WWW.PROGRAMMA.X-PDF.RU
БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА - Учебные и рабочие программы
 


Pages:     | 1 |   ...   | 6 | 7 ||

«ФизикА.СПб Тезисы докладов 26 — 27 октября 2011 года Санкт-Петербург Организатор Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Спонсоры Российская академия наук Администрация ...»

-- [ Страница 8 ] --

В докладе показано, как выводятся уравнения модели, описан алгоритм решения задач, описан переход к ансамблю частиц (порошку), показаны результаты применения модели к экспериментальным данным для ряда материалов, приведены аргументы в пользу тезисов о малом влиянии формы частиц порошка на кинетику гидрирования (разные формы допускают сходное приближение при близких наборах параметров) и о допустимости одночастичного приближения (одна частица хорошо аппроксимирует ансамбль).

Работа поддержана грантом РФФИ 09-03-00947-а.



Литература

1. I. A. Chernov, I. E. Gabis, Mathematical Modeling, Clustering Algorithms and Applications, Nova Publishers, 2011.

–  –  –

Поиск составов сосуществующих фаз в бинарных системах методом сопровождающих парабол А. А. Шнайдер, А. Ю. Захаров Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого, Великий Новгород, Россия тел: (8162) 33-68-91, эл. почта: schneider@mail.natm.ru

–  –  –

3. Точно аналитически решается задача обнаружения концов коноды аппроксимирующим параболам.

(1) (1) Абсциссы концов коноды x1 и x2, к аппроксимирующим параболам выбираются в качестве начальных в первом приближении.

Выполнение итераций прекращается по достижении заданной точности.

Для реализации алгоритма была написана короткая программа в оболочке Mathematica 5.0, вывод результатов для удобного графического представления был осуществлён в Excel. Применение метода к ряду модельных потенциалов (потенциал в полиномиальной форме, потенциал Ван-дер-Ваальса, потенциал Редлиха-Кистера) показало уверенную работоспособность метода. Для нахождеФизика элементарных частиц

–  –  –

Ускорение частиц в области взаимодействия звёздного ветра с остатком сверхновой П. E. Гладилин1, 2, А. М. Быков1, 2, С. М. Осипов1, 2 1 ФТИ им. А.Ф. Иоффе, С-Петербург, Россия тел: (812) 292-71-80, эл. почта: peter.gladilin@gmail.com 2 Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 292-73-26, эл. почта:osm2004@mail.ru Постановка задачи Бесстолкновительные ударные волны (УВ) позволяют ускорять заряженные частицы до ультрарелятивистских энергий. Формируемый спектр ускоренных частиц имеет, как правило, степенной вид. Процесс ускорения частиц на фронтах УВ от остатков сверхновых и звездного ветра является предметом подробного исследования астрофизиков в последние годы [1]. В данной работе исследуется кинетическая модель ускорения заряженных частиц в области взаимодействия остатка сверхновой звезды с мощным звёздным ветром от молодой массивной звезды раннего спектрального класса (или звёздного кластера). Эта область содержит сходящиеся магнитогидродинамические потоки. Так как частицы, движущиеся между фронтами двух ударных волн в этой системе, будут испытывать большое число лобовых столкновений, они будут более эффективно, (по сравнению со случаем ускорения на одиночной УВ) набирать кинетическую энергию. Такие течения могут быть уникальными ускорителями релятивистских частиц с жесткими энергетическими спектрами в области максимальных энергий. Они также могут иметь место и в двойных системах со сталкивающимися звездными ветрами. Особое внимание привлекают двойные системы со звездами типа Вольфа–Райе, такие как WR140 [2].

POSTDEADLINE

Результаты аналитического расчёта и численного моделирования

Спектр частиц, ускоренных на двух сходящихся фронтах ударных волн в одномерной модели будет иметь вид:

–  –  –

Di го ветра и остатка сверхновой, - коэффициент диффузии. Таким образом, синэВ хротронное излучение с энергиями порядка 10 может иметь очень жесткий спектр с показателем 1. Полученный результат отличается от подробно изученных случаев ускорения на одиночных ударных волнах с показателем 2.

Данный механизм может позволить более эффективно преобразовывать кинетическую энергию ускоренных частиц в жёсткое рентгеновское и гамма-излучение.

На ускорение частицы до данной энергии согласно теоретическим оценкам в этом случае тратится в 1.67 раз меньше времени, чем для одиночной ударной волны.

Предложенный сценарий может объяснить происхождение некоторых наблюдаемых рентгеновских источников. Источники такого рода могут достаточно часто встречаться в регионах активного звездообразования. Например, область галактического центра может содержать много таких объектов, жесткое рентгеновское излучение которых можно наблюдать на наземных черенковских телескопах.





Литература

1. Malkov, M.A. Rep. Prog. Phys. 6, (2001).

2. Eichler, D. Astroph. Journal. 402, (1993).

–  –  –

Широкополосные (2ГГц) GaInAsSb/GaAlAsSb p-i-n фотодиоды для спектрального диапазона 1.5-2.5 мкм Г. Г. Коновалов, Андреев И. А., Дюделев В. В., Соколовский Г. С., Яковлев Ю. П.

ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия тел.: (812) 292-79-29, Факс: (812) 247-00-06, эл. почта: glebkonovalov@ya.ru Созданы и исследованы неохлаждаемые быстродействующие p-i-n фотодиоды для регистрации коротких импульсов лазерного излучения в спектральном диапазоне 1.3-2.4 мкм. Данные фотодиоды позволяют изучать быстропротекающие процессы в физике лазеров, ядерной физике, физике космических лучей, а также могут использоваться в дальнометрии и локации в безопасном для глаза человека окне прозрачности атмосферы, в системах СВЧ коммуникаций по каналам ВОЛС и в открытом пространстве, в системах диодно-лазерной спектроскопии газов и молекул, в медицине и т.д.

