WWW.PROGRAMMA.X-PDF.RU
БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА - Учебные и рабочие программы
 

Pages:     | 1 | 2 || 4 | 5 |   ...   | 6 |

«Университет ИТМО ИНФОРМАЦИОННАЯ БЕЗОПАСНОСТЬ, ПРОЕКТИРОВАНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ ЭЛЕМЕНТОВ И УЗЛОВ КОМПЬЮТЕРНЫХ СИСТЕМ Сборник трудов молодых ученых, аспирантов и студентов ...»

-- [ Страница 3 ] --

Одним из существенных отличий архитектуры ARM от других архитектур микропроцессоров является предикация — возможность условного исполнения команд. Условное исполнение команд в авионике подразумевает, что выполнение команд зависит от текущего состояния флагов микропроцессора. В архитектурах, отличных от ARM (MIPS (Microprocessor without Interlocked Pipeline Stages), PowerPC, SPARC (Scalable Processor ARChitecture) и др.), избирательное выполнение команд достигается использованием команд условного перехода, однако при работе с микропроцессорами ARMархитектуры имеется возможность условного исполнения практически любой команды.

Подобное преимущество достигается добавлением в коды инструкций ассемблера ARM особого 4-битового поля (предиката). Одно из значений предиката указывает безусловное выполнение инструкции, другие три кодируют состояния флагов, определяющие необходимость выполнения команды. Недостатком такого подхода является сокращение числа бит, используемых для кодирования смещения при работе с памятью. С другой стороны, объем генерируемого кода значительно сокращается в связи с отсутствием необходимости введения в программное обеспечение инструкций ветвления для небольших if-блоков условного перехода.

Распределение регистров микропроцессора осуществляется в соответствии со стандартом ATPCS (ARM Thumb Procedure Call Standard) как показано в таблице. Такое распределение приводит к наложению некоторых ограничений на используемые переменные, в частности, функция не может одновременно содержать 14 локальных регистровых переменных, включая параметры. Размещение большего числа переменных осуществляется в памяти. Доступ к значениям, хранимым в памяти, приводит к увеличению затрат вычислительной мощности изделия, поэтому при написании кодов программ следует избегать использования большого количества переменных.

–  –  –

Таблица. Распределение регистров по стандарту ATPCS Рассматривая особенности распределения регистров, можно сделать следующие выводы, позволяющие оптимально использовать имеющиеся в изделии вычислительные ресурсы:

- при использовании не более чем четырех скалярных параметров функции, передача значений должна осуществляться через регистры;

- при необходимости передачи в функцию более чем четырех параметров, лучшим решением будет использование структуры данных с передачей в функцию указателя на нее;

- при использовании функцией четырех параметров следует ограничить количество локальных переменных до десяти;

- крайне нежелательно написание функций с переменным числом параметров.

Еще одним решением аппаратной платформы, позволяющим повысить производительность вычислений, является битовая сегментация. При битовой сегментации каждому биту в области битовых сегментов соответствует адрес слова из области псевдоимен. Такое описание дает возможность производить манипуляции с битами в реальной памяти, обращаясь к значениям только по адресам слов, что избавляет программиста от необходимости введения специальных команд, увеличивающих сложность в реализации вычислительного процесса.

Сборник трудов научно-педагогической школы кафедры ПБКС

Помимо описанных средств, в процессорах ARM-архитектуры реализован режим Thumb. В данном режиме используется сокращенная система из 36 команд, полученных преобразованием команд стандартного набора до 16-разрядных кодов. Такое решение позволяет сократить длину используемых команд и снижает требуемый объем памяти подпрограмм. Работа в данном режиме имеет ряд недостатков. В частности, в системе команд Thumb отсутствуют инструкции деления (функция деления реализуется программно или с использованием операций сдвига).

