WWW.PROGRAMMA.X-PDF.RU
БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА - Учебные и рабочие программы
 


Pages:     | 1 |   ...   | 4 | 5 || 7 | 8 |

«ФизикА.СПб Тезисы докладов 26 — 27 октября 2011 года Санкт-Петербург Организатор Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Спонсоры Российская академия наук Администрация ...»

-- [ Страница 6 ] --

1. М. В. Ботнарюк, Ю. В. Жиляев и др., ПЖТФ, 30, 25 (2004).

–  –  –

Санкт-Петербургский академический университет, Санкт-Петербург, Россия тел: (904) 518-79-57, эл. почта: Ivan.G.Savenko@gmail.com Университет Исландии, Рейкьявик, Исландия Международный Институт Фундаментальной Физики, Натал, Бразилия ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия Терагерцовый (ТГц) диапазон частот до сих пор является неохваченным современными технологиями ввиду отсутствия твердотельного источника излучения, который был бы компактным, надёжным и одновременно подстраиваемым.



Фундаментальной причиной, препятствующей созданию такого источника, является малость скорости спонтанного излучения ТГц фотонов: согласно золотому правилу Ферми, скорость спонтанной эмиссии составляет десятки обратных милисекунд, однако время жизни носителей в твёрдом теле обычно лежит в пикосекундном диапазоне ввиду эффективного рассеяния на акустических фононах [1].

Однако скорость спонтанной эмиссии может быть существенно увеличена за счёт эффекта Парселла, если ТГц микрорезонатор поместить в другой одномодовый резонатор, настроенный на ТГц частоту [2]. Но даже в этом случает приходится иметь дело с криогенными температурами для получения квантовой эффективности около 1% (для многокаскадной структуры).

Тогда было предложено [3] следующее решение: скорость спонтанного излучения ТГц фотонов может быть увеличена посредством бозонной стимуляции при излучательном переходе в основное состояние (конденсат). Такой переход, например, возможен между верхней и нижней поляритонными ветками дисперсии в полупроводниковом микрорезонаторе. Однако этот переход является запрещённым (матричный элемент равен нулю). Чтобы его разрешить, можно, например, верхнее состояние сделать гибридным, добавив в систему ещё один уровень экситона с отличной от "поляритонного" экситона чётностью. Тогда усиление спонтанной эмиссии посредством эффекта Парселла вместе с бозонной стимуля

<

Примеси и дефекты в полупроводниках

цией позволит на несколько порядков увеличить скорость спонтанной эмиссии и преодолеть рассеяние на акустических фононах.

Хорошо известно, что сильное поляритон-поляритонное взаимодействие в микрорезонаторе позволяет наблюдать много интересных нелинейных эффектов даже при невысоком уровне накачки, а именно, сверхтекучесть, бии мультистабильность, образование солитонов и др. Разумно предположить, что поляритон-поляритонное взаимодействие окажет и сильное влияние на поведение ТГц фотонов. К сожалению, квазиклассический подход, основанный на решении уравнения Больцмана [3], не позволяет должным образом описать когерентное взаимодействие ТГц фотонов с поляритонами, и возникает необходимость использовать более точный, полностью квантовый подход, предложенный нами [4].

Работа, описываемая в настоящих тезисах, посвящена как раз построению такого формализма, учитывающего следующие процессы, протекающие в микрорезонаторе: когерентное взаимодействие поляритон-ТГц фотон, поляритон-поляритонное взаимодействие, приводящие к "синему сдвигу" (англ.

blueshift) поляритонных мод и некогерентные процессы рассеяния на акустических фононах (взаимодействие с поляритонным резервуаром). В результате возникает возможность не только получить бистабильность (с гистерезисом) на пороговой характеристике (зависимости числа фотонов от накачки верхней поляритонной ветки), но и моделировать устройство ТГц переключателя (из состояния в котором число ТГц фотонов мало в состояние с большим числом фотонов).

Литература

1. I. A. Shelykh et al., Phys. Rev. B 83, 165316 (2011).

2. Y. Chassagneux et al., Nature 457, 174-178 (2009).

3. K. V. Kavokin et al., Appl. Phys. Lett. 97, 201111 (2010).

4. I. G. Savenko et al., arXiv:1103.1336, в печати в Phys. Rev. Lett.

Примеси и дефекты в полупроводниках Влияние магнитного вымораживания примесей на поглощение света в сверхчистых полупроводниках Г.М. Савченко2, Р.П. Сейсян1, М.С. Маркосов1 ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 123-45-67, эл. почта: rseis@ffm.ioffe.ru Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, Россия тел: +7 (911) 816-04-43, эл. почта: ngc_kju_5364@fromru.com Экспериментальные исследования диамагнитных экситонных поляритонов представляют собой одну из наиболее интересных и актуальных областей физики полупроводниковых наноструктур.





В данной работе в тонких пленках арсенида галлия и твердого раствора Al0.15Ga0.85As было изучено магнитопоглощение вблизи края фундаментального поглощения. Эти эксперименты показали неожиданную особенность в зависимости интеграла от коэффициента поглощения по частоте от магнитного поля: в то время как ожидался рост интегрального поглощения пропорционально квадрату магнитного поля, связанный с увеличением силы осциллятора экситона с полем, в начальной части зависимости при низких значениях B наблюдается падение поглощения. Таким образом, зависимость имеет вид кривой с минимумом в районе B=2 Тл, после которого (только при достаточно больших магнитных полях) наблюдается рост как B.

Основной целью данной работы будет теоретическое обоснование такого поведения интегрального поглощения; особое внимание уделено падающей части. Магнитное вымораживание примесей в полупроводниках состоит в том, что с ростом магнитного поля энергия связи электрона на доноре увеличивается, это приводит сокращению числа заряженных примесей и, как следствие, к уменьшению соответствующей диссипации. Зависимость интегрального поглощения от фактора диссипативного затухания дается формулой [1] в которой c – критическое значение затухания, Kmax – максимальное значение интегрального коэффициента поглощения, соответствующее насыщению. Эта формула показывает, что интегральное поглощение растет с почти линейно вплоть до значения Kmax, наблюдаемого при =c, и насыщается при дальнейшем увеличении диссипации.

–  –  –

Таким образом, в зависимости интегрального поглощения от магнитного поля отчетливо проявляется конкуренция двух механизмов: падение, связанное с магнитным вымораживанием, и рост, связанный с увеличением силы осциллятора.

Статистические расчеты количества ионизованных примесей были проведены по разным моделям: с учетом и без учета компенсации, а также флуктуаций в распределении примесей. Кроме того, была оценена роль толщины исследуемых образцов.

Результаты расчетов позволили объяснить экспериментально полученные зависимости.

Литература

1. Ахмедиев Н.Н. ЖЭТФ, 79 (4), (1980).

