WWW.PROGRAMMA.X-PDF.RU
БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА - Учебные и рабочие программы
 


Pages:     | 1 |   ...   | 5 | 6 || 8 |

«ФизикА.СПб Тезисы докладов 26 — 27 октября 2011 года Санкт-Петербург Организатор Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Спонсоры Российская академия наук Администрация ...»

-- [ Страница 7 ] --

Влияние ионно-лучевой литографии подложки на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами Ю. В. Капитонов, М. А. Кожаев Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 428-45-70, эл. почта: kapiton22@gmail.com Полупроводниковые гетероструктуры с InGaAs/GaAs квантовыми ямами (quantum well, QW) обладают интересными резонансными оптическими свойствами, связанными с высокой эффективностью взаимодействия 2D экситонной подсистемы со светом.



Уровень развития метода молекулярно-лучевой эпитаксии позволяет создавать образцы высокого качества с достаточно большими областями однородности оптических свойств QW. Подобные наноструктуры имеют потенциальную возможность применения в качестве рабочей среды для логических элементов, способных бездиссипативно производить вычисления чисто оптическим образом [1, 2]. Следующим этапом на пути к созданию устройств на базе QW является латеральное фрагментирование таких структур. Одним из способов фрагментирования является литография сфокусированным ионным пучком подложки, используемой в дальнейшем для роста QW.

В данной работе было проведено исследование влияния ионной литографии подложки на оптические свойства выращенных на ней квантовых ям.

Для литографии подложек использовалась рабочая станция Carl Zeiss Crossbeam 1540XB, позволяющая проводить литографию остросфокусированным пучком ионов Ga с энергией 30 кэВ и током пучка 0.1 – 10 нА. Также рабочая станция оснащена сканирующим электронным микроскопом. На подложках (плоские кристаллы GaAs с ориентацией (100), толщиной 0.4 мм) было экспонировано несколько массивов линий с шагом 5 и 10 мкм и дозой 0.1—2 нАс/см.

Затем на подложках с литографией был выполнен рост с помощью установки молекулярно-лучевой эпитаксии ЭП 1302. В данной работе на подложке были выращены три квантовых ямы с концентраций индия x = 2% и толщиной 2, 3 и 4 нм, разделенные барьерными слоями GaAs толщиной 150 нм и более. Суммарная толщина всех эпитаксиальных слоев составляла 730 нм.

Для определения оптического качества QW использовался метод, основанный на наблюдении резонансного экситонного отражения при накачке широкоспектральными импульсами фемтосекундного лазера [3]. Измерения проводились в геометрии Брюстера, что позволяло получать сигнал от QW без паразитного

Физика квантовых структур

сигнала, связанного с отражением от поверхности. Разница в толщине трех QW приводит к различию спектральных положений соответствующих им резонансных линий, что позволяло исследовать их независимо. Для каждой квантовой ямы, в областях образца с литографией и без нее, определялась радиационная ширина линии и полное уширение, включающее однородную и неоднородную компоненты.

Было показано, что литография подложки с дозами до 2 нАс/см не приводит к уменьшению силы осциллятора в квантовой яме. Однако, процесс литографии приводит к дополнительному неоднородному уширению резонансных линий в спектрах отражения квантовых ям. Также было обнаружено влияние на последующий рост QW облучения подложки электронами, что, возможно, связано с образованием углеводородного загрязнения на поверхности образца.

Литература

1. I.Ya. Gerlovin, V.V. Ovsyankin, B.V. Stroganov and V.S. Zapasskii. Nanotecnology, 11, (2000).

2. I.Ya. Gerlovin, V.V. Ovsyankin, B.V.Stroganov and V.S. Zapasskii. Journal of Luminescence, 87-89, (2000).

3. С. В. Полтавцев, Б. В. Строганов. ФТТ, 52 (9), (2010).

Резонансные оптические свойства систем экситонов в квантовых ямах AlGaAs/GaAs/AlGaAs Е. B. Кунделев1, В. В. Чалдышев2, А. Ю. Егоров3 1Санкт Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия Санкт-Петербургский академический университет, Санкт-Петербург, Россия Периодическая модуляция диэлектрической среды позволяет реализовать резонансное взаимодействие электромагнитных волн с экситонными возбуждениями в квантовых ямах. Такие системы, получившие название резонансные фотонные кристаллы, активно изучаются как экспериментально, так и теоритически [1-3]. В последнее время областью наибольшего интереса являются структуры с несколькими квантовыми ямами в элементарной ячейке [4].

Нами была изучена резонансная брэгговская структура, основанная на тяжелых экситонах x(e1-hh1) находящихся на первом уровне размерного квантования в ямах. Проведены экспериментальные исследования оптических свойств наноструктур, состоящих из 1, 10, 30, 60 элементарных ячеек, каждая из которых пред

<

Физика квантовых структур





ставляли собой две квантовые ямы GaAs разделенные тунельно-непрозрачным барьером AlAs.

Были проанализированы спектры фотолюминесценции и отражения при различных температурах (300, 77, 4 K), углах падения и поляризации света.

В результате анализа были выявлены резонансные особенности в спектрах оптического отражения, обусловленные формированием сверхизлучательной моды, при совпадении частот брэгговского и экситон-поляритонного резонансов.

Анализ экспериментальных данных показал, что при реализации резонансного состояния получается показатель отражения 90%. Ширина пика, соответствующего данному состоянию, составляет 17 мэВ. Таким образом, нами получен высококачественный распределенный брэгговский отражатель на основе электромагнитно-связанной системы экситонов в квантовых ямах.

Литература.

1. Е. Л. Ивченко, А. И. Несвижский, С. Йорда. ФТТ, 36, 2118, (1994).

2. D. Goldberg, L. I. Deych, A. A. Lisyansky, Z. Shi, V. M. Menon, V. Tokranov, M. Yakimov and S.

Oktyabrsky, Nature Photonics 3, 662 (2009).

3. V. V. Chaldyshev, Y. Chen, A. N. Poddubny, A. P. Vasil’ev, and Z. Liu. Appl. Phys. Lett. 98, 073112 (2011).

4. E. L. Ivchenko et al/ Phys. Rev. B, 70, 195106 (2004).

–  –  –

Исследована высокочастотная проводимость в образцах с плотным массивом самоорганизующихся квантовых точек (КТ) Ge с плотностью n = 4 10 см в кремнии. Образцы были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии в режиме роста Странски-Крастанова на подложке кремния с ориентацией (001), легированной бором. Слой КТ находился на глубине 40 нм от поверхности образца. КТ имели форму пирамид с квадратным основанием 100 100 150 150

Физика квантовых структур

14 -2 и высотой около 10-15. Образцы были -легированы бором с n = 10 см и отожжены при температурах 550°С и 625°С [1].

В эксперименте использовалась бесконтактная акустическая методика - поверхностная акустическая волна (ПАВ) распространялась по поверхности пьезоэлектрического кристалла LiNbO3, к которой с помощью пружин слегка прижимался один из исследуемых образцов. При этом переменное электрическое поле, сопровождающее ПАВ и имеющее ее частоту, проникало в образец, приводя к перераспределению носителей заряда (дырок) между КТ. Вследствие этого, происходило ослабление амплитуды ПАВ (поглощение) и изменение ее скорости, одновременное измерение которых позволяло оценить высокочастотную проводимость.