Заключение

При разработке систем реального времени имеет немаловажное значение тот факт, что инструкции микропроцессоров ARM-архитектуры являются «атомарными». Это означает, что процесс выполнения инструкций не может быть прерван обработчиком прерываний. В результате, если инструкция осуществляет запись большого числа регистров, может значительно увеличиться время реакции на прерывания, что недопустимо для систем реального времени. Избежать подобных задержек помогает использование меньшего числа локальных переменных при написании программного кода. Следование приведенным рекомендациям поможет сохранить имеющиеся преимущества системы реального времени при переходе на новую аппаратную платформу изделия. При этом оптимизированный ранее программный код позволит повысить быстродействие и надежность новой системы авионики.

Литература

1. Бурдонов И.Б., Косачев А.С., Пономаренко В.Н. Операционные системы реального времени. М.: Институт системного программирования РАН, 2006. – 49 с.

2. Золотарев С.В. LynxOS-178 - сертифицированная ОСРВ для интегрированной модульной авионики // Мир компьютерной автоматизации. 2006.

№5. [Электронный ресурс], режим доступа: http://www/rtsoft_training.

ru/?p=600071, открытый. Дата обращения: 08.10.2011.

3. Бочаров В.В. Опыт управления качеством программного обеспечения и особенности сертификации системы менеджмента качества предприятийразработчиков. [Электронный ресурс], режим доступа: http://

www.souzsert.ru/seminar06/tezis/Bocharov.doc, открытый. Дата обращения:

25.04.2011.

4. Паркинсон П., Киннан Л. Разработка критического по безопасности ПО для интегрированной модульной авионики. [Электронный ресурс], режим доступа: http:// www.vxworks.ru/rus_safety-critical-sw-dev_wp-1107.pdf, открытый. Дата обращения 27.09.2009.

–  –  –

УДК 338.45

МЕТОДИКА И РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ТЕПЛОВЫХ

РЕЖИМОВ РАБОТЫ МАКЕТА БОРТОВОЙ ЦИФРОВОЙ

ВЫЧИСЛИТЕЛЬНОЙ СИСТЕМЫ ИНТЕГРИРОВАННОЙ

МОДУЛЬНОЙ АВИОНИКИ

–  –  –

Аннотация. Рассматривается технология исследования тепловых режимов компонентов экспериментального образца (макета) перспективной бортовой цифровой вычислительной системы в различных условиях эксплуатации, охлаждения и электрических нагрузок. Приводится методика исследования, схемы компоновки и конструкция тепловых эквивалентов. Приводятся результаты проведенных измерений тепловых режимов работы изделия и рекомендации по их использованию.

Ключевые слова: интегрированная модульная авионика, тепловые режимы работы.

–  –  –

Совершенствование технико-экономических показателей бортовых цифровых вычислительных систем (БЦВС), придание оборудованию новых качеств, улучшение количественных показателей существующей аппаратуры невозможно без внедрения новых технологий, материалов и элементной базы в образцы авиационной продукции. Основным современным направлением развития архитектуры и компонентов БЦВС сегодня является концепция интегрированной модульной авионики (ИМА) [1].

Заметное влияние на развитие БЦВС оказывают следующие тенденции:

повышение степени интеграции электронной компонентной базы, т.е. увеличение плотности размещения элементов в микросхемах;

повышение тактовой частоты работы элементов и, как следствие, рост быстродействия компонентов вычислительных устройств (микропроцессоров, постоянной и оперативной памяти, специализированных контроллеров).

Известно [2], что надежность элементов радиоэлектронной аппаратуры в значительной степени зависит от температурного режима работы.

Применение в составе современной БЦВС микросхем высокой степени интеграции положительно сказывается на массогабаритных характеристиках оборудования, но приводит к пространственной концентрации тепловыделяющих элементов. Это может привести к нарушению температурных режимов работы радиоэлементов. Таким образом, хотя БЦВС, построенные Сборник трудов научно-педагогической школы кафедры ПБКС 61 по концепции ИМА, требуют заметно меньшего объема охлаждающего воздуха по сравнению с независимым или федеративным принципом построения, требуется уделять особое внимание проблеме проектирования системы охлаждения компонентов изделия на всех этапах его разработки.

Принципы обеспечения тепловых режимов работы БЦВС класса ИМА Обеспечение тепловых режимов изделия заключается в том, что при любых внешних воздействиях окружающей среды и возможных электрических режимах работы температура электрорадиоизделий (ЭРИ) не должны превышать предельно допустимые значения, указанные в нормативнотехнической документации (НТД) на ЭРИ. В конструкции изделия должны применяться покрытия и материалы, удовлетворяющие всем температурным режимам эксплуатации изделия.

