дисциплине «Основы...»

«РОСЖЕЛДОР Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Ростовский государственный университет путей сообщения (ФГБОУ ВПО РГУПС) РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ Б1.В.ОД.6 ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ НАПРАВЛЕНИЕ ПОДГОТОВКИ 03.06.01 «Физика и астрономия» Ростов-на-Дону 2014 г. Цели и задачи дисциплины Целью дисциплины «Физика конденсированного состояния» является формирование у аспирантов углубленных профессиональных знаний в области...»

«ISSN 0552-5829 РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ГЛАВНАЯ (ПУЛКОВСКАЯ) АСТРОНОМИЧЕСКАЯ ОБСЕРВАТОРИЯ ВСЕРОССИЙСКАЯ ЕЖЕГОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ С МЕЖДУНАРОДНЫМ УЧАСТИЕМ СОЛНЕЧНАЯ И СОЛНЕЧНО-ЗЕМНАЯ ФИЗИКА – 20 ТРУДЫ Санкт-Петербург Сборник содержит доклады, представленные на XVIII Всероссийской ежегодной конференции с международным участием «Солнечная и солнечно-земная физика – 2014» (20 – 24 октября 2014 года, ГАО РАН, Санкт-Петербург). Конференция проводилась Главной (Пулковской) астрономической обсерваторией...»

«ISSN 0552-58 РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ГЛАВНАЯ (ПУЛКОВСКАЯ) АСТРОНОМИЧЕСКАЯ ОБСЕРВАТОРИЯ XIX ВСЕРОССИЙСКАЯ ЕЖЕГОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФИЗИКЕ СОЛНЦА СОЛНЕЧНАЯ И СОЛНЕЧНО-ЗЕМНАЯ ФИЗИКА – 2 ТРУДЫ Санкт-Петербург Сборник содержит доклады, представленные на XIX Всероссийскую ежегодную конференцию по физике Солнца «Солнечная и солнечно-земная физика – 2015» (5 – 9 октября 2015 года, ГАО РАН, Санкт-Петербург). Конференция проводилась Главной (Пулковской) астрономической обсерваторией РАН при поддержке...»

«ФизикА.СПб Тезисы докладов Российской молодежной конференции по физике и астрономии 28–30 октября 2014 года Санкт-Петербург Издательство Политехнического университета ББК 22.3:22.6 Ф 50 Организатор ФТИ им. А. Ф. Иоффе Спонсорами конференции ежегодно выступают Российский фонд фундаментальных исследований Российская академия наук Администрация Санкт-Петербурга Программный комитет Аверкиев Никита Сергеевич (ФТИ им. А. Ф. Иоффе) — председатель Арсеев Петр Иварович (ФИАН) Варшалович Дмитрий...»

«Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Тамбовский государственный университет имени Г.Р.Державина» «Утверждено» Решением Ученого совета ФГБОУ ВПО «Тамбовский государственный университет имени Г.Р.Державина» от 24 февраля 2015 г. протокол № 44 Ректор В.М.Юрьев ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ ПО НАПРАВЛЕНИЮ ПОДГОТОВКИ НАУЧНО-ПЕДАГОГИЧЕСКИХ КАДРОВ В АСПИРАНТУРЕ 03.06.01 «ФИЗИКА...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО НАУЧНЫХ ОРГАНИЗАЦИЙ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук» (ИАПУ ДВО РАН) «СОГЛАСОВАНО» «УТВЕРЖДАЮ» Руководитель направления Заместитель директора по научноподготовки аспирантов 03.06.01 образовательной и инновационной «Физика и астрономия», д.ф.-м.н. деятельности, д.ф.-м.н. _ Н.Г. Галкин _ Н.Г. Галкин « » сентября 2015 г. « » сентября 2015...»







 
2016 www.programma.x-pdf.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Учебные, рабочие программы»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.