Эксперимент проводился в магнитных полях до 8 Тл в температурном интервале 4,2-13 К и частотном диапазоне 30-400 МГц. Результаты измерений позволили сделать вывод о том, что в рассматриваемых образцах при низких температурах высокочастотная проводимость носит прыжковый характер и хорошо описывается двухузельной моделью [2, 3]. Кроме того, было обнаружено, что увеличение интенсивности ПАВ приводит к появлению нелинейных эффектов, которые проявляются в зависимости коэффициента поглощения ПАВ от ее интенсивности:

при увеличении интенсивности ПАВ растет высокочастотная проводимость. Обсуждаются различные механизмы наблюдаемых на эксперименте нелинейных эффектов.

Литература

1. N.P. Stepina, E.S. Koptev, A.V. Dvurechenski, A.I. Nikiforov, Phys. Rev. B80, 125308 (2009).

2. M. Pollak, and T. Geballe, Phys. Rev. 122, 1742 (1961).

3. Yu.M. Galperin, V.L. Gurevich, and D.A. Parshin, in Hopping Transport in Solid, edited by B.

Shklovskii and M. Pollak (Elsevier, New York, 1991).

Физика квантовых структур

Расчет энергетического спектра электронов в Si/SiO2 структурах с квантовыми ямами в узельном представлении с учетом эффектов междолинного смешивания.

М. С. Миронова, Г. Ф. Глинский Санкт-Петербургский электротехнический университет «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 234-31-64, эл.

почта: mironova.m.s@gmail.com В узельном представлении проводится расчет электронного спектра в структурах с Si/SiO2 квантовыми ямами и сверхрешетками с учетом эффектов междолинного смешивания. Эффективный гамильтониан строится с методами теории групп в рамках шестизонной модели. Исследован закон дисперсии электронов в подозонах размерного квантования и его зависимость от параметров сверхрешетки.

Узельное представление Предлагается новый подход к анализу энергетического спектра носителей заряда в квантово-размерных гетероструктурах, основанный на узельном представлении уравнения Шредингера. В отличие от обычного метода эффективной массы данный подход позволяет рассматривать гетероструктуры, содержащие единицы атомных монослоёв [1]. Существенной особенностью метода является возможность учета микроскопической симметрии гетероструктуры, а так же эффектов междолинного смешивания на интерфейсе.

Расчет энергетического спектра

В настоящей работе узельный подход используется для расчета энергетического спектра электронов в Si/SiO2 квантовых ямах и сверхрешетках с учётом эффектов междолинного смешивания. В основе расчета лежит численное решение уравнения Шредингера для волновых функций, заданных в узлах кристаллической решетки.

При построении гамильтониана используется шестизонная модель (по числу долин в Si), учитывающая внутри- и междолинное рассеивание электронов на гетероинтерфейсе. Независимые ненулевые матричные элементы определяются методами теории групп.

Исследована зависимость нижних энергетических состояний электронов в Si/SiO2 квантовой ямы от ширины. Используемый подход позволил провести расчеты для квантовых ям с числом монослоев N4. Исследован закон дисперсии Физика квантовых структур электронов в подзонах размерного квантования и его зависимость от параметров сверхрешетки.

Литература

1. Глинский Г. Ф. Полупроводники и полупроводниковые наноструктуры: симметрия и электронные состояния: [монография] / Г.Ф. Глинский. СПб.: Технолит, 2008.

Излучательная рекомбинация горячих носителей в глубоких квантовых ямах на основе антимонида индия Н. В. Павлов, Г. Г. Зегря, ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия Тел. +7 911 766-81-33, pavlovnv@mail.ru В данной работе является описывается модель излучательной рекомбинации горячих носителей в глубоких квантовых ямах на основе антимонида индия. Характерной особенностью таких ям является наличие нескольких подзон размерного квантования в зоне проводимости. При больших концентрациях носителей будет идти заброс электронов из основной подзоны в более высокие за счет СНСС оже-процесса. Вследствие того, что обратные переходы из первой возбужденной подзоны в основную являются запрещенными, то происходит накопление электронов в первой возбужденной подзоне. Эти электроны могут давать существенный вклад в суммарную скорость излучательной рекомбинации.

Цели и задачи Основной целью данной работы является установление возможности достижения инверсной заселенности для электронов в первой возбужденной подзоне.

Для выполнения данной цели нужно решить следующие задачи:

Найти матричный элемент для прямых межзонных переходов.

Найти функцию распределения горячих электронов.

Рассчитать коэффициент поглощения.

Найти скорость излучательной рекомбинации горячих электронов.

Найти коэффициент усиления.

–  –  –

Основные результаты работы Показано, что при определенных условиях в первой возбужденной подзоне будет накапливаться большое количество электронов. Более того, возбужденные электроны будут накапливаться в малом интервале энергий, в отличие от трехмерного случая, что значительно облегчает получение инверсной заселенности и лазерной генерации.

Получены выражения для оптического матричного элемента и коэффициента поглощения с учетом непараболичности спектра носителей для любых значений волнового вектора в плоскости ямы.

–  –  –

Исследован эффект деполяризации ориентированных по спину электронов в квантовых ямах во внешнем магнитном поле (эффект Ханле). Показано, что зависимость среднего спина электронов от магнитного поля определяется величиной спин-орбитального взаимодействия и подвижностью электронного газа.

В квантовых ямах со слабым спин-орбитальным взаимодействием кривая Ханле описывается функцией Лоренца: спиновая поляризация монотонно уменьшается с ростом поля. В структурах же с сильным спин-орбитальным взаимодействием зависимость среднего спина от магнитного поля носит немонотонный характер.

В этом случае спиновая поляризация квадратично растет с магнитным полем в малых полях, достигает максимума, а затем резко спадает.

Эффективным методом изучения спиновых эффектов в полупроводниковых структурах является оптическая ориентация электронных и ядерных спинов [1].

Метод основан на том, что межзонное поглощение циркулярно поляризованного света приводит к спиновой ориентации носителей заряда, которая, в свою очередь, вызывает циркулярную поляризацию люминесценции. Поперечное магнитное поле, приложенное к структуре, вызывает прецессию спина и приводит к подавлению поляризации люминесценции. Кривые Ханле [2], описывающие зависимость степени циркулярной поляризации вторичного излучения от магнит

<

Физика квантовых структур

ного поля, обычно соответствуют функции Лоренца. Ширина кривой определяется эффективным g-фактором электронов и временем спиновой релаксации, что позволяет определять эти параметры в оптических экспериментах.

В данной работе представлена теория эффекта Ханле для квантовых ям nтипа, выращенных вдоль кристаллографического направления [001]. Предполагается, что ориентированные по спину электроны генерируются циркулярно поляризованным светом в геометрии нормального падения, а магнитное поле направлено в плоскости интерфейсов. В квантовых ямах n-типа спиновая релаксация электронов в широком диапазоне температур и концентраций идет по механизму Дьяконова - Переля [3]. Механизм основан на вращении электронных спинов в эффективном магнитном поле Рашбы или Дрессельхауза, направление которого зависит от волнового вектора. Расчет, выполненный методом спиновой матрицы плотности, показал, что характер кривых Ханле различен для систем со слабым и сильным спин-орбитальным взаимодействием и определяется параметром k k – частота вращения спинов в эффективном поле, а, где – время реk 1, кривые Ханле описылаксации носителей по импульсу [4]. В системах с k ваются функцией Лоренца. В структурах же с большим значением зависимость спиновой поляризации от магнитного поля становится немонотонной и имеет резкий максимум. Такое поведение обусловлено частичным подавлением спиновой релаксации электронов внешним магнитным полем, равным по величине спин-орбитальному полю на уровне Ферми. Показано, что измерение магнитного поля, соответствующего максимуму кривой Ханле, может быть использовано в экспериментах для непосредственного определения эффективных полей Рашбы и Дрессельхауза.

Литература

1. Optical Orientation, Eds. Y. Kusrayev and G. Landwehr, Special issue Semicond. Sci.

Technol. 23 (2008).