Выбор способа охлаждения (естественное, принудительное) изделия осуществляется в соответствии с НТД. Способ принудительного воздушного охлаждения изделия определяется с учетом группы исполнения аппаратуры и ее размещения на объекте. Охлаждение изделия может осуществляться от системы кондиционирования воздуха объекта. На этапе разработки рабочей конструкторской документации (РКД) определяются допустимые температуры охлаждающего воздуха на входах в изделие, расходы и аэродинамические сопротивления каналов охлаждения. Для интенсификации теплообмена в каналах охлаждения базовой несущей конструкции изделия выполняется оребрение элементов конструкции.

От теплонагруженных ЭРИ должен обеспечиваться кондуктивный отвод тепла через клиновые зажимы на корпус изделия. Уменьшение контактных тепловых сопротивлений между теплонагруженными ЭРИ и теплоотводами должно осуществляться с учетом требований НТД.

БЦВС как объект исследования тепловых режимов работы

Исследованию подлежал изготовленный на предприятии ФГУП «Санкт-Петербургское ОКБ «Электроавтоматика» им. П.А. Ефимова» образец БЦВС (тепловой макет) изделия Крейт-6U-10Э с установленными в него тепловыми макетами (ТМ) конструктивно-функциональных модулей (см. рис.1). Использовались тепловые макеты модулей четырех типов:

МВЭ (модуль вторичного электропитания), ТМ1 и ТМ2 (вычислительные модули), модуль конвертер. Максимальная рассеиваемая мощность образца крейта 420 Вт, в том числе: МВЭ.1 и МВЭ.2 – 50 Вт каждый; модули ТМ1 (5 шт.) и ТМ2 (5 шт.) – 30 Вт каждый; съемные модули конвертеров (2 шт.) – 10 Вт каждый. При проведении исследования съемные модули Сборник трудов научно-педагогической школы кафедры ПБКС

–  –  –

ТМ 1.2 ТМ 1.3 ТМ 1.3 ТМ 1.4 ТМ 2.1 ТМ 2.2 ТМ 2.3 ТМ 2.3 ТМ 2.4 МВЭ.1

–  –  –

–  –  –

Мощность модулей ТМ1 и ТМ2 имитировалась с помощью групп резисторов типа Р-1-12-0,5-133 Ом±2%-М-А. Максимальная мощность одной группы из 20 резисторов 5 Вт. Схема подключения резисторов в модулях ТМ1 и ТМ2 представлена на рис.2,а. Фотография модуля ТМ1 в процессе сборки представлена на рис.2,б. Взаимное расположение основной платы и мезонина в модулях ТМ1 и ТМ2 и теплосток от резисторов до канала охлаждения представлены на рис.3. Макеты модулей ТМ1 и ТМ2 имитируют предполагаемые реальные ЭРИ по мощности и габаритным размерам.

–  –  –

–  –  –

–  –  –

Рис.3. Теплостоки от резисторов до канала охлаждения и места установки термопар в модулях ТМ1 и ТМ2.

В модулях МВЭ мощность имитировалась с помощью резисторов С5-47А-25-62 Ом±5%-В (6 шт.), С5-47В-10-470 Ом±5%-В (2 шт.), С5-47АОм±5%-В (1 шт.), установленных на двух металлических основаниСборник трудов научно-педагогической школы кафедры ПБКС ях модуля. Схема подключения резисторов в модулях МВЭ представлена на рис.4. Макеты модулей МВЭ имитируют предполагаемые реальные ЭРИ по мощности и габаритным размерам.

–  –  –

Способ охлаждения крейта принят комбинированный: принудительная вентиляция верхней и нижней крышек корпуса крейта; кондуктивный отвод тепла от модулей на корпус крейта; естественное охлаждение вертикальных стенок корпуса крейта.