Идентификация мелких доноров и центров окраски в монокристаллических подложках нитрида алюминия В. А. Солтамов, И. В Ильин, А. А. Солтамова, Ю. Н. Макаров, Е. Н. Мохов, П. Г. Баранов ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия тел:(812) 292-73-20, эл. почта: victor_soltamov@mail.ru Номинально чистые кристаллы AlN имеют проводимость n-типа и характеризуются высоким сопротивлением, что обусловлено как наличием дефектов с глубокими уровнями, компенсирующими мелкие примеси, так и самокомпенсацией мелких доноров в силу особых физических свойств последних, приводящих к образованию глубоких уровней в результате релаксационных процессов (DX релаксация) [1, 2]. Наряду с оптимальными электрическими свойствами материала важно получение кристаллов оптически прозрачных, то есть выявление и подавление центров окраски, как это делалось на протяжении долгого времени при исследовании ионных диэлектрических кристаллов. Таким образом, важной прикладной задачей является с одной стороны найти примесь, позволяющую надежно получить n тип проводимости при комнатной температуре не подверженной DX релаксации, а с другой стороны, идентифицировать центры с глубокими уровнями, приводящие к ионизации донорной примеси, а также к появлению окраски кристаллов AlN, препятствующей их применению для оптоэлектроники. Именно решению этих задач и посвящена настоящая работа, в которой методы электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) и оптические используются для идентификации мелких доноров и центров окраски в монокристаллических подложках AlN.

Примеси и дефекты в полупроводниках Исследовались несколько типов кристаллов AlN, выращенных сублимационным реконденсационным сэндвич методом (PVT) [3]. Цвет кристаллов заметно отличался, что обусловлено различными условиями роста.

Три типа мелких доноров, обозначенные нами как D1, D2 и D3, были идентифицированы в настоящей работе в кристаллах AlN, отличающиеся шириной линий ЭПР, обусловленной неразрешенными сверхтонкими взаимодействиями с лигандами, что позволило установить позицию примеси в решетке кристалла.

Примеси, ответственные за создание D1 и D2 мелких доноров, которые мы идентифицируем как кислород и углерод, подвержены DX релаксации и, очевидно, не являются подходящими кандидатами для применений. Целый ряд работ посвящен выяснению пригодности примеси кремния для создания мелких доноров в AlN. В литературе были приведены аргументы в пользу как DX релаксации мелких доноров на основе примеси кремния, так и приводились противоположные аргументы. При этом предполагалось, что спектры ЭПР, приписываемые примеси кремния, характеризуются чрезвычайно узкой линией ЭПР (менее 0.1 mT) с изотропным g фактором. Эти спектры ЭПР ранее наблюдались только после оптического возбуждения при низкой температуре и затем при нагревании исчезали в области температур примерно 50 К. [4] В настоящей работе удалось наблюдать спектры ЭПР этих центров (обозначенных D3) при комнатной температуре без оптического возбуждения, таким образом, модель DX релаксации для D3 мелких доноров, обусловленных примесью кремния, может быть исключена из рассмотрения. Исследование оптических характеристик AlN, скоррелированных с ЭПР измерениями, показало, что наличие вакансий азота в нейтральном зарядовом состоянии приводит к появлению полосы поглощение с максимумом на длине волны = 450нм. Использую метод термолюминесценции, была определена энергия активации этого уровня порядка 0.75эВ.

Данная работа была поддержана Министерсвом Образования и Науки РФ (гос.контракты No. 14.740.11.0048, No. 14.740.11.0048). Программами Российской академии наук «Спин-зависимые эффекты в твердых телах и спинтроника», «Фундаментальные исследования нанотехнологий и наноматериалов», Российским фондом фундаментальных исследований по грантам No. 09-02-01409 и No. 09-02-00730.

Литература

1. C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 57, R2033 (1998).

2. S. B. Orlinskii et al., Phys. Rev. Lett. 100, 256404 (2008).

3. E.N. Mokhov et al., J. Cryst. Growth 281, 93 (2005).

4. R. Zeisel et al., Phys. Rev. B 61, R16283 (2000).

СОВРЕМЕННЫЕ ПРОБЛЕМЫ

ГИДРО- И АЭРОДИНАМИКИ

Дифракционные структуры на основе стеклометаллических нанокомпозитов.

М. И. Петров1, О. В. Шустова2, А. А. Липовский2, Ю. П. Свирко3 Санкт- Петербургский академический университет, Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 297-21-45, эл. почта: trisha.petrov@gmail.com Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 297-2095, эл. почта: shustova.o@gmail.com University of Eastern Finland, Joensuu, Finland, эл. почта: ysvirko@uef.fi Представляемая работа посвящена изучению оптических свойств стеклометаллических нанокомпозитов (стекол, содержащих металлические наночастицы), а также дифракционных структур, созданных на их основе. В работе обсуждаются методы их создания и исследования. Представлены также результаты теоретического анализа спектральных свойств дифракционных структур, а также возможность их применения для исследования поверхностных плазмон-поляритонов в стеклометаллических нанокомозитах.

На сегодняшний день оптические свойства сред, содержащих наночастицы благородных металлов, являются темой большого числа исследований [1]. Наличие поверхностного плазмонного резонанса в металлических наночастицах радикально меняет свойства диэлектрических сред, в которые они помещены. Мощное оптическое поглощение в видимом диапазоне, положением которого можно управлять, модифицируя параметры нанкомпозита, обеспечивает возможность приборного применения таких сред. Большое внимание исследователей привлекают последнее время нелинейные свойства композитных сред [2, 3] за счет

Современные проблемы гидро- и аэродинамики

большой скорости нелинейного отклика. Особенности оптических свойств нанокомпозитов должны быть учтены и использованы при создании фотонных структур на их основе.

В данной работе исследуются свойства дифракционных решеток на основе серебряного и медного нанокомпозита, как простейшего примера фотонных структур. Исследуемые решетки были созданы как с помощью стандартного метода плазменного травления, так и с помощью эффекта электрополевого растворения, позволяющего модифицировать нанокомпозиты и управлять профилем заполнения наночастиц в стекле [4, 5]. В работе экспериментально и теоретически изучено влияние состава и свойств нанокомпозитов на спектры оптической дифракции. В частности, продемонстрировано наличие области сильного оптического поглощения, положение которой определяется концентрацией наночастиц в стекле. В работе также обсужден вопрос возбуждения плазмон-поляритонов в стеклометаллических нанокомпозитах с помощью исследуемых дифракционных решеток поверхностных. Распространение поверхностных плазмонов приводит к «двойному» усилению полей вблизи наночастиц – за счет локализации полей поврехностного плазмон поляритона, а также за счет усиелинеи поля вблизи поверхностного плазмонного резонанса отдельной наночастицы. Такое взаимодействие полей может привести, в частности, к усилению нелинейных оптических эффектов, наблюдаемых в нанокомпозитах.

Литература

1. U. Kreibig, M.Vollmer. Optical Properties of Metal Clusters, (Springer: Berlin) 532, (1995).

2. J.-Y. Bigot, V. Halte, J.-C. Merle, A. Daunois. Chem. Phys. 251, 181 (2000).

3. M.Halonen, A. A. Lipovskii, Y. P. Svirko. Opt. Express 15, 6840 (2007).

4. Podlipensky et al, J.Phys.Chem. B 108, 17699 (2004).

5. A.A. Lipovskii et al. JAP, 109, 011101, (2011)

–  –  –

Влияние локального энерговыделения на сопротивление и тепловой поток к поверхности затупленного тела в сверхзвуковом потоке: математическое моделирование в вычислительной среде OpenFOAM М. А. Лапина1, Е. А. Пивоварова 1, А. С. Чернышев2 Санкт Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия эл. почта: pivovarova-elena@yandex.ru 2 ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 292-71-45, эл. почта: alexander.tchernyshev@mail.ioffe.ru Исследования в области управления сверхзвуковыми летательными аппаратами представляют большой практический и научный интерес, как в силу прогресса в области авиастроения, так и из-за сложности рассматриваемых явлений. Локальное энерговыделение в набегающем потоке является одним из способов контроля обтекания тела. В натурных экспериментах энерговыделение организуется с помощью фокусирования лазерного луча, либо электрическим пробоем вблизи тела. Энергия, необходимая для достаточного разогрева газа, высока, а характерное время процесса мало, что создает большие трудности при проведении экспериментов. С учетом сказанного, численное моделирование представляется хорошей альтернативой натурному эксперименту.