Разработан и оптимизирован технологический цикл создания быстродействующих фотодиодов, включающий выращивание на подложке GaSb(100) изопериодных гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb методом жидкофазной эпитаксии, постростовую технологию, корпусирование фотодиодов в специальные СВЧ разъемы для исследования кинетики фотоотклика и измерения полосы пропускания. Благодаря применению технологии выращивания активной области GaInAsSb фотодиодных гетероструктур с использованием редкоземельного элемента гольмия (Ho) достигнуто рекордно низкое значение собственной ёмкости фотодиодов:

С=2.0-3.0 пФ без обратного смещения и С=0.8-1.0 пФ при обратном смещении U=1 В при диаметре чувствительной площадки 50-100 мкм. Осциллограмма фотоответа приведена на рис. Быстродействие GaInAsSb/ GaAlAsSb фотодиодов, определяемое по времени нарастания импульса фотоотклика на уровне 0.1-0.9, составляет величину t0.1-0.9=130-150 пс. Ширина полосы пропускания достигает 2ГГц. Фотодиоды характеризуются низкой величиной обратных темновых токов I=300-900 нА при обратном смещении U=(0.5-3.0) В, высокими значениями токовой монохроматической чувствительности SI=1.10-1.15 A/Вт и обнаружительной 10 -1 1/2 способностью D*(max,1000,1)=9.010 Вт смГц на длинах волн 2.0-2.2 мкм.

POSTDEADLINE

Разработка эфемеридного обеспечения естественных спутников планет в ИПА РАН Г. А. Космодиаминский, А. Л. Порошина, М. Д. Замарашкина Институт Прикладной астрономии РАН, Санкт-Петербург, Россия тел: (812) 275-10-19, эл. почта: gak_83@mail.ru, annporoshina@yandex.ru, m_zam @mail.ru Эфемериды - таблицы, содержащие предвычисленные положения небесных тел на небе и в пространстве. Эфемериды необходимы как для наблюдения небесных тел, так и для расчёта траекторий полёта к ним космических аппаратов.

Институт Прикладной Астрономии РАН занимается разработкой эфемерид объектов солнечной системы и выпускает специализированные эфемеридные издания.

В последнее время в лаборатории Эфемеридной Астрономии и Лаборатории Астрономических Ежегодников ведётся работа по созданию эфемерид естественных спутников планет. Работа ведется в рамках программного пакета ЭРА (Эфемеридные расчеты в астрономии) [1], созданного под руководством проф. Красинского для решения различных задач эфемеридной и динамической астрономии. Программный пакет ЭРА позволяет использовать как уже готовые эфемериды планет DE, INPOP, EPM и аналитические теории движения спутников, так и самостоятельно строить численные теории небесных тел.

Построение теории движения спутников по наблюдениям проводилось методом дифференциального уточнения параметров, который состоит из нескольких последовательных итераций. На каждой итерации проводилось численное интегрирование дифференциальных уравнений движения спутников методом Эверхарта 19-го порядка.

В докладе представлены модели движения спутников, а так же результаты сравнения полученных теорий, как с наблюдениями, так и с результатами других авторов. Кроме того, по построенным теориям были проведены оценки некоторых гравитационных параметров.

Результаты работы:

Построены численные теории движения спутников Марса (Phobos, Deimos)и основных спутников Юпитера (Io, Europa, Ganymede, Callisto), Сатурна (Mimas, Enceladus, Tethys, Dione, Rhea, Titan, Hyperion, Iapetus) и Урана(Ariel, Umbriel, Titania, Oberon, Miranda) на интервале 1960-2020 гг [2].

–  –  –

Теории спутников Юпитера и Сатурна уже используются для вычисления эфемерид этих спутников, которые доступны на сайте ИПА РАН http://www.ipa.nw.ru/PAGE/rusipa.htm Получены оценки некоторых гравитационных параметров системы Юпитера, Сатурна и Урана, которые хорошо согласуются со значениями, полученными другими авторами;

Проведена оценка точности полученных теорий, путем сравнения с наблюдениями и с эфемеридами других авторов. Оценка показала, что для большинства спутников имеется довольно хорошее согласие с результатами других авторов.

Данная работа не является окончательной стадией нашего изучения динамики движения спутников. Основная цель этого доклада – рассказать о развитии спутниковых теорий в ИПА РАН. Предполагается дальнейшее развитие численных теорий спутников и расширение наблююдательной базы данных.

Литература

1. G. A. Krasinsky, M. V.Vasilyev. Proceedings of IAU Coll. 165. (1997).

2. A. Poroshina, M. Zamarashkina, G. Kosmdamianskiy, Труды ИПА РАН, вып. 22 (в печати) Особенности создания УФ светодиодов AlGaN с длиной волны 360-365 нм, предназначенных для работы при высоких плотностях тока С. Ю.Курин1, 2, Ю. Н. Макаров2, Т. Ю. Чемекова2 1 Санкт-Петербургский академический университет, Санкт-Петербург, Россия эл. почта: skaphos@rambler.ru ООО «Нитридные кристаллы», С-Петербург, Россия эл. почта: skaphos@rambler.ru УФ излучение широко используется в ряде отраслей промышленности, медицине, измерительной аппаратуре и других областях. В настоящее время в качестве источника УФ излучения, в основном, используются ртутные лампы. Замена ртутных ламп на УФ светодиоды позволит в десятки раз увеличить срок службы УФ приборов, значительно уменьшит их энергопотребление, исключит возможность загрязнения окружающей среды ртутью [1].

Гетероструктуры УФ светодиодов AlGaN, получаемые, как правило, на инородных подложках сапфира (Al2O3), оказываются весьма чувствительными к про

<

POSTDEADLINE

никающим дислокациям, что приводит к снижению эффективности УФ светодиодов. В предлагаемой работе указанные гетероструктуры выращены на низкодефектных подложках монокристаллического нитрида алюминия (AlN), который согласован по параметрам решетки с эпитаксиальными слоями гетероструктуры и химически совместим с ними, поэтому использование подложек AlN для выращивания таких гетероструктур позволяет обеспечить высокое кристаллическое совершенство активного слоя гетероструктуры, а следовательно, повышает эффективность УФ светодиода.