2. W. Hanle, Z. Phys. 30, 93 (1924).

3. М. И. Дьяконов, В. И. Перель, ФТТ 13, 3581 (1971).

4. A.V. Poshakinskiy and S.A. Tarasenko, Phys. Rev. B 84 (2011), arXiv:1104.2701.

Физика квантовых структур

Температурная зависимость многократного рамановского спин-флип рассеяния в магнитных квантовых ямах Р. Р. Субхангулов, Б. Р. Намозов, К. В. Кавокин, Ю. Г. Кусраев, А. В. Кудинов ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 297-2245, эл. почта: post@mail.ioffe.ru Рассматриваемое в настоящей работе явление многократного рамановского спин-флип рассеяния (МРСФР) представляет большой интерес для фундаментальной физики конденсированного состояния, поскольку отражает коллективную эволюцию спинов марганцевых ионов в статическом магнитооптическом эксперименте. В качестве объектов исследования используются магнитные полупроводниковые наноструктуры, в особенности А2В6, в которых марганец выступает в роли изовалентной примеси.

В работе представлены магнитооптические исследования многослойных магнитных квантовых ям CdMnSe/ZnSe с концентрацией марганца x=0.28. Толщина слоя (CdMnSe) с квантовой ямой составляла 0.3 монослоя, а барьера (ZnSe) — 10 монослоёв. Эксперименты проводились в геометрии Фойхта при рассеянии назад, при этом магнитное поле было параллельно плоскости квантовой ямы.

Были проделаны два вида эксперимента: первый был экспериментом по резонансному возбуждению лазером экситонов в яме, второй - при надбарьерном возбуждении с энергией возбуждения выше экитоного резонанса на энергию LO фонона. Было обнаружено из измерений фотолюминисценции, что в данных структурах очень сильны эффекты квантоворазмерного квантования.

В магнитополевых зависимостях, в диапазоне полей от 4 до 6Т, за LO фононом наблюдается серия эквидистантных по энергии пиков, что является МРСФР сигналом. То же самое можно было видеть и в случае резонансного эксперимента. Построение магнитной зависимости для каждого из пиков показывает их линейную зависимость от поля с марганцевым g-фактором 2.

Наблюдаемый сигнал связан, как это известно, из экспериментов по резонансному возбуждению [1, 2, 3], с переворотом спина иона марганца в результате обменного взаимодействия спина марганца со спином экситона. В результате подобного взаимодействия происходит переворот спина иона марганца и его переход на следующий возбуждённый подуровень, при этом свет теряет энергию, Mn 2 равную по величине зеемановской энергии + с g-фактором 2. Для МРСФР важна большая анизотропия дырочного g-фактора, которая возможна, например, в квантовых ямах. В этом случае g-фактор дырки в плоскости очень мал по сравнению с продольным [4, 5].

Физика квантовых структур

В работе была исследована температурная и магнитополевая зависимость МРСФР сигнала. Для её описания была построена теоретическая модель, описывающая распределение относительных интенсивностей пиков в эксперименте.

Модель показала хорошее согласие с экспериментом, как в случае резонансного возбуждения, так и в случае возбуждения через LO фонон. Теоретическая модель использовала два параметра, которые варьировались: время жизни промежуточного состояния и температура. Время жизни промежуточного состояния обнаружило гиперболическую зависимость от температуры для не резонансного поведения.

Литература

1. J. Stuchler et al, Phys. Rev. Lett. 74, 2567, (1995).

2. J. Stuchler et al, Journal of Crystal Growth 159, 1001-1004, (1996).

3. K.V. Kavokin, in Marcin L. et al. Optical Properties of Semiconductor Nanostructures, NATO Science Series 3, High Technology, 81, (2000).

4. Yu.G.Kusraev, et al, Phys. Rev. Lett., 82, 3176 (1999).

5. A.V. Koudiinov et. al, Phys. Rev. B 67, 115304 (2003) Оптические переходы в квантовых ямах в CdHgTe с участием электронов и легких дырок А. В. Шиляев, Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, Г. Г. Зегря ФТИ им. А. Ф. Иоффе, С.Петербург, Россия тел: (812)292-71-82, факс: (812)292-10-17, эл. почта: vozzdooh@gmail.com Твердые растворы CdxHg1-xTe могут кристаллизоваться в диапазоне составов 0x1, при этом ширина запрещенной Eg зоны непрерывно меняется от –0.3 до

1.6 эВ. В области малых составов x0.3 (значений Eg0.3 эВ) эти материалы характеризуются сильно непараболическим законом дисперсии. В квантовых ямах эффект непараболичности выражен более ярко, чем в однородных полупроводниках при тех же значениях Eg. Эта непараболичность приводит к повышению вероятности рекомбинации между электронами и легкими дырками.

В настоящей работе мы сообщаем об экспериментальном наблюдении излучательных переходов между основными состояниями зоны проводимости и зоны легких дырок в спектрах фотолюминесценции (ФЛ) структур с квантовыми ямами на основе CdxHg1-xTe. Исследовались структуры, выращенные в ИФП СО РАН на подложке из GaAs по технологии, описанной в работе [1]. Структуры CdxHg1 xTe/CdyHg1-yTe представляли собой квантовую яму шириной 12 нм, расположен

<

Физика квантовых структур

ную между двумя барьерными слоями. Состав твердого раствора в области ямы был равен x=0.24 (Egw=0.13 эВ при температуре T=4.2 K), в области барьерных слоев y0.8 (Egb=1.2 эВ). Спектры ФЛ исследовались при импульсном возбуждении полупроводниковым лазером InGaAs/GaAs (длина волны излучения 0.98 мкм при T=4.2 K). Сигнал возбуждался со стороны структуры CdxHg1-xTe и регистрировался со стороны подложки охлаждаемым фотодиодом из InSb.

В спектре ФЛ при T=4.2–35 K наблюдалась линия с энергией ~0.26 эВ. Эта энергия вдвое превышает Egw. Форма и полуширина линии свидетельствовали, что она соответствовала переходам носителей между уровнями размерного квантования. Был проведен расчет положения уровней в размерной квантовой гетероструктуре с учетом эффекта непараболичности и взаимодействия зон в рамках модифицированной модели Кейна-Латтинжера, развитой для случая квантовых ям в работе [2]. При этом суммарная энергия перехода Egw+Ec1+El1, где Ec1 и El1 — энергии первого уровня в зоне проводимости и зоне легких дырок соответственно, оказалась близка к энергии наблюдаемой линии в спектре ФЛ.

Таким образом, нами экспериментально подтверждена возможность наблюдения оптических переходов с участием электронов и легких дырок в структурах с квантовыми ямами на основе твердых растворов CdxHg1-xTe с малым x.

Литература

1. N.N.Mikhailov et al. Int. J. Nanotechnol. 3(1), 120 (2006).

2. Г.Г.Зегря, А.С.Полковников, ЖЭТФ 113(4), 1491 (1998).

Усиление магнитным полем эффекта спинового фильтра в твердом растворе GaAsN при комнатной температуре А. Ю. Ширяев, В. К. Калевич, М. М. Афанасьев, А. Ю. Егоров ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия тел: (921) 952-16-55, эл. почта: andrews240@mail.ru Спиновые свойства твердых растворов GaAsN в последние годы привлекают повышенный интерес [1-4], вызванный тем, что в этих растворах циркулярно поляризованный свет создает гигантскую спиновую поляризацию свободных электронов при комнатной температуре. Аномально большая поляризация обусловлена спин-зависимой рекомбинацией свободных электронов через глубокие парамагнитные центры, которые образовались при введении азота в матрицу GaAs.