Для проведения расчетов использовался пакет с открытым исходным кодом OpenFOAM, который предоставляет возможность расчета сверхзвуковых течений сложной структуры. Используемая математическая модель включает в себя уравнения Навье-Стокса, дополненные уравнением сохранения энергии и уравнением состояния для газа. Локальное энерговыделение задается в небольшой области перед обтекаемым телом и моделируется с помощью источникового члена в уравнении сохранения энергии. В рассматриваемой задаче интенсивность энерговыделения задается в соответствии с работой [1].

Численный алгоритм основан на методе конечных объемов. Системы линеаризованных уравнений решаются с использованием алгоритма, использующего связанные переменные. В OpenFOAM реализованы схемы высокой точности дискретизации по пространству, которые позволяют разрешать ударные волны.

В работе представлен расчет продольного сверхзвукового обтекания тела, представляющего собой затупленный цилиндр. Для простоты предполагается, что течение осесимметрично, а область энерговыделения имеет вид соосного с телом цилиндра малого радиуса и удлинения. В соответствии с требованиями Open

<

Современные проблемы гидро- и аэродинамики

FOAM расчет течения проводится в небольшом секторе, имеющем по азимутальной координате одну расчетную ячейку. На входе в область задаются полное давление и число Маха набегающего потока, на выходе - статическое давление, а на поверхности тела – условие прилипания и температура.

Результаты расчета сравнивались с имеющимися экспериментальными и расчетными данными. Проведен анализ влияния энерговыделения на положение головной ударной волны, а также проведена оценка изменения теплового потока на теле и сопротивления по сравнению с обычным обтеканием.

–  –  –

Литература

1. O.A. Azarova, D. Knight and Yu.F. Kolesnichenko. Proc. of 4th European Conference for Aerospace Sciences, Saint Petersburg, Russia, (2011).

Физические процессы протекающие при транспорте заряженных частиц из области атмосферного давления в газодинамический интерфейс масс-спектрометра.

Н. С. Фомина1, А. В. Кретинина2, С. Масюкевич2, А. Н. Баженов3, С. В. Булович4, Н. Р. Галль1 ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 297-22-45, Эл. почта: kolomna.88@mail.ru Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург, Россия тел.: (812) 251-86-00, Эл. почта: iap@ianin.spb.su НИИ Океангеология им. Гринберга, Санкт-Петербург, Россия тел.: (812) 714-14-70, эл. почта: a_bazhenov@inbox.ru Санкт Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия тел.: (812) 552-98-42, эл. почта: office@spbstu.ru Увеличение потребности в аналитических методах исследования вещества в медицине, биологии, криминалистики и т.п., а также требований к их точности и чувствительности, повлекло бурное развитие в применении массспектрометрических методов с ионизацией на атмосферном давлении (ESI, API, MALDI, ICP). Одной из важнейших задач является ввод образовавшихся ионов в высоковакуумную часть масс-спектрометра через газодинамический интерфейс без значительных потерь и дискриминаций.

Современные проблемы гидро- и аэродинамики

В современной масс-спектрометрии процесс ионизации и масс-анализа, как правило, пространственно разделен: ионы образуются в области атмосферного давления и поступают в высоковакуумную область через газодинамический низковакуумный интерфейс. Транспорт заряженных частиц из области атмосферного давления в интерфейс осуществляется либо через тонкое сопло, либо через специальный капилляр. Второй вариант удобнее с точки зрения компоновки источника ионов, однако, может приводить к гибели части частиц, особенно обладающих высокой диффузионной способностью.

Физические процессы, связанные с транспортом заряженных частиц активно исследуются многими научными группами в России и за рубежом, а эти работы активно финансируются крупными приборостроительными компаниями. Существуют различные системы, обеспечивающие такой перенос частиц, но однозначного решения по созданию оптимального устройства для транспорта заряженных частиц до сегодняшнего дня не существует. При разработке таких систем необходимо учитывать как влияние газового потока, так и роль электрических полей.

В своей работе мы исследовали прохождение заряженных частиц через транспортные капилляры с соотношением длины к диаметру от 1 до 400 в практически важном диапазоне температур 300 - 450К. Полученные результаты сравнивались с теоретическим расчетом диффузии ионов и капель на стенки капилляра, выполненные с учетом реального распределения давлений и скоростей газа в сопле и в капилляре. Показано, что имеют место хорошее согласие выполненных расчетов с полученными экспериментальными результатами.

Исследования проводились по заказу международной компании Shimаdzu corp (Япония) и позволили повысить эффективность ввода пробы в массспектрометр. По результатам исследований в настоящее время подготавливается патент.

ФИЗИКА И ТЕХНОЛОГИЯ

ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЭНЕРГИИ

Увеличение эффективности использования сегнетоэлектриков в качестве элементов альтернативных источников энергии В. И. Зубцов Полоцкий государственный университет, Новополоцк, Беларусь тел: (10375214) 52-19-45,эл.почта:subcv@rambler.ru В работе рассматривается возможность увеличения удельной электрической мощности сегнетоэлектриков, как элементов альтернативных источников энергии (энергоустановок).

Как известно, на выходе электромеханических преобразователей с использованием сегнетопьезоактивной керамики трудно получить токи более 1мА, т.к. на низких частотах они обладают большим внутренним электрическим сопротивлением, а на высоких - работа затруднительна из-за перегрева, приводящего к деполяризации сегнетоэлектрика.

Поскольку получение энергии от сегнетоэлектриков основано на разделении зарядов твердого раствора и образовании при этом ЭДС, уменьшение внутреннего сопротивления можно рассматривать, как увеличение подвижности носителей зарядов – ионов твердого раствора сегнетоэлектрика. Для этого предлагается использование сегнетоэлектриков с минимальным температурным гистерезисом в области фазового перехода, желательно 2 рода. Имеются и еще некоторые аспекты решения этой инженерно-физической задачи: выбор (разработка) материа

<

Физика и технология преобразования энергии

ла сегнетоэлектрика и типа его колебаний, конструкции и температурного режима и др. [1, 3, 4].

На основе механической модели пьезосистемы управляющего типа [2, 4] проведена численная оценка электрической мощности, позволяющая теоретически оценить реализуемость данного проекта, как менее затратную и, возможно, более эффективную альтернативу используемому для электротяги гибридному модулю с использованием, например, литий - ионных батарей.

Предварительные расчеты показывают возможность получения удельной электрической мощности более 1кВт/кг на низкоомной нагрузке таких электромеханических преобразователей с использованием пьезоэлектрического эффекта.

Литература

1. В.И.Зубцов. Приборы и системы. Управление, Контроль, Диагностика. 2, (2000).

2. В.И.Зубцов. Вестник Полоцкого государственного университета. Сер.

Фундаментальные науки, 12, (2004).