Выбор одиночного слоя толщиной более 100 нм в качестве активной области продиктован следующими соображениями: во-первых, при использовании указанной активной области максимум внутренней квантовой эффективности (IQE) достигается при высоких плотностях тока (более 200 А/см ); во-вторых, использование структур с множественными квантовыми ямами (MQW) в качестве активных областей гетероструктур УФ светодиодов является нецелесообразным для работы при высоких плотностях тока, т.к. в таких структурах не до конца решены проблемы с неоднородностью инжекции электронов и дырок в различные ямы, а также наблюдается падение IQE уже при небольших плотностях тока вследствие ожерекомбинации [2].

Процессы роста гетероструктур УФ светодиодов проводились методом хлоридно-гидридной эпитаксии (HVPE) на одноподложечном реакторе, позволяющем осаждать на подложках диаметром 2 дюйма слои нитридов металлов III группы, включая GaN, AlN и их твердые растворы. Реактор оборудован шестизонным резистивным нагревателем, обеспечивающим необходимый температурный диапазон в реакционной зоне.

Полученные гетероструктуры исследованы методами XRD, SIMS, AFM, EL. Пиковая длина волны гетероструктур УФ светодиодов составила 360-365 нм, полуширина спектра излучения – 10 нм. Полуширина пика рентгеновской дифракции в симметричном отражении (0002) – менее 400 arcsec. Плотность дислокаций в 6 -2 7 -2 лучших образцах – от 910 см до 110 см. После изготовления чипов размером 11 мм был определен их ожидаемый срок службы, который составил более 2500 часов при токе 350 мА. Удельная мощность чипов составила 230 мВт/мм при токе 350 мА.

Литература

1. C. Ю. Курин и др. 8-я Всероссийская конференция "Нитриды галлия, индия и алюминия —структуры и приборы", С-Петербург, Россия, 2011.

2. K. A. Bulashevich, M. S. Ramm, S. Yu. Karpov. Phys. Stat. Solidi (c), 6, S804 (2009).

–  –  –

Получение и исследование структур с микровключениями в oбласти пространственного заряда Р. В. Лёвин, В. С. Калиновский, Б. В. Пушный, В. Д. Румянцев, В. М. Андреев.

ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия тел: (911) 255-62-54, эл. почта: Lev@vpegroup.ioffe.ru В работе предложена новая модель соединительных элементов для монолитных многопереходных солнечных элементов (МП СЭ) [1]. Вместо соединительных туннельных p -n переходов предложено использовать p-n переходы с микровключениями в области пространственного заряда (ОПЗ) соединительных переходов. В этом случае p-n переход не является выпрямляющим и свободно проводит ток в прямом направлении. Представлены технологические режимы получения таких переходов и результаты их исследований.

Исследованные структуры были получены на основе GaSb методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на установке AIX-200. В качестве источников использовались триэтилгаллий (TEGa), триметилсурьма (TMSb), а также силан (SiН4) и диэтилтеллур (DETe) в качестве источников легирующих примесей. Температура роста составляла 600 С, и давление в реакторе 100мбар. Кристаллические объекты, которые выращивались в ОПЗ соединительных переходов, состояли из кремния, [2-3].

Были исследованы на модельных структурах влияние возможных дефектов от введения кристаллов Si на характеристики “вышележащей” фоточувствительной p-n структуры.

–  –  –

ром ( = 1.3 мкм, h = 0.95эВ) создающим плотность освещенности до 3 Вт/см.

Расчет эффективности преобразования оптического излучения фотоактивными p-n переходами в исследованных структурах выполнялся на основе измерений темновых безрезистивных ВАХ по методике описанной в работе [4].

В результате проведённых исследований показано, что введение Si микровключений в ОПЗ соединительных p-n переходов позволяет исключить соединительный туннельный переход и обеспечить омическое сопротивление встречно включённых фотовольтаических p-n переходов в МП СЭ ~ 0,01 Ohm*cm.

Работа выполнена при поддержке РФФИ Грант 09-08-00574-а.

POSTDEADLINE

Литература

1. Zh. I. Alferov, V. M. Andreev, V. D. Rumyantsev. Springer Series in Optical Sciences, 140, 2008.

2. V.M. Andreev, V.S. Kalinovsky, R.V. Levin, B.V. Pushniy, V. D. Proceeding of the 24th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 21-25 September 2009, Hamburg, Germany Rumyantsev.

3. Патент №RU106443U1 от 10.07.2011. Полупроводниковая многопереходная структура.

4. V. M. Andreev et al. Semiconductors, 43 (5), (2009).

Содержание

Актуальные вопросы физики твердого тела и физики полупроводников 3 Метод восстановления состаренных газоразрядных детекторов в газовом разряде CF4/CO2 Д. А. Аксёнов, В. М. Вахтель, Г. Е. Гаврилов, A. Г. Крившич, Д. А. Майсузенко, А. А. Фетисов, Н. Ю. Швецова

Диффузия колебаний в неупорядоченных средах Я. М. Бельтюков

Определение сверхструктурных образований в полупроводниковых структурах методом малоуглового рассеяния рентгеновских лучей Н. С. Белякова, М. Е. Бойко

Инверсный магнитоэлектрический эффект в феррит-пьезоэлектрическом диске Т. А. Галкина, Д. А. Филиппов

Распространение интенсивных спиновых волн в одномерном магнонном кристалле А. В. Дроздовский, А. Б. Устинов

Точно решаемая модель одноосного сегнетоэлектрика с дальнодействующим потенциалом А. Ю. Захаров, М. И. Бичурин, Н. В. Евстигнеева

К теории фазовых переходов в классической статистической физике.