Оптически ориентированные свободные электроны рекомбинируют через центры, что приводит к динамической поляризации локализованных на них электро

<

Физика квантовых структур

нов. В результате центры работают как спиновый фильтр, уменьшая скорость рекомбинации свободных электронов с доминирующим направлением спина. Эффективность спинового фильтра возрастает с ростом интенсивности накачки и поляризация свободных электронов может увеличиться до 100%.

В данной работе мы впервые исследовали влияние продольного магнитного поля на поляризованную фотолюминесценцию в GaAsN. Обнаружено, что включение продольного магнитного поля порядка 1 кГс увеличивает поляризацию и интенсивность фотолюминесценции. При слабых и умеренных интенсивностях накачки этот рост достигает двух раз. Он связан с увеличением эффективности спинового фильтра в результате подавления магнитным полем спиновой релаксации электронов, локализованных на центрах. При больших интенсивностях возбуждения, когда уже в отсутствие магнитного поля спиновый фильтр приводит к предельным значениям поляризации, влияние магнитного поля существенно уменьшается.

Для теоретического описания наблюдаемых явлений в модель спинзависимой рекомбинации [1, 2], ранее использованной для описания спинзависимых эффектов в GaAsN, мы ввели замедление скорости спиновой релаксации локализованных электронов в магнитном поле. Модифицированная модель качественно верно описывает основные экспериментальные результаты.

Литература

1. В. К. Калевич и др. Письма ЖЭТФ, 82, 509 (2005).

2. V.K. Kalevich et al. Письма ЖЭТФ 85, 208 (2007).

3. E.L. Ivchenko et al. J. Phys.: Condens. Matter 22, 465804 (2010).

4. D. Lagarde et al. Phys. status solidi (a) 204, 208 (2007).

ФИЗИКА ЭЛЕМЕНТАРНЫХ ЧАСТИЦ

Поиск электрического дипольного момента нейтрона.

Ю. П. Брагинец Петербургский институт ядерной физики, Гатчина, Россия тел.: (81371) 4-64-10; эл. почта: aiver@pnpi.spb.ru Поиск электрического дипольного момента (ЭДМ) нейтрона является одной из важнейших задач современной физики, поскольку проблема существования ЭДМ нейтрона тесно связанна с фундаментальными проблемами нарушения симметрии нашего Мира. Дело в том, что дипольный момент может быть отличен от нуля только при нарушении СР-симметрии, а также нарушении симметрии относительно зеркального отражения пространства (Р) и операции обращения времени (Т).

Впервые на необходимость экспериментальной проверки существования ЭДМ у элементарной частицы обратили внимание в 1950 г. Парселл и Рамзей [1].

Но лишь в 1964 г., когда было непосредственно обнаружено нарушение СРинвариантности в распаде нейтрального k-мезона, эта проблеме привлекла к себе достойное внимание [2]. До недавнего времени это был единственный известный случай экспериментального обнаружения СР-нарушения. Летом 2004 г. две большие международные коллаборации Belle и BaBar, работающие в Японии и США, сообщили о наблюдении СР-нарушения в распадах нейтральных В-мезонов, содержащих тяжелые кварки [3, 4]. Косвенным свидетельством CP-нарушения является барионная асимметрия Вселенной, которая не находит своего объяснения в рамках Стандартной Модели (СМ) электрослабых взаимодействий.

В настоящее время существует довольно большое число различных СРнеинвариантных моделей, предсказывающих существование ЭДМ у нейтрона.

Значение ЭДМ сильно зависит от выбора конкретной модели СР-нарушения, так Физика элементарных частиц как различные теории приводят к очень широкому спектру значений для ЭДМ нейтрона. Например, Стандартная модель дает оценку на величину ЭДМ нейтрона на уровне ~ 10 eсм, который находится далеко за пределами современных экспериментальных возможностей измерения. Однако в моделях, объясняющих

–26 барионную асимметрию Вселенной, ЭДМ нейтрона оказывается на уровне ~ 10

–28

– 10 eсм, его обнаружение было бы прямым свидетельством в пользу объединяющих различные взаимодействия моделей, таких, как суперсимметричные и модели Великого объединения.

Почти все эксперименты по поиску ЭДМ нейтрона основаны на использовании магниторезонансного метода. Этот метод в свою очередь подразделяется на пучковый и УХН методы. Первые ЭДМ эксперименты проводились с использованием магниторезонансных спектрометров на пучках поляризованных нейтронов (пучковый метод). Наиболее точный результат, полученный этим методом, дал ограничение на величину ЭДМ D 310 eсм [5]. Однако возможности метода были на этом практически исчерпаны. Для улучшения чувствительности метода к ЭДМ необходимо было увеличить время пребывания нейтрона внутри установки. Этого удалось достичь, используя ультрахолодные нейтроны (метод УХН). Лучшее ограничение на величину ЭДМ нейтрона полученное этим методом

–26 D 2.910 eсм [6]. Это одна из самых высоких точностей достигнутых в мире

–13 к настоящему моменту. Если нейтрон представить в виде шара размером R 10

–13 см, то D/R 2.910. Если представить себе, что размер нейтрона равен размеру Земли, то сдвиг между положительным и отрицательным элементарными зарядами составит всего 2 мкм.

Альтернативой магниторезонансного метода является кристаллдифракционный метод поиска ЭДМ нейтрона. Первый кристалл-дифракционный эксперимент был проведен в 1967 г. Шаллом и Натансоном [7]. Долгое время он оставался единственным экспериментом такого типа. Ограничение на ЭДМ полученное в этом эксперименте D 510 eсм. И только спустя почти четверть века, группой ученых ПИЯФ предложено использовать нецентросимметричные кристаллы для поиска ЭДМ нейтрона [8]. За последнее время проведен ряд тестовых экспериментов [9] и сейчас идет подготовка к полномасштабному эксперименту,

–26 с планируемой точностью измерения ~ 10 eсм.

В настоящее время по чувствительности вне конкуренции находится магниторезонансный метод поиска ЭДМ нейтрона, использующий УХН, поэтому, безусловно важным является поиск и создание альтернативных конкурентоспособных методов. Так как другой метод будет иметь другие систематические эффекты и может служить контрольным опытом в случае обнаружения ненулевого ЭДМ.

Физика элементарных частиц

Получение новых экспериментальных ограничений на величину ЭДМ нейтрона позволит не только исключить ряд теорий, но и получить новую информацию о механизме СР-нарушения. И хотя обнаружить ЭДМ нейтрона пока не удалось, однако установление все новых ограничений на его величину, позволило исключить наибольшее, за всю историю физики, число научных теорий, предложенных для объяснения барионной асимметрии Вселенной.

Литература

1. Purcell E.M. and Ramseym N.F. Phys. Rev., 78, (1950).

2. Christenson J.H., Cronin J.W., Fitch V.L. and Turlay R. Phys. Rev. Lett., 13, (1964).

3. Abe K. et al. Phys. Rev. Lett., 93, (2004).

4. Aubert B. et al. Phys. Rev. Lett., 93, (2004).

5. Dress W.B., Miller P.D., Pendlebery J.M., Perrin P., Ramsey N.F. Phys. Rev. D, 15, (1977).

6. Baker.., Doyle D.D., Geltenbort P. et al. Phys.Rev., 97, (2006).

7. Shull C.G., Nathans R. Phys. Rev., 19, (1966).

8. В.Л.Алексеев и др. ЖЭТФ, 96, (1989).