3. В.И.Зубцов. Приборы и средства автоматизации.12, (2002).

4. А.И.Трофимов. Измерительные преобразователи механических величин. Томск, «ТПИ», 1979.

Оценка параметров модели термодесорбции водорода Е. К. Костикова, Ю. В. Заика Институт прикладных математических исследований КарНЦ РАН, Петрозаводск, Россия тел: (8142) 76-63-12, эл. почта: fedorova@krc.karelia.ru, zaika@krc.karelia.ru Водород рассматривается как один из перспективных экологически чистых энергоносителей. Кроме того, безопасность систем транспортировки и переработки углеводородного сырья во многом определяется уровнем защиты конструкционных материалов от водородной коррозии. Экспериментальный метод термодесорбционной спектрометрии (ТДС) является одним из основных при исследовании взаимодействия водорода с твердым телом [1, 2]. Пластина толщины l из металла или сплава, нагретая до температуры T=T, находится в камере с газообразным водородом под давлением. После насыщения растворенным атомарным водородом образец быстро охлаждается (отключается ток нагрева), камера вакуумируется, и в условиях медленного нагрева с помощью масс-спектрометра определяется десорбционный поток. По этой информации судят о характеристиках взаимодействия водорода с исследуемым материалом.

Физика и технология преобразования энергии

Рассмотрим симметричную по постановке эксперимента нелинейную краевую задачу ТДС-дегазации:

–  –  –

Цель работы состоит в разработке вычислительного алгоритма для определения по плотности потока термодесорбции, (, ) параметров,,,, характеризующих водородопроницаемость конструкционного материала.Алгоритм параметрической идентификации модели строится на основе интегральных операторов обработки измерений, что влечет помехо

–  –  –

устойчивость решения обратной задачи. В докладе представлены результаты вычислительных экспериментов.

Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант 09-01-00439) на вычислительном кластере КарНЦ РАН.

Литература

1. Водород в металлах / ред. Г. Алефельд, В. Фёлькль. М.: Мир, 1981. Т.1. 506 c., T.2. 430 c.

2. Взаимодействие водорода с металлами / ред. А. П. Захаров. М.: Наука, 1987. С. 177–206.

Портативное зарядное устройство на основе воздушноводородного топливного элемента Д.В.Кошкина, А.А.Нечитайлов, Н.В.Глебова, Е.Е.Терукова Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, Россия ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия Работа посвящена актуальному научно-техническому направлению. Об актуальности разработок в области водородной энергетики много сказано и написано, однако, можно выделить три основных фактора определяющих эту актуальность.

Прежде всего, это ресурсно-экологические проблемы, связанные с использованием традиционных источников энергии; политические аспекты, заключаются в том, что многие передовые страны давно и активно занимающиеся водородной энергетикой, достигли в этой области больших успехов, и мы не должны отставать от них; внешнеэкономический фактор, указывает на то, что в случае успехов в этой области мы сможем продавать, а не покупать высокотехнологичные продукты водородной энергетики.

К сожалению, существуют определенные проблемы, которые в общих чертах заключаются в несовершенстве технологий, что влечет за собой высокую себестоимость. Интересным было провести цепочку действий от исследований до изготовления конечного продукта, поэтому целью работы явилось: проектирование конструкции компактного источника тока, выбор каталитического материала, с повышенной эффективностью катализа и разработка технологии нанесения каталитических слоев.

Для того что бы достигнуть поставленной цели, были сформулированы следующие задачи: исследовать различные катализаторы и выбрать наиболее эффективный, создать лабораторную технологию формирования КС с высоким коэффиФизика и технология преобразования энергии циентом использования, а так же разработать и изготовить конструкцию эффективного источника тока. В соответствии с этим можно выделить три основных этапа работы.

Сравнительное исследование каталитических материалов. Для этого были использованы три основных метода: дифференциально-термический анализ (ДТА), циклическая вольтамперометрия (ЦВА), и метод дискового вращающегося электрода (ДВЭ).

Метод ДТА был использован для определения содержания платины в катализаторах, он заключается в сжигании точной навески катализатора при постепенном повышении температуры до 1000°С, и определении % платины по оставшейся массе. Из деривотограмма дифференциально-термического анализа для композитаследует, что остаточная доля платины в нем после сжигания составила около 19,5 %. Аналогично были проведены исследования двух других систем.

Метод ЦВА использовали для определения электрохимически активной поверхности платины, по адсорбции/десорбции водорода, а так же для очистки поверхности платины перед проведением измерений. Из циклической вольтамперограммы процесса очистки поверхности платины следует, что при каждом новом цикле токи адсорбции/десорбции водорода возрастали до насыщения.

Очистку проводили каждый раз, перед измерением плотностей кинетических токов. По области заряда, потраченного на десорбцию водорода, вычислялась электрохимически активная поверхность платины.

Метод ДВЭ использовали для измерения плотностей кинетических токов в электродной реакции восстановления молекулярного кислорода.

Получена полярограмма восстановления молекулярного кислорода на ДВЭ, содержащим тонкий слой катализатора. Полярограммы сняты при разных скоростях вращения электрода от одной до шести тысяч оборотов в минуту. По этим полярограммам, с использованием уравнения Каутецкого-Левича были построены кинетические кривые. Кривые строили при потенциале 450 мВ, что соответствует рабочей точке мембранно-электродных блоков. Полученные результаты сведены в таблицу, из которой видно, что композит имеет существенно более высокую плотность кинетического тока, именно он и был выбран для использования в каталитических слоях, как наиболее активный.

Таким образом, были исследованы 3 каталитических системы: Pt на углеродной саже, Pt на МСУНТ, и нанокомпозит Pt на углеродной саже с ФМСУНТ.

–  –  –

Не менее важным при создании эффективного источника тока, является наличие эффективной технологии каталитических слоев. Имеется в виду, то что, слои должны быть равномерными по толщине и составу, иметь хорошую адгезию к поверхности протонопроводящей мембраны и низкое контактное сопротивление. А технология должна иметь максимально возможный Ки и иметь воспроизводимые результаты.

Существуют различные методы нанесения КС, при разработке технологии было опробовано три принципиальных метода: метод намазывания метод, который хоть и обладал наилучшим коэффициентом использования (порядка 80%), но к сожалению не позволял создавать равномерные по толщине слои. Метод электродиспергирования, заключающийся в создании потоков микрокапель проводящей жидкости, вследствие развития капиллярной неустойчивости в сильном электрическом поле привлекал тем, что должен был позволить формировать равномерные слои с низким контактным сопротивлением, однако при его реализации возникли проблемы связанные с невоспроизводимостью результатов и прорывом мембраны. Метод был оптимизирован, проблемы решены, но попытка адаптировать его не большие площади не увенчалась успехом. Поэтому был опробован метод пульверизации (спрей-метод), основанный на нанесении слоя материала в виде аэрозоля с помощью форсунки, действующей под давлением сжатого воздуха. Данный метод продемонстрировал воспроизводимые результаты по нанесению равномерных слоев. Поэтому именно он был взят за основу технологии формирования КС для разрабатываемого устройства. Данный метод удалось адаптировать для создания КС большой площади. Технология имеет коэффициент использования равный 35%, что для лабораторной технологии является достаточно хорошим результатом. Параллельно были разработаны оптимальные составы для каталитических чернил и рассчитаны массы загрузок компонентов. МЭБ полученные по разработанной технологии с использованием выбранного каталитического материала, были исследованы методом разрядных кривых. Достигнутая мощность существенно превышает мощность в случае стандартного катализатора.