Решённые и пока нерешённые проблемы А. Ю. Захаров

Фазовый переход и корреляционные эффекты в диоксиде ванадия А. В. Ильинский, О. Е. Квашенкина, Е. Б. Шадрин

Содержание

Электронная структура и оптические свойства гексагональных редкоземельных ортоферритов RFeO3 (R=Ho, Er, Lu) В. А. Русаков, В. В. Павлов, А. Р. Акбашев, А. М. Калашникова, А. Р. Кауль, М. Байер, Р. В. Писарев

Критическое поведение двумерного спирального XY магнетика А. О. Сорокин, А. В. Сыромятников

Магнитоэлектрический эффект в структуре магнитострикционнопьезоэлектрическая пленка-подложка Т. О. Фирсова

Перенос энергии в сцинтилляционных кристаллах BaF2:Tm В. М. Ханин, П. А. Родный

Астрономия и астрофизика 21 Инжекция парниковых газов в атмосферу Марса вследствие кометного удара А. К. Павлов, А. А. Павлов, М. А. Вдовина

Влияние мелкомасштабного магнитного поля на поверхности и сверхтекучести нейтронов в недрах нейтронной звезды на эволюцию угла наклона радиопульсаров Д. П. Барсуков, О. А. Гогличидзе, А. И. Цыган

Обнаружение оптического и инфракрасного излучения пульсарных туманностей в молодых остатках сверхновых 3С 58 и G292.0+1.8 Д. А. Зюзин, Ю. А. Шибанов, С. В. Жариков, А.А. Даниленко, П. Люндквист, Е. Соллерман

Термодинамические свойства бинарных кулоновских кристаллов А. А. Кожберов, Д. А. Байко

Обработка рентгеновских наблюдений пульсарной туманности Vela Ю. А. Кропотина, А. М. Быков, О. Ю. Каргальцев, К. П. Левенфиш, Г. Г. Павлов

Корональные магнитные поля солнечных активных областей Е. А. Курочкин

Моделирование распространения ядерно-активной компоненты космических лучей в атмосфере Земли А. В. Нестеренок

О стохастизации в звездных системах Д. В. Овод

Планетная динамика в системе Cen: Ляпуновские спектры и устойчивость Е. А. Попова, И. И. Шевченко

Массовое отождествление астероидов в трёхтельных резонансах Е. А. Смирнов, И. И. Шевченко

Содержание

Исследование временных, спектральных и энергетических характеристик гамма-всплесков с известным красным смещением, зарегистрированных в эксперименте Конус-Винд А. Е. Цветкова, В. Д. Пальшин, Д. С. Свинкин, Р. Л. Аптекарь, С. В. Голенецкий, Д. Д. Фредерикс, Е. П. Мазец, Ф. П. Олейник, М. В. Уланов

Поиск радиотуманностей у пульсаров PSR J0358+5413, PSR J1809-1917 и PSR B1800-21 А. Е. Яблокова, А. М. Быков, О. Ю. Каргальцев, Г. Г. Павлов

Биофизика 36 Описание патологической синхронизации нейронов в рамках частотной популяционной модели А. Ю. Бучин, А. В. Чижов

Тепловая денатурация бычьего сывороточного альбумина в спектрах мандельштам-бриллюэновского рассеяния света А. В. Дмитриев., А. И. Федосеев, А. В. Сванидзе

Разработка неинвазивного метода определения концентрации глюкозы в крови человека на основе оптической поляриметрии и спекл-оптики Г. А. Кафидова

Синтез серебрянных наночастиц в стеклах с планарными волноводами для биосенсорных приложений П. А. Образцов, А. В. Нащекин, В. Н. Неведомский, О. А. Подсвиров, А. И. Сидоров, О. А. Усов

Наноструктурированные и тонкопленочные материалы 42

Фононные дисперсионные кривые в тонких эпитаксиальных пленках:

исследование тонкопленочных релаксоров методом неупругого рассеяния синхротронного излучения Р. Г. Бурковский, С. Б. Вахрушев, А. В. Филимонов

Магнитные наноматериалы на основе оксидов металлов подгруппы железа К. Г. Гареев, И. Е. Грачева

Формирование сверхтонких магнитных пленок кобальта на поверхности монокристаллического кремния Г. С. Гребенюк, К. М. Попов, И. И. Пронин

Золь-гель синтез и исследование нанокомпозитов на основе оксида цинка C. C. Карпова

Содержание

Исследование эпитаксиального роста и рентгеновского магнитоциркулярного дихроизма гетероструктур Co/MnF2 К. В. Кошмак, В. В. Федоров, Д. А. Баранов, Ю. А. Кибалин, А. Г. Банщиков, С. М. Сутурин, Л. Паскуали, П. Торелли, Дж. Фуджи, Г. Панационе, Н. С. Соколов

Формирование и свойства наночастиц кремния распределенных в диэлектрических матрицах А. В. Кукин, Д. В. Кошкина, Е. И. Теруков

Метод тепловой десорбции азота как способ контроля технологических режимов получения пористых материалов и наноструктур с высокой удельной поверхностью Е. В. Мараева, А. В. Старцева

Создание наноструктур на основе фуллеренов C60 методом электронной литографии и исследование их вольт-амперных характеристик С. И. Павлов, П. Н. Брунков, С. И. Нестеров, Р. В. Соколов, Е. М. Танклевская, А. В. Нащекин

Дифракционные структуры на основе стеклометаллических нанокомпозитов М. И. Петров, О. В. Шустова, А. А. Липовский, Ю. П. Свирко

Использование метаморфной технологии для получения МНЕМТ наногетероструктур InAlAs/InGaAs на подложках GaAs и InP с различной мольной долей InAs в активной области Г. Б. Галиев, И. С. Васильевский, Е. А. Климов, С. С. Пушкарёв, О. А. Рубан......57 Газочувствительные нанокомпозиты на основе оксида цинка, полученные в условиях иерархической самосборки А. В. Cитников, И. Е. Грачева

Особенности темплатного синтеза структур на основе пористого оксида алюминия Е. Н. Соколова

Структурные и оптические свойства пленок Ge2Sb2Te5, полученных термическим испарением С. А. Яковлев

Исследование динамики системы иммунных белков (комплемена) методом когерентной спектроскпоии Д. С. Перевозник, Д. В. Мокрова

Новый метод обработки спектров EXAFS в исследовании современных материалов и биологических молекул М. Д. Шарков, А. В. Бобыль, М. Е. Бойко, Е. М. Ершенко, С. Г. Конников, К. Ю. Погребицкий