9. V.V. Fedorov et al. Physics Letters B 694 (2010).

–  –  –

Петербургский институт ядерной физики, Гатчина, Россия тел: (81371) 463-12, эл. почта: vfedorov@pnpi.spb.ru Санкт Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 552-75-31, эл. почта: egorrb@yandex.ru Недавно был предложен кристалл-дифракционный эксперимент по поиску отношения инертной и гравитационной масс нейтрона [1]. Он основан на эффекте существенного усиления малого внешнего воздействия на нейтрон, дифрагирующего по Лауэ при углах Брэгга B, близких к /2 [2]. Было показано, что время пребывания нейтрона в кристалле растет с увеличением угла дифракции как (tg B) и может быть увеличено, как минимум, на порядок при B~84°86 [3]. Таким образом, при больших углах дифракции, кроме известного фактора дифракционного усиления [4], существует дополнительный фактор, обусловленный увеличением времени пребывания нейтрона в кристалле. В результате полный фактор дифракционного усиления малых воздействий на нейтрон может достигать ~10 10, что Физика элементарных частиц дает возможность использовать предложенную схему эксперимента [5] для изучения малых воздействий на нейтрон и, в частности, для поиска отношения инертной и гравитационной масс нейтрона [6,7].

Было проведено исследование дифракции по Лауэ на системе кристаллографических плоскостей (220) большого (L=200 mm) высокосовершенного кристалла кремния при углах Брэгга близких к /2 [8]. В ходе исследований было установлено, что благодаря известному эффекту Бормана (различие в поглощении двух типов блоховских волн, возбуждаемых в кристалле при дифракции по Лауэ) эффективная длина поглощения для слабо-поглощаемой блоховской волны составляет более 3-х метров, что почти на порядок превышает длину поглощения недифрагирующего нейтрона в кристалле кремния. Также было показано, что интенсивность брэгговского рефлекса хорошо согласуется с теоретическими предсказаниями как для однокристальной схемы эксперимента так и для двухкристальной схемы.

Обнаруженные для нейтронов, дифрагирующих по Лауэ при углах Брэгга, близких к /2, явления открывают новые перспективы по созданию экспериментальной установки для исследования малых сил, действующих на нейтрон. Из серии тестовых экспериментов следует, что предложенный метод может обладать беспрецедентной чувствительностью к внешней силе, действующей на нейтрон.

-8 Расчеты показывают, что эта чувствительность составляет ~ 10 от гравитационного взаимодействия нейтрона с полем Земли, что позволит провести эксперимент по проверке эквивалентности инертной и гравитационной масс нейтрона

-5 с точностью ~ 10, что на порядок лучше современного значения [9].

Литература

1. V.V. Fedorov et al. Nuclear Inst. and Methods in Physics Research A 593 (2008).

2. V.V. Fedorov et al. Письма в ЖЭТФ, 85 (1), (2007).

3. В. В. Воронин и др. Письма в ЖЭТФ 71, 110 (2000).

4. A. Zeilinger, C.G. Shull, M.A. Horne and K.G. Finkelstein, Phys. Rev. Lett., 57, 3089 (1986).

5. В.В.Воронин и др. Ядерная физика, 72 (2), (2009).

6. В. В. Воронин, Ю. П. Брагинец, И. А. Кузнецов. Препринт ПИЯФ-2827, 2009.

7. В. В. Воронин и др. Препринт ПИЯФ-2849, 2010.

8. V.V. Voronin et al. Physics Procedia (2011) (accepted for publication)

9. J. Schmiedmayer, Nucl. Instr. Meth. A 284 (1989).

–  –  –

Изучение возбуждения нуклонных резонансов в упругом пион-нуклонном рассеянии Е. А. Коновалова, А. Б. Гриднев, Н. Г. Козленко, В. В. Сумачев Петербургский институт ядерной физики, Гатчина, Россия тел: (81371) 3-75-46, эл. почта: konovalova@pnpi.spb.ru Результаты экспериментов, направленных на изучение пион-нуклонного рассеяния, составляют огромную базу спектроскопии нестранных барионов.

В последние годы возник большой интерес к проблемам легких барионных резонансов в связи с теоретическими предсказаниями возможного существования барионов, состоящих из пяти кварков. Характерным свойством таких резонансов является маленькая ширина - порядка 10 МэВ. Другим важным вопросом является экспериментальное определение числа обычных резонансов (состоящих из трех кварков) в пион-нуклонной системе, а также изучение их свойств.

Целью данной работы, выполняемой на пионном пучке ускорителя ИТЭФ (Москва), является изучение характеристик барионных резонансов путем прецизионного измерения дифференциального сечения реакции упругого пионпротонного рассеяния p p в интервале импульсов 940-1120 МэВ/c с разрешением по импульсу налетающих пионов 0,1% [1]. Данный диапазон импульсов соответствует диапазону инвариантных масс пион-протонной системы 1640-1745 МэВ/c. Эта область также интересна тем, что по предсказаниям теории и специального парциально-волнового анализа именно здесь лежат наиболее вероятные значения массы нейтрального члена антидекуплета пентакварков (1685 и 1730 МэВ).

Для реализации эксперимента была создана установка, включающая в себя жидководородную мишень и специально разработанные для данного эксперимента дрейфовые и пропорциональные камеры, регистрирующие треки налетающих и рассеянных пионов и протонов отдачи. Эффективность регистрации треков заряженных частиц в дрейфовых камерах составляет выше 99%. Для обеспечения прецизионной точности измерения дифференциальных сечений была разработана система триггеров, обеспечивающих надежное выделение упругих событий пион-протонного рассеяния. Спроектированная установка имеет стабильно высокую эффективность, низкий уровень фона, что позволяет статистической точности измерения дифференциальных сечений упругого пион-протонного рассеяния достигать 0,5%.

К настоящему моменту завершается набор статистики на установке, в результате которого записано около 2,95 млрд. триггерных событий [2]. ПредваФизика элементарных частиц рительная обработка части записанного материала показала, что доля упругих событий составляет приблизительно 1,5% от всех записанных событий, т.е. из полученной статистики может быть выделено около 44 млн. интересующих нас событий упругого p-рассеяния.

Ожидаемые результаты по измерению дифференциальных сечений упругого p-рассеяния существенно улучшат базу данных барионной спектроскопии и наше понимание спектра и характеристик барионных резонансов.

Литература

1. I. G. Alekseev et al. Preprint ITEP (2005).

2. И. Г. Алексеев, Д. Н. Свирида (ИТЭФ, Москва), Семинар отделения физики высоких энергий, Гатчина, Россия, (2011).

К поиску электрического дипольного момента электрона:

расчёт эффективного электрического поля на электроне в двухатомных молекулах Л. В. Скрипников1, А. Н. Петров1, 2, Н. С. Мосягин1, А. В. Титов1 Петербургский институт ядерной физики, Гатчина, Россия тел: (81371) 461-06, эл. почта: leonidos239@gmail.com Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия тел: (81371) 461-06, эл. почта: alexsandernp@gmail.com На настоящий момент очень актуальны эксперименты по поиску «новой физики» (т.е. выходящей за рамки Стандартной модели электрослабых взаимодействий, (см. [1] и ссылки) - перманентного электрического дипольного момента электрона (eЭДМ). Даже если будут получены совместимые с нулем ограничения на величины P,T-нечетных эффектов всего на порядок менее сегодняшнего ограничения на еЭДМ (~10^{-27} e*cm), результаты данных экспериментов драматически повлияют практически на все популярные расширения Стандартной модели.

Ненулевой же результат будет впервые прямо свидетельствовать о наличии «новой физики» за пределами Стандартной Модели электрослабых взаимодействий.