Расчет параметров конструкции, начинался с расчета площади КС, необходимой для обеспечения номинальной мощности 5 Вт. Поскольку ранее удалось установить, что МЭБ на основе выбранного катализатора способен выдавать 450 мВт/см, то было сделано предположение что в реальных условиях работы, этот параметр будет не ниже 100 мВт/см. Таким образом общая площадь КС составила 50 см. Теперь оставалось определить из скольки МЭБ будет реализована эта площадь. В связи с этим было произведено проектирование вариантов конструкций с различным количеством МЭБ от 1 до 50.

Физика и технология преобразования энергии Задачей этого этапа было создание конструкции с минимальными массогабаритными параметрами, а поскольку материалы для изготовления устройства уже были определены, то зная их плотность и геом-кие размеры, было не сложно рассчитать массу и объем для каждого варианта конструкции. Но основе полученных данных было определено что размеры и масса увеличиваются при увеличении количества МЭБ, однако исходя из термодинамических соображений, возможностей DC/DC преобразования и принципа минимума трудоемкости, был выбран вариант из четыреx МЭБ.

Немаловажную роль в эффективности разрабатываемого устройства играет правильный подбор материалов, в данном случае основополагающими факторами явились: цена, доступность, электрохимическая инертность и легкость в обработке. Основными материалами явились: оргстекло, графлекс, углеродная бумага и протонпроводящая мембрана Nafion.

На основе разработанного проекта была спроектирована 3D модель устройства, а затем было изготовлено само изделие.

В соответствии с поставленными задачами, была произведена сравнительная оценка электрокаталитической активности трех катализаторов и выбран лучший материал. Была разработана эффективная технология КС, позволяющая получать равномерные слои, площадью 12,5 см при Ки=35%. И наконец, была разработана конструкция источника тока номинальной мощностью 5 Вт и создан работающий образец.

Разработка технологии формирования просветляющих покрытий для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии методом ВЧ-магнетронного распыления Д. А. Кудряшов1, Д. А. Минаков2, А. С. Гудовских1 Санкт-Петербургский академический университет, Санкт-Петербург, Россия.

тел: (812) 448-69-80, эл. почта: kudryashovda@gmail.com Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, Россия Альтернативные источники энергии привлекают все большее внимание, особенно в последнее время в связи с возросшим числом техногенных аварий. Солнечная энергия на сегодняшний день является наиболее доступной, а фотопреобразователи солнечного излучения совершенствуются с каждым днем.

Физика и технология преобразования энергии

В то же время остается актуальной проблема, связанная с потерями на отражение части солнечного света от границы фотоэлемента, проявляющаяся в снижении КПД солнечного фотопреобразователя. С этой точки зрения работа, посвященная разработке технологии формирования просветляющих покрытий для фотоэлектрических преобразователей, представляется весьма актуальной, учитывая ко всему прочему тот факт, что приведённые в научной литературе технологические режимы получения просветляющих покрытий зачастую неполны и порой крайне противоречивы.

Целью данной работы является разработка технологии формирования просветляющих покрытий SiOx и TiOx для солнечных фотопреобразователей методом ВЧ-магнетронного распыления; определение зависимостей свойств данных покрытий от условий распыления и выбор наилучших условий получения просветляющих покрытий.

Формирование слоёв SiOx/TiOx проводилось на установке ВЧ-магнетронного распыления BOC EDWARDS Auto 500RF Sputter Coater, расположенной в "чистой комнате" Академического университета. Напыление тонких пленок производилось при мощности магнетрона 250—450 Вт и давлении в рабочей камере 10 мбар. В качестве рабочего газа для поддержании плазмы использовался аргон марки «в.ч.» (99,999%). Для выращивания оксидных слоёв в камеру дополнительно подавался кислород. Использовались титановая и кремниевая мишени диаметром 3”. Напыление слоев производили на подложках из монокристаллического Si(100) и стеклянных пластинах. Скорость вращения подложкодержателя составляла 1 об/сек. Контроль толщины полученных слоёв проводился при помощи профилометра AMBiOS XP-1. Показатель преломления определялся на эллипсометре HORIBA JOBIN YVON. Удельное сопротивление тонких пленок определяли при помощи прецизионного мультиметра Keithley 6517B.

Было определено, что скорость роста слоя осаждаемых слоев максимальна и постоянна на расстоянии 06 см от центра подложкодержателя, при большем отдалении скорость роста снижается, что связано с особенностями расположения магнетрона относительно подложки. Было показано, что скорость роста кремния также как и титана экспоненциально спадает с повышением парциального давления аргона в рабочей камере. Дальнейшие эксперименты проводили при потоке аргона в камеру 2 см /мин.

Введение кислорода в рабочий объем приводило к формированию на подложке оксидных соединений — SiOx либо TiOx, в зависимости от используемой мишени. При этом незначительное повышение парциального давления кислорода приводило к резкому снижению скорости роста. Были выращены 200 нм слои

Физика и технология преобразования энергии

оксида кремния и оксида титана на кремнии и стекле при условиях, соответствующих их максимальной скорости роста; определены показатели преломления пленок и величины их удельного сопротивления. Показатели преломления оксида кремния и титана составляют 1,48 и 2,17 соответственно. Удельное сопротивление SiO2 составляет 3,5 10 Омсм, а TiO2 - 10 Омсм. Таким образом, разработанная нами технология формирования оксидных пленок титана и кремня вполне может быть применима для создания просветляющих покрытий для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии.

Исследование поверхностных явлений на границе раздела диэлектрических и полупроводниковых слоев в фотоэлектрических преобразователях В. В. Мокроусов, Н. М. Лебедева Санкт-Петербургский электротехнический университет «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, Россия тел: +7 950 012-26-41, эл. почта: wh1rlw1nd@rambler.ru Современные тенденции в мировой энергетике стимулируют существенный рост интереса к альтернативным источникам энергии [1]. Одним из главных показателей всех ФЭП является их эффективность преобразования – величина, показывающая, какой процент мощности падающего на Землю солнечного излучения можно преобразовать в электрическую [2]. Поэтому важнейшей задачей всех лабораторий мира, работающих в сфере фотовольтаики, является поиск новых подходов, методов изготовления и технологий ФЭП, которые позволили бы увеличить этот показатель. Из огромного числа таких подходов, одним из перспективных направлений исследований является использование диэлектриков в качестве пассивации поверхности СЭ. Пассивирующие покрытия нацелены на то, чтобы, в частности, снизить темпы окисления на воздухе всей структуры (то есть защитить структуру от негативного воздействия среды) и уменьшить скорости рекомбинации носителей.

В работе было уделено внимание исследованию явлений на границе раздела диэлектрических пассивирующих слоев на границе мез-травления GaInP/GaAs/Ge трехпереходных фотопреобразователей. Была разработана методика исследований, основанная на измерениях темновых вольт-амперных характеристик ФЭП.