Содержание

Полупроводниковые лазеры и фотоприемники 66 Влияние конструктивных параметров на ширину полосы модуляции вертикально-излучающих лазеров М.А. Бобров, М.М. Павлов1,, С.А. Блохин, А.Г. Кузьменков, Н.А. Малеев, В.М. Устинов, P. Wolf, P. Moser, D. Bimberg

Поворот плоскости поляризации излучения гетеролазеров под воздействием переменной ультразвуковой деформации В. А. Горелов, Л. А. Кулакова

Влияние насыщения усиления на мощностные и динамические характеристики полупроводниковых лазеров с квантово-размерной активной областью Е. Д. Колыхалова, В. В. Дюделев, М. В. Максимов, Г. С. Соколовский................69 Высокоэффективные и быстродействующие фотодиоды для спектрального диапазона 2.5 – 4.8 мкм И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Д. А. Старостенко, В. В. Шерстнёв, Ю. П. Яковлев

Влияние неоднородного уширения и преднамеренно внесённой неупорядоченности на ширину спектра генерации лазеров на КТ В. В. Коренев, А. В. Савельев, А. В. Омельченко, А. Е. Жуков

Ультрафиолетовые фотодетекторы на основе контактов металл - твердые растворы AlGaN И. А. Ламкин, С. А. Тарасов, А. Н. Пихтин

Полупроводниковые лазеры в средней ИК-области спектра (2-2.4 мкм) на модах шепчущей галереи В. В. Шерстнев, M. И.Ларченков, А. М. Монахов, Е. А. Гребенщикова, А. Н. Баранов, Ю. П. Яковлев

Интерференционная фокусировка полупроводниковых лазеров для биомедицинских применений С. Н. Лосев,В. В. Дюделев, А. Г. Дерягин, Ю. Г Ким,В. И. Кучинский, В. Сиббет, Э. У. Рафаилов, Г. С. Соколовский

Исследование влияния токового воздействия на оптические свойства наногететоструктур на основе твердых растворов ALGaN и GaInN Е. А. Менькович, С. А. Тарасов, А. Н. Пихтин

Интегральнооптический модулятор мощного лазерного излучения А. А. Подоскин, С. О. Слипченко, А. В. Рожков, А. Ю. Лешко, Д. А. Винокуров, А. Л. Станкевич, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов

Фотодиоды для спектрального диапазона 2.5 – 4.8 мкм, работающие при комнатной температуре В. В. Шерстнёв, Д. А. Старостенко, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Ю. П. Яковлев

Содержание Омические контакты к эпитаксиальным слоям AlGaN:Si с различным содержанием Al М. В. Толстой, И. А. Ламкин, В. Н. Жмерик, С. А. Тарасов, А. В. Афанасьев.......82 Поверхность 85 Исследование механических свойств GaAs нанопроводов методами атомносиловой микроскопии П. А. Алексеев, M. Lepsa, А. Н. Титков

Исследование свойств поверхностных акустических волн в структурах AlN/сапфир и ZnO/алмаз А. Т. Галисултанов, А. В. Осетров

Атомно-силовая микроскопия монокристаллических и поликристаллических сегнетоэлектрических пленок Е. В. Гущина, А. В. Анкудинов, Л. А. Делимова, В. С. Юферев, И. В. Грехов........88 Исследование наноструктуры и механических свойств ультратонких пленок полимерных композитов И. А. Няпшаев, А. В. Анкудинов, А. П. Возняковский

Модификации зонда атомно-силового микроскопа полианилином Н. В. Пермяков

Сканирующая микроскопия токов ионной проводимости: создание и исследование зондового датчика, апробация на тест-объектах А. В. Стовпяга, А. О. Голубок, И. Д. Сапожников

Приборы и материалы ТГц и СВЧ диапазона 94 Оптические и электрические свойства тонких плёнок полупроводникового полимера полифлуорена в терагерцовой области электромагнитного спектра А. В. Бобылев, А. Н. Алёшин, В. Н. Трухин, А. В. Андрианов

Свойства динамического хаоса в кольцевых СВЧ генераторах на основе ферромагнитных пленок А. В. Кондрашов, А. Б. Устинов, Б. А. Калиникос

Нелинейные свойства ТГц излучения полупроводникового микрорезонатора И. Г. Савенко, И. А. Шелых, М. А. Калитеевский

Изготовление полевого транзистора с субмикронным затвором для применения в СВЧ микросхемах на GaAs, GaN.

А. А. Сидельников, Б. В. Калинин

–  –  –

Нелинейный сверхвысокочастотный фазовращатель на основе слоистой структуры феррит-сегнетоэлектрик А. Б. Устинов

Примеси и дефекты в полупроводниках 101 Резонансное и релаксационное поглощение ультразвука анизотропными ян-теллеровскими центрами в GaAs К. А. Барышников

U-центры германия и олова в кристаллических и стеклообразных халькогенидных полупроводниках П. В. Гладких

U-центры олова в стеклообразных халькогенидах мышьяка А. Ю. Дашина

Спектры люминесценции пленок ZnO легированных редкоземельными элементами.

М. В. Еременко, М. М. Мездрогина

Двухэлектронные центры олова и германия с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидах свинца А. В. Зайцева

U - Центры олова в кристаллических и стеклообразных халькогенидных полупроводниках М. Ю. Кожокарь

3+ ЭПР ионов Се в монокристаллах тиогаллата свинца Д. Д. Крамущенко, Г. Р. Асатрян

Электро- и фотолюминесценция из кремниевых наноструктур, сильно легированных бором Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, Р. В. Кузьмин,

А. М. Маляренко, В. А. Машков

Примесные центры редкоземельных металлов в a-Si(H) А. С. Налетко

Определение состава тройных халькогенидных стекол (AsySe1-y)1-xTex методом рентгенофлуоресцентного анализа.