Для измерения величины еЭДМ необходимы очень сильные электрические поля, которые (как было предложено ещё в 70х годах) могут быть достигнуты внутри молекул и твёрдых тел, содержащих тяжёлые атомы. Однако во всех подобных экспериментах может быть измерена только энергия взаимодействия eЭДМ с эффективным электрическим полем на электроне, Eeff, но не сами Eeff

Физика элементарных частиц

и eЭДМ. Т. о. для нахождения непосредственной величины еЭДМ необходимо теоретически вычислить Eeff.

В настоящей работе нами применены методы, разработанные в т.ч. нашей группой, которые позволяют максимально точно учесть релятивистские эффекты, а также эффекты электронной корреляции. Рассчитаны величины Eeff, необходимые для интерпретации проводимых в настоящее время экспериментов на молекулах WC и ThO, а также завершившегося недавно эксперимента на молекуле YbF [2] и установившего новое ограничение на величину еЭДМ. Также рассчитаны постоянные сверхтонкого расщепления соответствующих термов. Значения этих постоянных также как и Eeff определяются в основном спиновой плотностью вблизи ядер, но они могут быть измерены, и поэтому необходимы для экспериментальной оценки погрешности расчётов Eeff.

Работа поддержана грантом РФФИ 09-03-01034-а. Л.С. благодарит Фонд Дмитрия Зимина "Династия".

Литература

1. J. S. M. Ginges, V. V. Flambaum, Phys. Rep. 397, 63 (2004).

2. J. J. Hudson et al., Nature 473, 493 (2011).

ЧИСЛЕННЫЕ МЕТОДЫ В ФИЗИКЕ

Исследование влияния ширины спектра излучения на качество восстановления волнового фронта с помощью итерационного алгоритма Т. Ю. Николаева, Н. В. Петров Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 323-64-37, эл. почта: Paltanya@mail.ru В работе исследуется влияние ширины спектра используемого излучения на качество восстановления волнового фронта по пространственным распределениям интенсивностей, зарегистрированным в различных сечениях оптической оси.

Методами скалярной теории дифракции смоделированы спекл-картины, сформированные излучением различной спектральной ширины. Рассмотрены изменения контраста спекл-картин и среднеквадратической ошибки восстановленного изображения относительно исходного.

Рассматриваемая проблема Большая частота колебаний электромагнитного поля в оптическом диапазоне спектра не позволяет регистрировать фазу волнового фронта, регистрируется лишь интенсивность[1]. Информация о фазе рассеянной или прошедшей объект волны позволяет полностью восстановить волновой фронт, и тем самым получить более полную информацию о параметрах исследуемого объекта. В противовес хорошо изученным, надежным, но требовательным в практической реализации голографическим методам, в связи с увеличением вычислительных мощностей, развитие получили методы восстановления фазы волнового фронта. Одним из наиболее перспективных методов фазы восстановления волнового фронта, можно назвать использование итерационной процедуры на основе распределений ин

<

Физика элементарных частиц

тенсивностей, полученных по мере удаления от объекта вдоль оптической оси и уравнения распространения волн [2, 3], а так же расширение данной технологии на случай использования нескольких длин волн [4]. Одним из ограничений в данных работах выступает необходимость использовать монохроматическое излучение для получения точного соответствия между спекл-картинами, регистрируемыми на практике и рассчитываемыми с помощью уравнения распространения волн.

В данной работе методами численного моделирования исследуется влияние увеличения ширины спектра используемого излучения на процесс восстановления волнового фронта с использованием разработанного итерационного алгоритма.

Определены допустимые пределы увеличения ширины спектра для объектов различного типа. Подобные оценки необходимы при выборе источников излучения, в качестве которых могут фигурировать недорогие полупроводниковые лазерные модули, или более широкополосные, излучение которых селектируется спектральными фильтрами.

Работа выполнена при поддержке программы У.М.Н.И.К.

Литература

1. Ахманов С., Никитин C. Физическая оптика: учебник 2-е изд. М.: МГУ; Наука, 2004.

2. Pedrini G., Osten W., Zhang Y. Opt. Lett. 30 (8), (2005).

3. Almoro P., Pedrini G., Osten W. Appl. Opt. 45, (2006).

3. N. Petrov, M. Volkov, A. Gorodetsky, V. Bespalov. Proc. of SPIE. 7907, (2011).

4. Петров Н., Беспалов В. Волков М. Наносистемы: ф., х., м. 2 (1), (2011).

Автоматизация лабораторной установки для исследования электрофизических свойств образцов Г. С. Цема, Э. Г. Соколов Псковский государственный педагогический университет, Псков, Россия тел: (811-2) 75-23-18, 8-953-233-7251, эл. почта: g.tsema@gmail.com В образовательных технологиях и в любом солидном физическом эксперименте персональный компьютер занимает одно из ведущих мест как мощный инструмент приёма, хранения, обработки и передачи информации, а также управления различными процессами работы экспериментальных установок. Автоматизация физического эксперимента, в настоящее время, немыслима без использования компьютерной техники. В современных условиях технической мо

<

Физика элементарных частиц

дернизации вузовского образования, как правило, вузы оснащаются большим количеством компьютеров, при незначительных темпах обновления необходимого приборного оборудования. Это создаёт предпосылки для создания компьютерных измерительных комплексов, а также для замещения реального физического лабораторного эксперимента виртуальными образами физических явлений и процессов с использованием виртуальных измерительных приборов и экспериментальных физических установок [1].

Рассматривая возможность перехода физической лаборатории на использование компьютерной техники, мы должны достаточно точно определить его задачи. Основной из них является автоматизация физических экспериментов, лабораторных работ и т.д. Проще говоря, необходимо возложить на машину всю рутинную работу, такую как сбор данных, различные расчёты, хранение и обмен результатами экспериментов. Для выполнения данных задач необходим набор некоторых специфических периферийных устройств [2, 3].

В данном докладе мы рассмотрим один из способов автоматизации лабораторной установки, предназначенной для исследования электрофизических свойств образцов, на примере программно-аппаратного измерительного комплекса УМ-АЦП -1, созданного в Псковском государственном педагогическом университете. Данный прибор предназначен для сбора и обработки данных, поступающих с лабораторной установки, и представляет собой аналого-цифровой преобразователь и комплекс драйверов для различных датчиков. В состав комплекса входит также сконструированный и изготовленный нами электронный регулятор температуры. Он позволяет проводить измерения в динамическом режиме, задавая и автоматически поддерживая скорость возрастания температуры в электрической печи, где находится исследуемый образец, в диапазоне 0,75 град/мин в температурном интервале 300—900 К. Гибкость и возможность адаптации под различные задачи являются важными особенностями измерительного комплекса. Таким образом, мы получаем возможность работы с полноценным, многофункциональным и современным прибором, повторение которого доступно в условиях вузовской физической лаборатории. А это значит, что даже в условиях нехватки необходимого заводского приборного оборудования студент или аспирант имеет возможность не тратить драгоценное время на изнурительные измерения, расчёты и прочую рутинную работу, а, следуя подробной инструкции, создать прибор, удовлетворяющий поставленным целям.

Литература

1. Майер Р. В. Как стать компьютерным гением, или книга о информационных системах и технологиях, Глазов: ГГПИ, 2008.

–  –  –

2. Физика в системе современного образования (ФССО-09): Материалы Х Международной конференции, СПб: Изд-во РГПУ им. А. И. Герцена, 2009.

3. Дерягин А. В., Насыбуллин Р. А. Тезисы VII научно-методической конференции стран СНГ “Современный физический практикум”, Санкт-Петербург, Россия, 2002.