Для исследования зависимости вклада поверхностных и/или объемных электрических явлений, протекающих во всей структуре, на основе эпитаксиальных гете

<

Физика и технология преобразования энергии

роструктур GaInP/GaAs/Ge ФЭП изготавливались образцы с меза-структурами (нефоточувствительные площадки со сплошным электродом) различных диаметров (маленькие, средние и большие). Такое различие в размерах мез дает возможность оценить вклад явлений, протекающих на поверхности. Данное предположение строится на том, что вклад явлений, протекающих на поверхности, увеличивает линейно – обратно-пропорционально радиусу мезы. Исследования проводились на серии образцов с различным типом пассивации границ мез-травления:

без обработки, плазмохимическое осаждение нитрида кремния, сульфидирование поверхности, азотирование, нанесение полиамида.

Главным результатом работы стало обнаружение наличия рекомбинации носителей заряда на поверхностных состояниях границы травления мез, которая приводит к росту составляющей рекомбинационного тока всей структуры. Однако, в случае работы фотоэлектропреобразователя при концентрированном излучении, негативный вклад тока поверхностной рекомбинации пренебрежимо мал.

Также было доказано, что при различных способах пассивации поверхности структуры ФЭП вклад рекомбинационного тока уменьшается.

Литература

1. Андреев. В. М, Грилихес. В. А, Румянцев. В. Д Фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения. ФТИ им. А. Ф. Иоффе. Л.: Наука, 1989.

2. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М., Мир, 1984.

–  –  –

Целью данной работы является исследование и разработка магнитоэлектрического (МЭ) трансформатора. Данное устройство относится к области микроэлектроники, ее направлению - магнитоэлектрическая электроника. МЭ трансформатор работает в области электромеханического резонанса, в результате чего происходит резонансное увеличение параметров трансформатора, таких как коэффициент трансформации, выходная мощность, коэффициент полезного действия (КПД) и др. Основным эффектом, используемым в МЭ трансформаторе, является магнитоэлектрический эффект. МЭ эффект заключается в намагничивании материала

Физика и технология преобразования энергии

при воздействии на него внешнего электрического поля и появления электрической поляризации при воздействии внешнего магнитного поля [1]. Возможность преобразования полей делает такие устройства многофункциональными. Аналогом МЭ трансформатора является пьезоэлектрический (ПЭ) трансформатор [2, 3].

Недостатками ПЭ трансформатора является узкая полоса рабочих резонансных частот и величина коэффициента трансформации.

МЭ трансформатор представляет собой композитную структуру, состоящую из магнитострикционной (МС) и пьезоэлектрической компоненты. МЭ трансформатор на входе комбинирует два эффекта, таких как ПЭ эффект и магнитострикционный эффект. МЭ трансформатор имеет две системы электродов - входная и выходная. При подключении к источнику электрического сигнала и воздействии на МС компоненту внешним магнитным полем, имеющим две составляющие - постоянную и переменную, с частотами, лежащими в диапазоне рабочих частот, происходит значительное увеличение амплитуды механических колебаний пьезоэлемента, которые в свою очередь влияют на величину коэффициента трансформации и на выходную мощность. На выходе механические напряжения, за счет прямого ПЭ эффекта, преобразуются в электрический сигнал.

МЭ трансформатор выполняется в виде многослойной структуры, при этом диапазон рабочих резонансных частот увеличивается в зависимости от количества слоев.

В ходе выполнения работы была составлена эквивалентная схема МЭ трансформатора методом электромеханических ассоциаций [1, 2, 3]. МЭ эффект учитывался через дополнительные индуктивности, которые были включены во входную и выходную цепи. С помощью метода теории цепей получены выражения для расчета параметров МЭ трансформатора, где были учтены краевые эффекты, рассеяние акустической волны, внутреннее трение и внутреннее сопротивление материала. В результате подстановки параметров материала и конструкции трансформатора в полученные формулы были рассчитаны параметры МЭ трансформатора. В качестве материалов были выбраны ЦТС-19 для ПЭ компоненты, метглас для МС компоненты. Найденные расчетные размеры и характеристики МЭ трансформатора следующие: длина 10мм, ширина 4мм, толщина 0,2мм; резонансная частота - 150 КГц, диапазон рабочих резонансных частот - 26,3 КГц, коэффициент трансформации - 360, выходная мощность - 11 Вт, КПД - 96%, динамическая емкость - 0,67пФ, волновое сопротивление - 18 Ом. В настоящее время проводится практическое проектирование МЭ трансформатора на основе полученных расчетных результатов.

Физика и технология преобразования энергии

Магнитоэлектрические трансформаторы позволяют преобразовывать полное сопротивление цепи, усиливать сигнал по напряжению, разветвлять или суммировать электрические цепи. Кроме того, в отличие от намоточных трансформаторов магнитоэлектрические трансформаторы обладают еще целым рядом функциональных свойств, позволяющих широко их применять в качестве пассивных и активных элементов схем.

Литература

1. М.И.Бичурин и др. Магнитоэлектрический эффект в композиционных материалах.

Великий Новгород, 2005.

2. В. В. Лавриненко. Пьезоэлектрические трансформаторы, Москва, Россия, 1975.

3. В. Шарапов, М. Мусиенко, Е. Шарапова. Пьезо-электрические датчики, Москва, Россия, 2006.

–  –  –

Требования мобильности и энергонезависимости все чаще выступают на первый план в создании сенсорных и измерительных систем. Пути решения этой актуальной проблемы предлагаются самые разнообразные. Это и уменьшение энергопотребления датчиков и преобразователей, входящих в систему измерения, и создания аккумуляторов и батарей со сверхдлительным сроком службы, и передача, например, сверхвысокочастотной, магнитной или световой энергии по воздушным каналам. Автономность может быть достигнуты также, за счет установки на сенсорное устройство элемента способного выделять и аккумулировать внешнюю энергию, например, солнечную панель. Я предлагаю использование магнитоэлектрической (МЭ) системы сбора энергии, позволяющей преобразовать энергию механических, акустических и электромагнитных колебаний в электрический поле с целью обеспечения энергией сенсоров и датчиков.

МЭ сборщик энергии основан на МЭ эффекте, наблюдаемом в механически связанных пьезоэлектрической и магнитострикционной фазах. Он заключается в появлении намагниченности во внешнем электрическом поле и поляризации во внешнем магнитном поле [1]. Благодаря магнитострикции при воздействии магнитного поля в магнитострикционной компоненте создаются упругие напряжения, которые передаются в пьезоэлектрическую фазу и изменяют поляризацию вследФизика и технология преобразования энергии

–  –  –

Литература

1. М. И. Бичурин и др. Магнитоэлектрический эффект в композиционных материалах.

Великий Новгород, 2005.

ФИЗИКА КВАНТОВЫХ СТРУКТУР

–  –  –

Наиболее характерной особенностью разбавленных магнитных полупроводников является сильное обменное взаимодействие электронов и дырок с локализованными магнитными моментами, которое приводит к таким ярким эффектам как гигантские спиновые расщепления зонных состояний, образование магнитного полярона и перенос энергии экситонного возбуждения к локализованным магнитным моментам. Исследование спин-зависимых взаимодействий носителей заряда с локализованными магнитными моментами в наноструктурах на основе таких систем представляет большой интерес.

Как было недавно предсказано теоретически [1] и обнаружено экспериментально методами магнитооптики [2], в квантовых ямах (CdMn)Te, содержащих 2Dдырочный газ, наблюдаются особенности, которые связываются с появлением «мягкой моды» коллективных спиновых возбуждений и приводят к уменьшению эффективного g- фактора локализованных спинов. В настоящей работе приведены результаты исследования таких структур методом оптически детектируемого магнитного резонанса (ОДМР).