А. В. Николаева

Определение состава стекол Asx(GeySe1-y)1-x методом рентгенофлуоресцентного анализа Т. Ю. Рабчанова

Объемный GaN: примеси и локализованные состояния Ю. А. Шафир, С. Н. Родин

Содержание

Нелинейные свойства ТГц излучения полупроводникового микрорезонатора И. Г. Савенко, И. А. Шелых, М. А. Калитеевский

Влияние магнитного вымораживания примесей на поглощение света в сверхчистых полупроводниках Г.М. Савченко Р.П. Сейсян, М.С. Маркосов

Идентификация мелких доноров и центров окраски в монокристаллических подложках нитрида алюминия В. А. Солтамов, И. В Ильин, А. А. Солтамова, Ю. Н. Макаров, Е. Н. Мохов, П. Г. Баранов

Современные проблемы гидро- и аэродинамики 125 Дифракционные структуры на основе стеклометаллических нанокомпозитов.

М. И. Петров, О. В. Шустова, А. А. Липовский, Ю. П. Свирко

Влияние локального энерговыделения на сопротивление и тепловой поток к поверхности затупленного тела в сверхзвуковом потоке: математическое моделирование в вычислительной среде OpenFOAM М. А. Лапина, Е. А. Пивоварова, А. С. Чернышев

Физические процессы протекающие при транспорте заряженных частиц из области атмосферного давления в газодинамический интерфейс массспектрометра.

Н. С. Фомина, А. В. Кретинина, С. Масюкевич, А. Н. Баженов, С. В. Булович, Н. Р. Галль

Физика и технология преобразования энергии 130 Увеличение эффективности использования сегнетоэлектриков в качестве элементов альтернативных источников энергии В. И. Зубцов

Оценка параметров модели термодесорбции водорода Е. К. Костикова, Ю. В. Заика

Портативное зарядное устройство на основе воздушно-водородного топливного элемента Д.В.Кошкина, А.А.Нечитайлов, Н.В.Глебова, Е.Е.Терукова

Разработка технологии формирования просветляющих покрытий для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии методом ВЧ-магнетронного распыления Д. А. Кудряшов, Д. А. Минаков, А. С. Гудовских

Содержание

Исследование поверхностных явлений на границе раздела диэлектрических и полупроводниковых слоев в фотоэлектрических преобразователях В. В. Мокроусов, Н. М. Лебедева

Трансформатор магнитоэлектрический с поперечно-продольной поляризацией А. Н. Соловьев

Магнитоэлектрическая система сбора энергии И. Н. Соловьев

Физика квантовых структур 143 Оптическое детектирование магнитного резонанса в квантовых ямах (CdMn)Te c избыточной концентрацией дырок А. С. Гурин, Д. О. Толмачев, Н. Г. Романов

Влияние ионно-лучевой литографии подложки на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами Ю. В. Капитонов, М. А. Кожаев

Резонансные оптические свойства систем экситонов в квантовых ямах AlGaAs/GaAs/AlGaAs Е. B. Кунделев, В. В. Чалдышев, А. Ю. Егоров

Определение механизма нелинейности высокочастотной прыжковой проводимости в системах с квантовыми точками германия в кремнии В. А. Малыш, И. Л. Дричко

Расчет энергетического спектра электронов в Si/SiO2 структурах с квантовыми ямами в узельном представлении с учетом эффектов междолинного смешивания.

М. С. Миронова, Г. Ф. Глинский

Излучательная рекомбинация горячих носителей в глубоких квантовых ямах на основе антимонида индия Н. В. Павлов, Г. Г. Зегря,

Эффект Ханле в квантовых ямах с сильным спин-орбитальным взаимодействием А. В. Пошакинский

Температурная зависимость многократного рамановского спин-флип рассеяния в магнитных квантовых ямах Р. Р. Субхангулов, Б. Р. Намозов, К. В. Кавокин, Ю. Г. Кусраев, А. В. Кудинов

Оптические переходы в квантовых ямах в CdHgTe с участием электронов и легких дырок А. В. Шиляев, Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, Г. Г. Зегря

Содержание Усиление магнитным полем эффекта спинового фильтра в твердом растворе GaAsN при комнатной температуре А. Ю. Ширяев, В. К. Калевич, М. М. Афанасьев, А. Ю. Егоров

Физика элементарных частиц 157 Поиск электрического дипольного момента нейтрона.

Ю. П. Брагинец

Кристалл-дифракционный метод исследования малых воздействий на нейтрон Е. О. Вежлев, В. В. Воронин, И. А. Кузнецов, Е. Г. Лапин, С. Ю. Семенихин, В. В. Федоров

Изучение возбуждения нуклонных резонансов в упругом пион-нуклонном рассеянии Е. А. Коновалова, А. Б. Гриднев, Н. Г. Козленко, В. В. Сумачев

К поиску электрического дипольного момента электрона:

расчёт эффективного электрического поля на электроне в двухатомных молекулах Л. В. Скрипников, А. Н. Петров, Н. С. Мосягин, А. В. Титов

Численные методы в физике 164 Исследование влияния ширины спектра излучения на качество восстановления волнового фронта с помощью итерационного алгоритма Т. Ю. Николаева, Н. В. Петров

Автоматизация лабораторной установки для исследования электрофизических свойств образцов Г. С. Цема, Э. Г. Соколов

Математическое моделирование гидрирования порошка металла И. А. Чернов

Поиск составов сосуществующих фаз в бинарных системах методом сопровождающих парабол А. А. Шнайдер, А. Ю. Захаров

–  –  –

Широкополосные (2ГГц) GaInAsSb/GaAlAsSb p-i-n фотодиоды для спектрального диапазона 1.5-2.5 мкм Г. Г. Коновалов, Андреев И. А., Дюделев В. В., Соколовский Г. С., Яковлев Ю. П.

Разработка эфемеридного обеспечения естественных спутников планет в

ИПА РАН

Г. А. Космодиаминский, А. Л. Порошина, М. Д. Замарашкина

Особенности создания УФ светодиодов AlGaN с длиной волны 360-365 нм, предназначенных для работы при высоких плотностях тока С. Ю.Курин, Ю. Н. Макаров, Т. Ю. Чемекова

Получение и исследование структур с микровключениями в oбласти пространственного заряда Р. В. Лёвин, В. С. Калиновский, Б. В. Пушный, В. Д. Румянцев, В. М. Андреев.