–  –  –

В каналах охлаждения и в модулях крейта устанавливались термопары для измерения температуры. Места установки термопар представлены на рисунках: каналы охлаждения (верхний и нижний) – рис.1. Модули ТМ1 и ТМ2 – рис.3; Модули МВЭ – рис.4. В соответствии со схемой сопряжения оборудования, приведенной на рис.5, крейт (1) с установленными датчиками температуры (2) помещали в термокамеру (3). Для контроля температуры окружающей среды в термокамере устанавливали 5 датчиков температуры.

Электропитание крейта осуществляли от трех источников питания постоянного тока (4). Источники позволяют задавать и измерять потребляемую мощность крейта. Первый источник запитывает модули ТМ1, второй – ТМ2, третий – МВЭ. Подключали систему охлаждения крейта. Два устройства охлаждения УО-270 (5) соединяли соответственно с верхним и нижним каналами охлаждения крейта дюритовыми шлангами (6). Устройства УО-270 позволяет подавать и регулировать охлаждающий воздух. Для Сборник трудов научно-педагогической школы кафедры ПБКС 65 измерения расхода охлаждающего воздуха использовались сужающие устройства (7) и микроманометры (8).

+– +– 5

–  –  –

Температуры в модулях и каналах охлаждения крейта контролировали термопарами (2). Сигнал от термопар передавался на цифровой вольтметр (9). Холодные спаи термопар помещали в блок холодных спаев (10).

Блок холодных спаев служит для стабилизации температур холодных спа

<

Сборник трудов научно-педагогической школы кафедры ПБКС

ев и переключения термопар. Температуру холодных спаев контролировали лабораторным термометром (11). Термометр контролирует также температуру охлаждающего воздуха на входе в систему охлаждения.

При температуре окружающей среды (+25±10) °С включали крейт на максимальную потребляемую мощность (420 Вт). Крейт с установленными в нем модулями работает при температуре окружающей среды (+25±10) °С в условиях естественного охлаждения до достижения стационарного теплового режима. Тепловой режим считается в эксперименте стационарным, если изменение температур контролируемых элементов не превышает 1°С в течение 15 минут. В нестационарном и стационарном тепловых режимах измеряют и фиксируют в протоколе испытаний время и показания термопар в условиях естественного охлаждения.

Охлаждение крейта при повышенных температурах окружающей среды осуществляется внекамерным воздухом (имитация охлаждения от системы кондиционирования воздуха объекта). Во время работы крейта, при заданной температуре среды, до наступления стационарного теплового режима измеряют температуры в контролируемых точках.

Результаты исследования

Время выхода неработающего крейта с тепловыми макетами модулей в установившийся тепловой режим - 3 часа. Время выхода крейта с тепловыми макетами модулей в стационарный тепловой режим зависит от рассеиваемой мощности и условий охлаждения (естественное или принудительное):

- естественное охлаждение, максимальная мощность – 3 часа;

- естественное охлаждение, мощность, уменьшенная в два раза – 2 часа 30 минут;

- принудительная вентиляция – 1 час.

Графики распределения перегревов по модулям, построенные по результатам измерений тепловых режимов крейта в условиях естественного охлаждения приведены на рис. 6, а (максимальная мощность крейта) и рис.6, б (мощность крейта уменьшена в два раза).

По результатам измерений построена тепловая характеристика крейта (зависимость максимального перегрева крейта относительно окружающей среды от рассеиваемой мощности) в условиях естественного охлаждения. Тепловая характеристика представлена на рис.6, в.

Измерения теплового режима крейта проводились в нестационарном тепловом режиме. На основании данных, полученных для элемента с максимальным перегревом, построен график разогрева крейта (рис. 6, г). По графику определено время работы крейта без принудительной вентиляции при максимальной мощности и температуре окружающей среды +55°С:

6 мин – если допустимые температуры ЭРИ +85°С;

–  –  –

100 94,5 87,5 84,5 46,5

–  –  –

70 65 35,5 63 34,5 К2 ТМ2.2 ТМ2.2 ТМ2.3 ТМ2.4 МВЭ2 ТМ2.1 К2 ТМ1.3 ТМ1.3 ТМ1.4 К1 МВЭ1 ТМ1.1 ТМ1.2 ТМ1.1 К1 ТМ1.2 ТМ1.3 ТМ1.3 ТМ1.4 ТМ2.1 ТМ2.2 ТМ2.2 ТМ2.3 ТМ2.4 МВЭ1