Одиночные квантовые ямы Cd1-x MnxTe (x= 1%, 2%, 4%) толщиной 100 были выращены методом молекулярной пучковой эпитаксии на подложке GaAs (плоскость (001)) с толстым буферным слоем CdTe. Квантовые ямы были покрыты тонФизика квантовых структур ким слоем (CdMg)Te. Хотя квантовые ямы и не были специально легированы, они содержали 2D дырочный газ благодаря поверхностным состояниям [3]. В нашей работе исследовались образцы с поверхностным слоем толщиной 17 нм, для которого p-легирование, обусловленное поверхностными состояниями, наиболее эффективно [2], а также – толщиной 14 нм. Для сравнения изучались также квантовые ямы (CdMn)Te, не содержащие избыточных дырок. ОДМР на частоте 35 ГГц регистрировался по экситонной люминесценции квантовых ям при температуре 1.8—4.2 К. Особенностью используемого спектрометра являлась возможность изучения ориентационных зависимостей спектров ОДМР.

В спектрах ОДМР наряду с сигналами марганца вблизи g = 2 были обнаружены широкие линии с необычной ориентационной зависимостью: при увеличении угла между магнитным полем и осью роста структуры [001] они смещались в высокие поля. Эффективный g-фактор изменялся от 2.07 при ориентации B // °.

[001] до 1.86 при = 70 Подобные спектры ОДМР наблюдались для образцов с толщиной поверхностного слоя 17 нм, но с разной концентрацией марганца (4% and 2%) и не были зарегистрированы в квантовых ямах без избыточной концентрации дырок.

Обсуждается возможная связь наблюдаемых в ОДМР эффектов с так называемой «мягкой магнитной модой» [1] коллективных спиновых возбуждений в квантовых ямах (CdMn)Te, которые содержат 2D дырочный газ, взаимодействующий с магнитными моментами марганца.

Работа была поддержана Министерством образования и науки России по ГК 14.740.11.0048 и ГК 16.513.12.3007, программой Российской академии наук:

«Спин-зависимые эффекты в твердом теле и спинтроника», а также грантами РФФИ № 09-02-01409 и №09-02-00730.

Литература

1. K. V. Kavokin Phys/ Rev/ 59, 9822 (1999).

2. C. Kehl et al. Phys. Rev. B 80, 241203 (2009).

3. S. Tatarenko et al. Opto-Electron. Rev. 11, 133 (2003).

–  –  –



Pages:     | 1 |   ...   | 4 | 5 || 7 | 8 |
Похожие работы:

«ТУРИЗМ КАК ФАКТОР СОЦИАЛЬНОЭКОНОМИЧЕСКОГО РАЗВИТИЯ ТЕРРИТОРИЙ ГАСТРОНОМИЧЕСКАЯ СОСТАВЛЯЮЩАЯ РЕГИОНАЛЬНОГО ТУРПРОДУКТА Абрамкина Т.Н., Иркутский государственный университет, г. Иркутск Гастрономический туризм в последнее время стремительно набирает обороты во всём мире. Однако если за рубежом данный сегмент довольно хорошо развит, то в России этот вид туризма только начинает зарождаться. Актуальность исследования обусловлена тем, что на сегодняшний день выбор гастрономических туров по России...»

«АСТРОНОМИЯ I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ В соответствии с образовательным стандартом учебного предмета «Астрономия» целями его изучения являются овладение учащимися основами систематизированных знаний о строении Вселенной, обучение учащихся способности познавать закономерности развития природных процессов, их взаимосвязанность и пространственно-временные особенности, формирование понимания роли и места человека во Вселенной. К основным задачам изучения учебного предмета «Астрономия» на III ступени общего...»

«РОСЖЕЛДОР Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Ростовский государственный университет путей сообщения (ФГБОУ ВПО РГУПС) РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ Б1.В.ОД.6 ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ НАПРАВЛЕНИЕ ПОДГОТОВКИ 03.06.01 «Физика и астрономия» Ростов-на-Дону 2014 г. Цели и задачи дисциплины Целью дисциплины «Физика конденсированного состояния» является формирование у аспирантов углубленных профессиональных знаний в области...»

«Международная общественная организация «Астрономическое Общество» XII отчетно-перевыборный съезд НАУЧНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ «АСТРОНОМИЯ ОТ БЛИЖНЕГО КОСМОСА ДО КОСМОЛОГИЧЕСКИХ ДАЛЕЙ» Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Государственный астрономический институт им. П.К. Штернберга 25 – 30 мая 2015 г. Сборник резюме докладов Редакторы – проф. Н.Н. Самусь, В.Л. Штаерман Москва, 2015 Содержание Пленарные доклады Секция «Астрометрия и небесная механика» 13 Секция «Астрономические...»

«ISSN 0552-58 РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ГЛАВНАЯ (ПУЛКОВСКАЯ) АСТРОНОМИЧЕСКАЯ ОБСЕРВАТОРИЯ XIX ВСЕРОССИЙСКАЯ ЕЖЕГОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФИЗИКЕ СОЛНЦА СОЛНЕЧНАЯ И СОЛНЕЧНО-ЗЕМНАЯ ФИЗИКА – 2 ТРУДЫ Санкт-Петербург Сборник содержит доклады, представленные на XIX Всероссийскую ежегодную конференцию по физике Солнца «Солнечная и солнечно-земная физика – 2015» (5 – 9 октября 2015 года, ГАО РАН, Санкт-Петербург). Конференция проводилась Главной (Пулковской) астрономической обсерваторией РАН при поддержке...»

«ПРОГРАММА вступительного экзамена по образовательным программам высшего образования– программам подготовки научно-педагогических кадров в аспирантуре по направлению подготовки 03.06.01 Физика и астрономия (очная и заочная форма обучения) направленность (профиль): 01.04.17 Химическая физика, горение и взрыв, физика экстремальных состояний вещества Содержание вступительного экзамена. № Наименование раздела п/п дисциплины Содержание Раздел 1. Строение вещества Основы квантовой теории...»

«РАЗРАБОТАНА УТВЕРЖДЕНО Центром функциональных магнитных Ученым советом Университета материалов (заседание ЦФММ от 28.08.2014 г., от «22» сентября 2014 г., протокол протокол № _5_) №1 ПРОГРАММА КАНДИДАТСКОГО ЭКЗАМЕНА ПО СПЕЦИАЛЬНОЙ ДИСЦИПЛИНЕ в соответствии с темой диссертации на соискание ученой степени кандидата наук Направление подготовки 03.06.01 Физика и астрономия Профиль подготовки Физика конденсированного состояния Астрахань – 2014 Программа кандидатского экзамена составлена в...»

«Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Тамбовский государственный университет имени Г.Р.Державина» «Утверждено» Решением Ученого совета ФГБОУ ВПО «Тамбовский государственный университет имени Г.Р.Державина» от 24 февраля 2015 г. протокол № 44 Ректор В.М.Юрьев ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ ПО НАПРАВЛЕНИЮ ПОДГОТОВКИ НАУЧНО-ПЕДАГОГИЧЕСКИХ КАДРОВ В АСПИРАНТУРЕ 03.06.01 «ФИЗИКА...»