Для заметок

–  –  –



Pages:     | 1 |   ...   | 6 | 7 ||
Похожие работы:

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО НАУЧНЫХ ОРГАНИЗАЦИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ СПЕЦИАЛЬНАЯ АСТРОФИЗИЧЕСКАЯ ОБСЕРВАТОРИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (САО РАН) ПРИНЯТО УТВЕРЖДАЮ решением Ученого совета Директор САО РАН, САО РАН № _322_ член-корр. РАН от «_16_» сентября 2014 г. Ю.Ю. Балега «_»_ 2014 г. ОБРАЗОВАТЕЛЬНАЯ ПРОГРАММА ПОДГОТОВКИ НАУЧНО-ПЕДАГОГИЧЕСКИХ КАДРОВ В АСПИРАНТУРЕ 03.06.01 ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ Направление подготовки 01.03.02 АСТРОФИЗИКА И ЗВЕЗДНАЯ Направленность...»

«Федеральное государственное образовательное бюджетное учреждение высшего профессионального образования «МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ МЕЖДУНАРОДНЫХ ОТНОШЕНИЙ (УНИВЕРСИТЕТ) МИД РОССИИ» «УТВЕРЖДАЮ» Председатель Приемной комиссии Ректор МГИМО (У) МИД России академик РАН А.В. ТОРКУНОВ Программа вступительного экзамена для поступления в магистратуру МГИМО (У) МИД России по направлению «Зарубежное регионоведение»     МОСКВА 2015 Порядок проведения вступительного экзамена по дисциплине «Основы...»

«ISSN 0552-5829 РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ГЛАВНАЯ (ПУЛКОВСКАЯ) АСТРОНОМИЧЕСКАЯ ОБСЕРВАТОРИЯ ВСЕРОССИЙСКАЯ ЕЖЕГОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФИЗИКЕ СОЛНЦА СОЛНЕЧНАЯ И СОЛНЕЧНО-ЗЕМНАЯ ФИЗИКА – 2010 ТРУДЫ Санкт-Петербург Сборник содержит доклады, представленные на Всероссийской ежегодной конференции «Солнечная и солнечно-земная физика – 2010» (XIV Пулковская конференция по физике Солнца, 3–9 октября 2010 года, Санкт-Петербург, ГАО РАН). Конференция проводилась Главной (Пулковской) астрономической...»

«РОСЖЕЛДОР Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Ростовский государственный университет путей сообщения (ФГБОУ ВПО РГУПС) РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ Б1.В.ОД.6 ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ НАПРАВЛЕНИЕ ПОДГОТОВКИ 03.06.01 «Физика и астрономия» Ростов-на-Дону 2014 г. Цели и задачи дисциплины Целью дисциплины «Физика конденсированного состояния» является формирование у аспирантов углубленных профессиональных знаний в области...»

«ПРОГРАММА вступительного экзамена по образовательным программам высшего образования– программам подготовки научно-педагогических кадров в аспирантуре по направлению подготовки 03.06.01 Физика и астрономия (очная и заочная форма обучения) направленность (профиль): 01.04.17 Химическая физика, горение и взрыв, физика экстремальных состояний вещества Содержание вступительного экзамена. № Наименование раздела п/п дисциплины Содержание Раздел 1. Строение вещества Основы квантовой теории...»

«ПРАВИТЕЛЬСТВО САНКТ-ПЕТЕРБУРГА КОМИТЕТ ПО НАУКЕ И ВЫСШЕЙ ШКОЛЕ РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ГЛАВНАЯ (ПУЛКОВСКАЯ) АСТРОНОМИЧЕСКАЯ ОБСЕРВАТОРИЯ СОЛНЕЧНАЯ И СОЛНЕЧНО-ЗЕМНАЯ ФИЗИКА — 2014 XVIII ВСЕРОССИЙСКАЯ ЕЖЕГОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ С МЕЖДУНАРОДНЫМ УЧАСТИЕМ 20 – 24 октября 2014 года Санкт-Петербург Сборник содержит тезисы докладов, представленных на XVIII Всероссийскую ежегодную конференцию с международным участием Солнечная и солнечно-земная физика — 2014 (20 – 24 октября 2014 года, ГАО РАН,...»

«АСТРОНОМИЯ I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ В соответствии с образовательным стандартом учебного предмета «Астрономия» целями его изучения являются овладение учащимися основами систематизированных знаний о строении Вселенной, обучение учащихся способности познавать закономерности развития природных процессов, их взаимосвязанность и пространственно-временные особенности, формирование понимания роли и места человека во Вселенной. К основным задачам изучения учебного предмета «Астрономия» на III ступени общего...»

«ISSN 0552-58 РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ГЛАВНАЯ (ПУЛКОВСКАЯ) АСТРОНОМИЧЕСКАЯ ОБСЕРВАТОРИЯ XIX ВСЕРОССИЙСКАЯ ЕЖЕГОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФИЗИКЕ СОЛНЦА СОЛНЕЧНАЯ И СОЛНЕЧНО-ЗЕМНАЯ ФИЗИКА – 2 ТРУДЫ Санкт-Петербург Сборник содержит доклады, представленные на XIX Всероссийскую ежегодную конференцию по физике Солнца «Солнечная и солнечно-земная физика – 2015» (5 – 9 октября 2015 года, ГАО РАН, Санкт-Петербург). Конференция проводилась Главной (Пулковской) астрономической обсерваторией РАН при поддержке...»

«АСТРОНОМИЯ I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ В соответствии с образовательным стандартом учебного предмета «Астрономия» целями его изучения являются овладение учащимися основами систематизированных знаний о строении Вселенной, обучение учащихся способности познавать закономерности развития природных процессов, их взаимосвязанность и пространственно-временные особенности, формирование понимания роли и места человека во Вселенной. К основным задачам изучения учебного предмета «Астрономия» на III ступени общего...»