–  –  –

График распределения перегревов по модулям, построенный по результатам измерений тепловых режимов крейта в условиях принудительного охлаждения приведен на рис. 7, а. Измерения проводились при температуре окружающей среды (+55±2) °С, максимальном расходе (96 кг/ч) и максимальной мощности (420 Вт) в стационарном режиме. При заданной мощности (420 Вт) и условиях эксплуатации (+55°С) крейт может работать в нормальном тепловом режиме при допустимых температурах всех ЭРИ не ниже +100°С.

По результатам измерений построена тепловая характеристика (зависимость максимального перегрева относительно окружающей среды в

–  –  –

15 10 5 ТМ2.2 ТМ2.2 ТМ2.3 ТМ2.4 ТМ1.3 ТМ1.3 ТМ1.4 ТМ2.1 К2 ТМ1.2 МВЭ2 ТМ1.1 МВЭ1 К1

–  –  –

В результате исследования установлено, что в текущем экспериментальном конструктивном исполнении крейт обладает следующими характеристиками в части тепловых режимов.

При заданной мощности (420 Вт) и условиях эксплуатации (повышенная рабочая температура +55°С, повышенная кратковременная +70°С) крейт не может работать в допустимом тепловом режиме в условиях естественного охлаждения.

Крейт может работать в нормальном тепловом режиме длительное время без принудительного охлаждения при температуре окружающей среды:

- не выше минус 16°С – если допустимые температуры всех ЭРИ не ниже +85°С;

- не выше минус 1°С – если допустимые температуры всех ЭРИ не ниже +100°С;

- не выше +24°С – если допустимые температуры всех ЭРИ не ниже +125°С.

При повышенной рабочей температуре +55°С крейт может работать в нормальном тепловом режиме без принудительного охлаждения:

- 3 мин – если допустимые температуры всех ЭРИ не ниже +85°С;

- 12 мин – если допустимые температуры всех ЭРИ не ниже +100°С;

- 44 мин – если допустимые температуры всех ЭРИ не ниже +125°С.

Сборник трудов научно-педагогической школы кафедры ПБКС 69 При повышенной рабочей температуре +55°С крейт может работать в нормальном тепловом режиме без принудительного охлаждения при рассеиваемой мощности не более:

- 106 Вт – если допустимые температуры всех ЭРИ не ниже +85°С;

- 170 Вт – если допустимые температуры всех ЭРИ не ниже +100°С;

- 284 Вт – если допустимые температуры всех ЭРИ не ниже +125°С.

При заданной мощности (420 Вт) и условиях эксплуатации (повышенная рабочая температура +55°С, повышенная кратковременная +70°С) крейт предложенной конструкции может работать в нормальном тепловом режиме в условиях принудительного охлаждения при условии, что допустимые температуры всех ЭРИ не ниже +100°С. При допустимых температурах ЭРИ не ниже +85°С рассеиваемая мощность крейта в условиях принудительного охлаждения не должна превышать 300 Вт.

При повышенной рабочей температуре окружающей среды +55 °С (стационарный режим) оптимальный расход охлаждающего воздуха (температура на входе в крейт +30 °С) 40 кг/ч на каждый канал охлаждения.

Дальнейшее увеличение расхода нецелесообразно, так как это ведет к увеличению энергопотребления и массы системы охлаждения и практически не сказывается на тепловом режиме крейта. При рабочей кратковременной температуре окружающей среды +70°С (30 минут) увеличение расхода охлаждающего воздуха ведет к снижению перегревов в крейте.

Заключение

Полученные результаты и выводы были успешно использованы для совершенствования конструкторских и схемотехнических решений при проектировании перспективных БЦВС, разработанных в СанктПетербургском ОКБ «Электроавтоматика» им. П.А. Ефимова и выполненных в соответствие с концепцией интегрированной модельной авионики.