«Федеральное государственное образовательное бюджетное учреждение высшего профессионального образования «МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ МЕЖДУНАРОДНЫХ ОТНОШЕНИЙ (УНИВЕРСИТЕТ) МИД РОССИИ» «УТВЕРЖДАЮ» Председатель Приемной комиссии Ректор МГИМО (У) МИД России академик РАН А.В. ТОРКУНОВ Программа вступительного экзамена для поступления в магистратуру МГИМО (У) МИД России по направлению «Зарубежное регионоведение» МОСКВА 2015 Порядок проведения вступительного экзамена по дисциплине «Основы...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО НАУЧНЫХ ОРГАНИЗАЦИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ СПЕЦИАЛЬНАЯ АСТРОФИЗИЧЕСКАЯ ОБСЕРВАТОРИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (САО РАН) ПРИНЯТО УТВЕРЖДАЮ решением Ученого совета Директор САО РАН, САО РАН № _322_ член-корр. РАН от «_16_» сентября 2014 г. Ю.Ю. Балега «_»_ 2014 г. ОБРАЗОВАТЕЛЬНАЯ ПРОГРАММА ПОДГОТОВКИ НАУЧНО-ПЕДАГОГИЧЕСКИХ КАДРОВ В АСПИРАНТУРЕ 03.06.01 ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ Направление подготовки 01.03.02 АСТРОФИЗИКА И ЗВЕЗДНАЯ Направленность...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР «КУРЧАТОВСКИЙ ИНСТИТУТ» Одобрено Советом по «УТВЕРЖДАЮ» Первый заместитель директора образовательной деятельности по научной работе НИЦ «Курчатовский институт» Протокол № 3 О.С. Нарайкин «25» сентября 2015 г. «25» сентября 2015 г. ОСНОВНАЯ ОБРАЗОВАТЕЛЬНАЯ ПРОГРАММА Уровень: подготовка научно-педагогических кадров (аспирантура) Направление подготовки кадров...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО НАУЧНЫХ ОРГАНИЗАЦИЙ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук» (ИАПУ ДВО РАН) «СОГЛАСОВАНО» «УТВЕРЖДАЮ» Руководитель направления Заместитель директора по научноподготовки аспирантов03.06.01 образовательной и инновационной «Физика и астрономия»,д.ф.-м.н. деятельности, д.ф.-м.н. _ Н.Г. Галкин _ Н.Г. Галкин « » сентября 2015 г. « » сентября 2015 г....»

«Федеральное государственное образовательное бюджетное учреждение высшего профессионального образования «МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ МЕЖДУНАРОДНЫХ ОТНОШЕНИЙ (УНИВЕРСИТЕТ) МИД РОССИИ» «УТВЕРЖДАЮ» Председатель Приемной комиссии Ректор МГИМО (У) МИД России академик РАН А.В. ТОРКУНОВ Программа вступительного экзамена для поступления в магистратуру МГИМО (У) МИД России по направлению «Зарубежное регионоведение»     МОСКВА 2015 Порядок проведения вступительного экзамена по дисциплине «Основы...»

«УТВЕРЖДАЮ Заместитель Министра образования Республики Беларусь _В.А. Будкевич «25»июня 2014 г. Инструктивно-методическое письмо Министерства образования Республики Беларусь «Об организации образовательного процесса при изучении учебного предмета «Астрономия» в учреждениях общего среднего образования в 2014/2015 учебном году» I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ В соответствии с образовательным стандартом учебного предмета «Астрономия» целями его изучения являются овладение учащимися основами систематизированных...»

«ISSN 0552-58 РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ГЛАВНАЯ (ПУЛКОВСКАЯ) АСТРОНОМИЧЕСКАЯ ОБСЕРВАТОРИЯ XIX ВСЕРОССИЙСКАЯ ЕЖЕГОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФИЗИКЕ СОЛНЦА СОЛНЕЧНАЯ И СОЛНЕЧНО-ЗЕМНАЯ ФИЗИКА – 2 ТРУДЫ Санкт-Петербург Сборник содержит доклады, представленные на XIX Всероссийскую ежегодную конференцию по физике Солнца «Солнечная и солнечно-земная физика – 2015» (5 – 9 октября 2015 года, ГАО РАН, Санкт-Петербург). Конференция проводилась Главной (Пулковской) астрономической обсерваторией РАН при поддержке...»

«ФизикА.СПб Тезисы докладов Российской молодежной конференции по физике и астрономии 28–30 октября 2014 года Санкт-Петербург Издательство Политехнического университета ББК 22.3:22.6 Ф 50 Организатор ФТИ им. А. Ф. Иоффе Спонсорами конференции ежегодно выступают Российский фонд фундаментальных исследований Российская академия наук Администрация Санкт-Петербурга Программный комитет Аверкиев Никита Сергеевич (ФТИ им. А. Ф. Иоффе) — председатель Арсеев Петр Иварович (ФИАН) Варшалович Дмитрий...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АЕЕНТСТВО НАУЧНЫХ ОРЕАНИЗАЦИЙ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук» (ИАПУ ДВО РАН) «СОГЛАСОВАНО» СДВЕННС; Зам. директора по научноДиректор ИАПУ ДВО РАН /^ S \ образовательцой и инновационной ^емик деятельности, д.ф.-м.н. Н.Г. Галкин Ю.Н. Кульчин сентября 2015 г. нтября 2015 г. ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ по специальной дисциплине Направление...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АЕЕНТСТВО НАУЧНЫХ ОРЕАНИЗАЦИЙ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук» (ИАПУ ДВО РАН) «СОГЛАСОВАНО» СДВЕННС; Зам. директора по научноДиректор ИАПУ ДВО РАН /^ S \ образовательцой и инновационной ^емик деятельности, д.ф.-м.н. Н.Г. Галкин Ю.Н. Кульчин сентября 2015 г. нтября 2015 г. ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ по специальной дисциплине Направление...»

«Федеральное государственное образовательное бюджетное учреждение высшего профессионального образования «МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ МЕЖДУНАРОДНЫХ ОТНОШЕНИЙ (УНИВЕРСИТЕТ) МИД РОССИИ» «УТВЕРЖДАЮ» Председатель Приемной комиссии Ректор МГИМО (У) МИД России академик РАН А.В. ТОРКУНОВ Программа вступительного экзамена для поступления в магистратуру МГИМО (У) МИД России по направлению «Зарубежное регионоведение» МОСКВА 2015 Порядок проведения вступительного экзамена по дисциплине «Основы...»

«ISSN 0552-5829 РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ГЛАВНАЯ (ПУЛКОВСКАЯ) АСТРОНОМИЧЕСКАЯ ОБСЕРВАТОРИЯ ВСЕРОССИЙСКАЯ ЕЖЕГОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФИЗИКЕ СОЛНЦА СОЛНЕЧНАЯ И СОЛНЕЧНО-ЗЕМНАЯ ФИЗИКА – 2010 ТРУДЫ Санкт-Петербург Сборник содержит доклады, представленные на Всероссийской ежегодной конференции «Солнечная и солнечно-земная физика – 2010» (XIV Пулковская конференция по физике Солнца, 3–9 октября 2010 года, Санкт-Петербург, ГАО РАН). Конференция проводилась Главной (Пулковской) астрономической...»







 
2016 www.programma.x-pdf.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Учебные, рабочие программы»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.