–  –  –

Предлагается подход к математическому моделированию гидрирования порошкообразных материалов (металлов), основанный на компромиссе между детальным описанием явления и практической применимостью математической модели. Выделяется несколько «лимитирующих» элементарных процессов, оказывающих сравнимое влияние на кинетику гидрирования. В их число входят диффузия, адсорбция и десорбция, фазовый переход и т.п. Уравнения модели основаны на законах сохранения. Таким образом, модель обладает физическим смыслом и содержит небольшое число кинетических констант, что позволяет осмысленно решать обратные задачи их оценки. Допущения модели либо хорошо обоснованы (это диффузия Фика, квадратичная десорбция, стехиометрический состав на свободной границе раздела фаз), либо являются правдоподобными описаниями факторов, о которых принципиально нет детальной информации, в силу чего их подробное описание загромождает модель большим числом неизвестных параметров. Среди таких предположений - форма частиц порошка (класс трехмерных тел, допускающих определенную группу симметрий), форма зародышей новой фазы (инвариантная к этой группе, в силу чего зародыши полностью описываются суммарной площадью, которую они занимают на поверхности), а также постоянный размер частиц порошка в ходе гидрирования (но размер может быть другим для другой кривой, полученной на этом же образце, что отвечает измельчению порошка при многократном гидрировании). Кроме того, предполагаем пространственно-постоянную температуру частиц, что обусловлено малым их размером при высокой теплопроводности.

Физика элементарных частиц

Модель описывает процесс гидрирования рядом этапов:

1. Нуклеация — процесс появления зародышей новой фазы, при котором лимитирует их рост; поверхностью новой фазы пренебрегаем, число зародышей и их форму считаем неизменными, скорость роста зародыша пропорциональна его площади. Закон сохранения приводит к кубической зависимости количества поглощенного водорода от времени. Этап описывается константой пропорциональности и протяженностью. Введен для получения точки перегиба на модельных кривых зависимости поглощенного количества от времени.

2. Формирование сплошной «корки» новой фазы на поверхности частицы.

Зародыши считаем симметричными, что позволяет описывать их одним параметром — площадью, занимаемой совокупностью зародышей на поверхности частицы. Сорбция имеет место на поверхностях металла и гидрида. Этап кончается, когда вся поверхность частицы покрыта новой фазой — гидридом. Таким образом, в модели принят сценарий «сжимающегося ядра».

3. «Сжимающиеся ядро» — этап сорбции поверхностью гидрида, диффузии через корку к границе раздела фаз и фазовый переход на ней, сопровождающийся ее смещением. Этап описывается краевой диффузионной задачей со свободной границей и нелинейными граничными условиями, не относящейся к числу классических. В докладе описан алгоритм численного решения этой задачи. Отметим, что предположения симметрии сводят задачу к одной пространственной переменной.



Pages:     | 1 |   ...   | 5 | 6 || 8 |
Похожие работы:

«Suhayl 5 (2005) pp. 163-2 Послание относительно Тасйир (Tasyr) и проекции лучей Абу Марвана аль-Эсихи (Ab Marwn al-Istij) Julio Sams и Hamid Berrani Джулио Самсо и Хамид Беррани Перевод с английского G. Z. Киев 201 1 Введение 1.1 Автор Абу Марван Абд Аллах ибн Халаф аль-Эсихи (Ab Marwn cAbd Allh ibn Khalaf al-Istij) был астрономом и астрологом, кто жил и работал в Толедо и Куэнка во второй половине одиннадцатого столетия2. У нас нет никаких точных дат его рождения и смерти, но его семья, должно...»

«ISSN 0552-5829 РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ГЛАВНАЯ (ПУЛКОВСКАЯ) АСТРОНОМИЧЕСКАЯ ОБСЕРВАТОРИЯ ВСЕРОССИЙСКАЯ ЕЖЕГОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФИЗИКЕ СОЛНЦА СОЛНЕЧНАЯ И СОЛНЕЧНО-ЗЕМНАЯ ФИЗИКА – 2010 ТРУДЫ Санкт-Петербург Сборник содержит доклады, представленные на Всероссийской ежегодной конференции «Солнечная и солнечно-земная физика – 2010» (XIV Пулковская конференция по физике Солнца, 3–9 октября 2010 года, Санкт-Петербург, ГАО РАН). Конференция проводилась Главной (Пулковской) астрономической...»

«УТВЕРЖДАЮ Заместитель Министра образования Республики Беларусь _В.А. Будкевич «25»июня 2014 г. Инструктивно-методическое письмо Министерства образования Республики Беларусь «Об организации образовательного процесса при изучении учебного предмета «Астрономия» в учреждениях общего среднего образования в 2014/2015 учебном году» I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ В соответствии с образовательным стандартом учебного предмета «Астрономия» целями его изучения являются овладение учащимися основами систематизированных...»

«РОСЖЕЛДОР Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Ростовский государственный университет путей сообщения (ФГБОУ ВПО РГУПС) РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ Б1.В.ОД.6 ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ НАПРАВЛЕНИЕ ПОДГОТОВКИ 03.06.01 «Физика и астрономия» Ростов-на-Дону 2014 г. Цели и задачи дисциплины Целью дисциплины «Физика конденсированного состояния» является формирование у аспирантов углубленных профессиональных знаний в области...»

«ISSN 0552-58 РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ГЛАВНАЯ (ПУЛКОВСКАЯ) АСТРОНОМИЧЕСКАЯ ОБСЕРВАТОРИЯ XIX ВСЕРОССИЙСКАЯ ЕЖЕГОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФИЗИКЕ СОЛНЦА СОЛНЕЧНАЯ И СОЛНЕЧНО-ЗЕМНАЯ ФИЗИКА – 2 ТРУДЫ Санкт-Петербург Сборник содержит доклады, представленные на XIX Всероссийскую ежегодную конференцию по физике Солнца «Солнечная и солнечно-земная физика – 2015» (5 – 9 октября 2015 года, ГАО РАН, Санкт-Петербург). Конференция проводилась Главной (Пулковской) астрономической обсерваторией РАН при поддержке...»

«ПРАВИТЕЛЬСТВО САНКТ-ПЕТЕРБУРГА КОМИТЕТ ПО НАУКЕ И ВЫСШЕЙ ШКОЛЕ РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ГЛАВНАЯ (ПУЛКОВСКАЯ) АСТРОНОМИЧЕСКАЯ ОБСЕРВАТОРИЯ СОЛНЕЧНАЯ И СОЛНЕЧНО-ЗЕМНАЯ ФИЗИКА — 2014 XVIII ВСЕРОССИЙСКАЯ ЕЖЕГОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ С МЕЖДУНАРОДНЫМ УЧАСТИЕМ 20 – 24 октября 2014 года Санкт-Петербург Сборник содержит тезисы докладов, представленных на XVIII Всероссийскую ежегодную конференцию с международным участием Солнечная и солнечно-земная физика — 2014 (20 – 24 октября 2014 года, ГАО РАН,...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО НАУЧНЫХ ОРГАНИЗАЦИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ СПЕЦИАЛЬНАЯ АСТРОФИЗИЧЕСКАЯ ОБСЕРВАТОРИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (САО РАН) ПРИНЯТО УТВЕРЖДАЮ решением Ученого совета Директор САО РАН, САО РАН № _322_ член-корр. РАН от «_16_» сентября 2014 г. Ю.Ю. Балега «_»_ 2014 г. ОБРАЗОВАТЕЛЬНАЯ ПРОГРАММА ПОДГОТОВКИ НАУЧНО-ПЕДАГОГИЧЕСКИХ КАДРОВ В АСПИРАНТУРЕ 03.06.01 ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ Направление подготовки 01.03.02 АСТРОФИЗИКА И ЗВЕЗДНАЯ Направленность...»

«Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Тамбовский государственный университет имени Г.Р.Державина» «Утверждено» Решением Ученого совета ФГБОУ ВПО «Тамбовский государственный университет имени Г.Р.Державина» от 24 февраля 2015 г. протокол № 44 Ректор В.М.Юрьев ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ ПО НАПРАВЛЕНИЮ ПОДГОТОВКИ НАУЧНО-ПЕДАГОГИЧЕСКИХ КАДРОВ В АСПИРАНТУРЕ 03.06.01 «ФИЗИКА...»

«Федеральное государственное образовательное бюджетное учреждение высшего профессионального образования «МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ МЕЖДУНАРОДНЫХ ОТНОШЕНИЙ (УНИВЕРСИТЕТ) МИД РОССИИ» «УТВЕРЖДАЮ» Председатель Приемной комиссии Ректор МГИМО (У) МИД России академик РАН А.В. ТОРКУНОВ Программа вступительного экзамена для поступления в магистратуру МГИМО (У) МИД России по направлению «Зарубежное регионоведение»     МОСКВА 2015 Порядок проведения вступительного экзамена по дисциплине «Основы...»

«Федеральное государственное образовательное бюджетное учреждение высшего профессионального образования «МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ МЕЖДУНАРОДНЫХ ОТНОШЕНИЙ (УНИВЕРСИТЕТ) МИД РОССИИ» «УТВЕРЖДАЮ» Председатель Приемной комиссии Ректор МГИМО (У) МИД России академик РАН А.В. ТОРКУНОВ Программа вступительного экзамена для поступления в магистратуру МГИМО (У) МИД России по направлению «Зарубежное регионоведение»     МОСКВА 2015 Порядок проведения вступительного экзамена по дисциплине «Основы...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО НАУЧНЫХ ОРГАНИЗАЦИЙ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук» (ИАПУ ДВО РАН) «СОГЛАСОВАНО» «УТВЕРЖДАЮ» Руководитель направления Заместитель директора по научноподготовки аспирантов03.06.01 образовательной и инновационной «Физика и астрономия»,д.ф.-м.н. деятельности, д.ф.-м.н. _ Н.Г. Галкин _ Н.Г. Галкин « » сентября 2015 г. « » сентября 2015 г....»

«УТВЕРЖДАЮ Заместитель Министра образования Республики Беларусь _В.А. Будкевич «25»июня 2014 г. Инструктивно-методическое письмо Министерства образования Республики Беларусь «Об организации образовательного процесса при изучении учебного предмета «Астрономия» в учреждениях общего среднего образования в 2014/2015 учебном году» I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ В соответствии с образовательным стандартом учебного предмета «Астрономия» целями его изучения являются овладение учащимися основами систематизированных...»

«ISSN 0552-5829 РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ГЛАВНАЯ (ПУЛКОВСКАЯ) АСТРОНОМИЧЕСКАЯ ОБСЕРВАТОРИЯ ВСЕРОССИЙСКАЯ ЕЖЕГОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ С МЕЖДУНАРОДНЫМ УЧАСТИЕМ СОЛНЕЧНАЯ И СОЛНЕЧНО-ЗЕМНАЯ ФИЗИКА – 20 ТРУДЫ Санкт-Петербург Сборник содержит доклады, представленные на XVIII Всероссийской ежегодной конференции с международным участием «Солнечная и солнечно-земная физика – 2014» (20 – 24 октября 2014 года, ГАО РАН, Санкт-Петербург). Конференция проводилась Главной (Пулковской) астрономической обсерваторией...»

«ТУРИЗМ КАК ФАКТОР СОЦИАЛЬНОЭКОНОМИЧЕСКОГО РАЗВИТИЯ ТЕРРИТОРИЙ ГАСТРОНОМИЧЕСКАЯ СОСТАВЛЯЮЩАЯ РЕГИОНАЛЬНОГО ТУРПРОДУКТА Абрамкина Т.Н., Иркутский государственный университет, г. Иркутск Гастрономический туризм в последнее время стремительно набирает обороты во всём мире. Однако если за рубежом данный сегмент довольно хорошо развит, то в России этот вид туризма только начинает зарождаться. Актуальность исследования обусловлена тем, что на сегодняшний день выбор гастрономических туров по России...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР «КУРЧАТОВСКИЙ ИНСТИТУТ» Одобрено Советом по «УТВЕРЖДАЮ» Первый заместитель директора образовательной деятельности по научной работе НИЦ «Курчатовский институт» Протокол № 3 О.С. Нарайкин «25» сентября 2015 г. «25» сентября 2015 г. ОСНОВНАЯ ОБРАЗОВАТЕЛЬНАЯ ПРОГРАММА Уровень: подготовка научно-педагогических кадров (аспирантура) Направление подготовки кадров...»

«РАЗРАБОТАНА УТВЕРЖДЕНО Центром функциональных магнитных Ученым советом Университета материалов (заседание ЦФММ от 28.08.2014 г., от «22» сентября 2014 г., протокол протокол № _5_) №1 ПРОГРАММА КАНДИДАТСКОГО ЭКЗАМЕНА ПО СПЕЦИАЛЬНОЙ ДИСЦИПЛИНЕ в соответствии с темой диссертации на соискание ученой степени кандидата наук Направление подготовки 03.06.01 Физика и астрономия Профиль подготовки Физика конденсированного состояния Астрахань – 2014 Программа кандидатского экзамена составлена в...»

«Федеральное государственное образовательное бюджетное учреждение высшего профессионального образования «МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ МЕЖДУНАРОДНЫХ ОТНОШЕНИЙ (УНИВЕРСИТЕТ) МИД РОССИИ» «УТВЕРЖДАЮ» Председатель Приемной комиссии Ректор МГИМО (У) МИД России академик РАН А.В. ТОРКУНОВ Программа вступительного экзамена для поступления в магистратуру МГИМО (У) МИД России по направлению «Зарубежное регионоведение» МОСКВА 2015 Порядок проведения вступительного экзамена по дисциплине «Основы...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АЕЕНТСТВО НАУЧНЫХ ОРЕАНИЗАЦИЙ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук» (ИАПУ ДВО РАН) «СОГЛАСОВАНО» СДВЕННС; Зам. директора по научноДиректор ИАПУ ДВО РАН /^ S \ образовательцой и инновационной ^емик деятельности, д.ф.-м.н. Н.Г. Галкин Ю.Н. Кульчин сентября 2015 г. нтября 2015 г. ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ по специальной дисциплине Направление...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО НАУЧНЫХ ОРГАНИЗАЦИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ СПЕЦИАЛЬНАЯ АСТРОФИЗИЧЕСКАЯ ОБСЕРВАТОРИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (САО РАН) ПРИНЯТО УТВЕРЖДАЮ решением Ученого совета Директор САО РАН, САО РАН № _322_ член-корр. РАН от «_16_» сентября 2014 г. Ю.Ю. Балега «_»_ 2014 г. ОБРАЗОВАТЕЛЬНАЯ ПРОГРАММА ПОДГОТОВКИ НАУЧНО-ПЕДАГОГИЧЕСКИХ КАДРОВ В АСПИРАНТУРЕ 03.06.01 ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ Направление подготовки 01.03.02 АСТРОФИЗИКА И ЗВЕЗДНАЯ Направленность...»

«Муниципальное бюджетное общеобразовательное учреждение гимназия г. Гурьевска Рабочая программа учебного предмета астрономия_ в 11 классе (профильный уровень) (наименование предмета) Составила Матвеева В. В., учитель физики и астрономии Гурьевск 2015 г. Пояснительная записка Астрономия как наука о наиболее общих законах природы, выступая в качестве учебного предмета в школе, вносит существенный вклад в систему знаний об окружающем мире. Для решения задач формирования основ научного...»



 
2016 www.programma.x-pdf.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Учебные, рабочие программы»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.