Литература

1. Парамонов П.П., Жаринов И.О. Интегрированные бортовые вычислительные системы: обзор современного состояния и анализ перспектив развития в авиационном приборостроении // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики. – 2013. – № 2 (84). – С.

1–17.

2. Справочник по радиоэлектронике в трех томах. Под общей ред. проф., докт. техн. наук А. А. Куликовского. Том 3, "Энергия", 1970. 816 стр. с илл. – C. 740-757

3. Богданов А.В., Васильев Г.А., Виноградов П.С., Егоров К.А., Зайченко А.Н., Ковернинский И.В., Петухов В.И., Романов А.Н., Смирнов Е.В., Уткин Б.В., Федосов Е.А., Шукалов А.В. Платформа интегрированной моСборник трудов научно-педагогической школы кафедры ПБКС 70 дульной авионики. Патент на полезную модель №108868 U1 RU, МПК G06F 9/00, №2011121962/08. Заявл. 01.06.2011. Опубл. 27.09.2011.

4. Книга Е.В., Жаринов И.О., Богданов А.В., Виноградов П.С. Принципы организации архитектуры перспективных бортовых цифровых вычислительных систем в авионике // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики. – 2013. – № 2 (82). – С. 163–165.

–  –  –

Сборник трудов научно-педагогической школы кафедры ПБКС 71 УДК 621.315.5

МИКРОСТРУКТУРИРОВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ

КРЕМНИЯ ВОЛОКОННЫМ ЛАЗЕРОМ В РЕЖИМЕ

ВЫСОКОСКОРОСТНОГО СКАНИРОВАНИЯ

–  –  –

Аннотация. В работе описываются методы и механизмы атомной реконструкции поверхности. Рассматривается элементарная ячейка наиболее сложной реконструкции Si (111) – (77). Также в работе способ лазерной микрообработки поверхности рассматривается как один из методов получения реконструкции поверхности кремния.

Ключевые слова: Реконструкция поверхности, лазерная микрообработка.

–  –  –

Расположение атомов в поверхностном слое существенно отличается от положения атомов в объеме кристалла. Понимание таких отличий в периодической структуре на поверхности кристалла от структуры в объеме, а также механизмов их возникновения, зависит от свойств поверхности монокристаллов и строения элементарной ячейки кристалла. Изучение этих свойств позволяет понять механизм и принцип действия того или иного метода структурной реконструкции поверхности.

Влияние лазерного излучения на поверхность

Благодаря уникальным свойствам лазерного излучения, лазерные технологии имеют широкий спектр использования в разных областях промышленности. Она нашла применение в таких операциях как напыление, отжиг, осаждение и травление пленок, легирование примесей, геттерирование, скрайбирование, эпитаксия. Главное преимущество лазера – его способность влиять на различные процессы в твердом теле эффективным и избирательным образом [1].

При взаимодействии мощного лазерного излучения с веществом происходит ряд теплофизических процессов. Во-первых, излучение, падающее на обрабатываемую поверхность, поглощается. Далее происходит нагрев, и после достижения температуры плавления. происходит распространение границы жидкой фазы в глубь материала. При дальнейшем облучении материала продолжается его нагрев до температуры испарения (кипения). По достижении этой температуры инициируется процесс испарения вещества с обрабатываемой поверхности, сопровождающийся иониСборник трудов научно-педагогической школы кафедры ПБКС 72 зацией поверхностных примесей и загрязнений, которые практически всегда в том или ином виде присутствуют. Далее излучение поглощается основным материалом, и, если интенсивность недостаточно высока, материал плавится. испаряется, а пары ионизуются. При этом давление паров способствует выплескиванию расплава, и в материале постепенно формируется отверстие. Также если интенсивность излучения слишком велика, то в результате испарения образуется высокотемпературная непрозрачная плазма. Таким образом, при проведении экспериментов следует учитывать основной эффект лазерного воздействия – термические процессы [2].

Реконструкция поверхности

Под реконструкцией поверхности понимают процесс, в результате которого атомы поверхности кристалла изменяют свои положения по сравнению с объемом образца таким образом, что на поверхности образуется структура, отличающаяся от объемной структуры периодичностью и/или типом симметрии.