«Федеральное государственное образовательное бюджетное учреждение высшего профессионального образования «МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ МЕЖДУНАРОДНЫХ ОТНОШЕНИЙ (УНИВЕРСИТЕТ) МИД РОССИИ» «УТВЕРЖДАЮ» Председатель Приемной комиссии Ректор МГИМО (У) МИД России академик РАН А.В. ТОРКУНОВ Программа вступительного экзамена для поступления в магистратуру МГИМО (У) МИД России по направлению «Зарубежное регионоведение» МОСКВА 2015 Порядок проведения вступительного экзамена по дисциплине «Основы...»

«УТВЕРЖДАЮ Заместитель Министра образования Республики Беларусь _В.А. Будкевич «25»июня 2014 г. Инструктивно-методическое письмо Министерства образования Республики Беларусь «Об организации образовательного процесса при изучении учебного предмета «Астрономия» в учреждениях общего среднего образования в 2014/2015 учебном году» I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ В соответствии с образовательным стандартом учебного предмета «Астрономия» целями его изучения являются овладение учащимися основами систематизированных...»

«Международная общественная организация «Астрономическое Общество» XII отчетно-перевыборный съезд НАУЧНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ «АСТРОНОМИЯ ОТ БЛИЖНЕГО КОСМОСА ДО КОСМОЛОГИЧЕСКИХ ДАЛЕЙ» Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Государственный астрономический институт им. П.К. Штернберга 25 – 30 мая 2015 г. Сборник резюме докладов Редакторы – проф. Н.Н. Самусь, В.Л. Штаерман Москва, 2015 Содержание Пленарные доклады Секция «Астрометрия и небесная механика» 13 Секция «Астрономические...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО НАУЧНЫХ ОРГАНИЗАЦИЙ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук» (ИАПУ ДВО РАН) «СОГЛАСОВАНО» «УТВЕРЖДАЮ» Руководитель направления Заместитель директора по научноподготовки аспирантов03.06.01 образовательной и инновационной «Физика и астрономия»,д.ф.-м.н. деятельности, д.ф.-м.н. _ Н.Г. Галкин _ Н.Г. Галкин « » сентября 2015 г. « » сентября 2015 г....»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АЕЕНТСТВО НАУЧНЫХ ОРЕАНИЗАЦИЙ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук» (ИАПУ ДВО РАН) «СОГЛАСОВАНО» СДВЕННС; Зам. директора по научноДиректор ИАПУ ДВО РАН /^ S \ образовательцой и инновационной ^емик деятельности, д.ф.-м.н. Н.Г. Галкин Ю.Н. Кульчин сентября 2015 г. нтября 2015 г. ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ по специальной дисциплине Направление...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР «КУРЧАТОВСКИЙ ИНСТИТУТ» Одобрено Советом по «УТВЕРЖДАЮ» Первый заместитель директора образовательной деятельности по научной работе НИЦ «Курчатовский институт» Протокол № 3 О.С. Нарайкин «25» сентября 2015 г. «25» сентября 2015 г. ОСНОВНАЯ ОБРАЗОВАТЕЛЬНАЯ ПРОГРАММА Уровень: подготовка научно-педагогических кадров (аспирантура) Направление подготовки кадров...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АЕЕНТСТВО НАУЧНЫХ ОРЕАНИЗАЦИЙ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук» (ИАПУ ДВО РАН) «СОГЛАСОВАНО» СДВЕННС; Зам. директора по научноДиректор ИАПУ ДВО РАН /^ S \ образовательцой и инновационной ^емик деятельности, д.ф.-м.н. Н.Г. Галкин Ю.Н. Кульчин сентября 2015 г. нтября 2015 г. ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ по специальной дисциплине Направление...»

«Suhayl 5 (2005) pp. 163-2 Послание относительно Тасйир (Tasyr) и проекции лучей Абу Марвана аль-Эсихи (Ab Marwn al-Istij) Julio Sams и Hamid Berrani Джулио Самсо и Хамид Беррани Перевод с английского G. Z. Киев 201 1 Введение 1.1 Автор Абу Марван Абд Аллах ибн Халаф аль-Эсихи (Ab Marwn cAbd Allh ibn Khalaf al-Istij) был астрономом и астрологом, кто жил и работал в Толедо и Куэнка во второй половине одиннадцатого столетия2. У нас нет никаких точных дат его рождения и смерти, но его семья, должно...»

«Муниципальное бюджетное общеобразовательное учреждение гимназия г. Гурьевска Рабочая программа учебного предмета астрономия_ в 11 классе (профильный уровень) (наименование предмета) Составила Матвеева В. В., учитель физики и астрономии Гурьевск 2015 г. Пояснительная записка Астрономия как наука о наиболее общих законах природы, выступая в качестве учебного предмета в школе, вносит существенный вклад в систему знаний об окружающем мире. Для решения задач формирования основ научного...»

«ТУРИЗМ КАК ФАКТОР СОЦИАЛЬНОЭКОНОМИЧЕСКОГО РАЗВИТИЯ ТЕРРИТОРИЙ ГАСТРОНОМИЧЕСКАЯ СОСТАВЛЯЮЩАЯ РЕГИОНАЛЬНОГО ТУРПРОДУКТА Абрамкина Т.Н., Иркутский государственный университет, г. Иркутск Гастрономический туризм в последнее время стремительно набирает обороты во всём мире. Однако если за рубежом данный сегмент довольно хорошо развит, то в России этот вид туризма только начинает зарождаться. Актуальность исследования обусловлена тем, что на сегодняшний день выбор гастрономических туров по России...»

«РАЗРАБОТАНА УТВЕРЖДЕНО Центром функциональных магнитных Ученым советом Университета материалов (заседание ЦФММ от 28.08.2014 г., от «22» сентября 2014 г., протокол протокол № _5_) №1 ПРОГРАММА КАНДИДАТСКОГО ЭКЗАМЕНА ПО СПЕЦИАЛЬНОЙ ДИСЦИПЛИНЕ в соответствии с темой диссертации на соискание ученой степени кандидата наук Направление подготовки 03.06.01 Физика и астрономия Профиль подготовки Физика конденсированного состояния Астрахань – 2014 Программа кандидатского экзамена составлена в...»



 
2016 www.programma.x-pdf.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Учебные, рабочие программы»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.