На данный момент известны три основных механизма структурной реконструкции поверхности полупроводников. Это нейтральность заряда, механические напряжения в решетке и -связь [3].

В объеме кристалла все валентные связи (-связи) насыщены. Каждая связь содержит два спин-спаренных электрона. При формировании поверхности кристалла, связи между атомами разрываются, что приводит к возникновению смежной плотности поверхностного заряда, а электронные пары распадаются на независимые электроны, которые в состоянии образовать новые связи – их называют оборванными связями.

Такая ситуация энергетически крайне невыгодна. Поэтому ненасыщенные связи стремятся сформировать новые, тем самым уменьшая свободную энергию поверхности. Этот механизм называют автокомпенсацией. С другой стороны, смещение атомов приводит к возникновению механических напряжений в решетке, что увеличивает свободную энергию поверхности. [4] Для того, чтобы насытить оборванные связи, атомы смещаются из своих первоначальных положений. Достигая структуры, при которой наблюдается локальный минимум свободной энергии поверхности, образуются различные геометрии реконструкций. Конкретная структура реконструированной поверхности определяется противодействием всех трех механизмов реконструкции поверхности.

Реконструкция типа (77), пожалуй, самый сложный и широко изучаемый тип поверхности твердого тела. С момента ее открытия в 1959 году учеными Р. Е. Шлиером и Ф. Т. Фарнсвортом методом дифракции медленных электронов, огромное количество усилий было потрачено, чтобы изучить свойства этой важной поверхности. [5] Сборник трудов научно-педагогической школы кафедры ПБКС 73 Геометрия реконструкции типа (77) описывается моделью димерадатом-дефект упаковки, или так называемой DAS-моделью (dimeradatom-stacking fault), предложенной Такаянаги в 1985 году. [6] Элементарная ячейка реконструкции (77) состоит из угловой ямки и двух треугольных подъячеек, которые разделяются димерными рядами.

Основным методом получения реконструкции (77) является нагрев монокристаллических пластин.

В 1960-х годах Ландер отметил фазовый переход от типа поверхности (11) к реконструкции типа (77). Он являлся обратимым и происходил при температуре 1100 К. В 1985 году Телипс и Бауэер пирометрически определили температуру перехода также равную 1100° К (+15 К). Появление реконструкции (77) происходило и при температуре 1094 К, в течении 1 минуты большая часть поверхности Si (111) была покрыта областями (77). Когда температура вновь поднималась до 1100 К, наблюдался обратный переход [6].

Главным и широко используемым методом, основанном на температурном эффекте, является нагрев пластин в вакууме. Нагрев в низкотемпературном (Т 600 К) сверхвысоком вакууме (СВВ) образует структуру (21). Отжиг данной поверхности в вакууме при температурах выше 603° К генерирует структуру (55), которая при дальнейшем нагреве до 873 К становится структурой (77). Дальнейший нагрев до температуры 1123 К приводит поверхность к беспорядку. Этот процесс преобразования является довольно сложным и зависит от условий формирования поверхности, начальной морфологии поверхности и условий самого процесса нагрева [4].

В. А. Зиновьев в своей работе [7] описывает исследование влияния ионного облучения на поверхность кремния, приводящее к образованию реконструкции (77). В этих условиях поверхность Si (111) характеризуется переходом к метастабильной реконструкции, представляющей собой смесь сверхструктурных доменов преимущественно двух типов: (55) и (77). В присутствии ионного облучения структурное состояние поверхности существенно изменялось.

Эксперимент

В качестве экспериментальных образцов использовались пластины монокристаллического кремния КЭФ-4,5, ориентированные в кристаллографической плоскости (111). На пластинах методом термического окисления во влажном кислороде был выращен слой SiO2 толщиной 150 нм.

Облучение системы SiO2/Si производилось с помощью лазерного комплекса, на основе импульсного иттербиевого волоконного лазера ИЛИВыходная мощность лазера при облучении 10 Вт, частота следования импульсов 99 кГц. Диаметр лазерного пятна на поверхности составил 25 Сборник трудов научно-педагогической школы кафедры ПБКС 74 мкм. В процессе облучения лазерный луч перемещался по прямой линии со скоростью 8750 мм/с.

Контроль морфологии облученных образцов проводился на оптическом микроскопе ZeissA1M с ПЗС-матрицей. Полученные структуры также исследовались методами атомно-силовой микроскопии (АСМ). Для АСМ-измерений использовался сканирующий зондовый микроскоп Nanoedicator компании NT-MDT.

На рисунке приведена микрофотография участка линии сканирования. Как видно из фотографии, на поверхности образца в областях воздействия лазера наблюдается реконструкция поверхности системы SiO2/Si.

Внешне облученные области напоминают «цветок», отдельные области имеют различное количество т. н. «лепестков».

Рисунок. Микрофотография участков линии сканирования.

Структура нанорельефа представляет собой зауженные кверху колонны высотой 130 нм, расположенных вокруг центральной колонны высотой 260 нм. Между центральной колонной и остальными также располагаются ямки глубиной 130 нм.

–  –  –

Как следует из выше изложенного, основным эффектом, приводящим к реконструкции поверхности монокристалла под воздействием лазерного облучения в режиме высокоскоростного сканирования, является температурный эффект. Температурный эффект возникает в результате локального нагрева областей, подвергающихся воздействию лазерного излучения. В результате чего, происходит передача энергии от лазера поверхностным атомам, что вызывает перемещение атомов на поверхности, и, соответственно, приводит к возникновению структурной реконструкции типа (77).

Сборник трудов научно-педагогической школы кафедры ПБКС 75 Литература

1. Ф. Х. Мирзоев, В. Я. Панченко, Л. А. Шелепин, Лазерное управление процессами в твердом теле, Успехи физических наук – 1996 – 166-1 – 32 с.

2. В. А. Парфенов, Лазерная микрообработка материалов: Учеб. пособие.

СПб: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2011, 59 с.

3. M. Iton, The dynamical mechanism of (111) surface reconstruction: frustration and vortex structures, J. Phys.: Condens. Matter 4 - 1992 - 8447-8460 – p.15.

4. Charles B. Duke, Semiconductor Surface Reconstruction: The Structural Chemistry of Two-Dimensional Surface Compounds, Chem. Rev. – 1996 - 96, 12371259 – p.24.

5. John D. Joannopoulos, Dr. Arnaldo Dal Pino, Dr. Robert D. Meade, Semiconductor Surface Studies, RLE Progress Report Number 135 – 1992 – p.131C. Newman, Temperature Induced Si (111) Reconstruction as Represented by the DAS Model and Supporting Ab Initio Calculations of the Model, CEM 924 – 2001 – p.9.

7. В. А. Зиновьев, Процессы на поверхности кремния при низкоэнергетическом ионном воздействии в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии:

дис. … канд. техн. наук. Новосибирск, 2004 – c.174.

8. K. D. Brommer, Ab Initio Study of the Si(111)-(7x7) Surface Reconstruction:

A Challenge for Massively Parallel Computation, Ph.D. Deg. Req – 1993 – p.163.

9. A. Gorecka-Drazazga, Micro and nano structurization of semiconductor surfaces, bulletin of the polish academy of sciences technical sciences Vol. 53, No.

4 - 2005 – p.8.

–  –  –

Аннотация. В работе приведены результаты исследования влияния лазерного облучения на диффузионные резисторы микросхемы 590КН3. Показано, что после облучения микросхемы сопротивление данных резисторов увеличивается, что может быть связано с процессами образования нанокластеров в системе Si/SiO2.

Ключевые слова: микроструктурирование, лазер, облучение, нанокластер, кремний, микросхема, микроэлектроника, резистор, сопротивление

–  –  –

В настоящее время в связи с переориентацией электроники на наноразмерные объекты всё большее число периодических изданий обращается к теме структурирования поверхности подложек элементов микроэлектронной полупроводниковой техники. Целесообразно заострение внимания на микроструктурировании поверхности самого применяемого в электронной промышленности полупроводника – кремния, а, в частности, перспективного нанокомпозита на основе диоксида кремния с включением нанокластеров кремния (подробнее ознакомиться с нанокластерами кремния можно в статьях [1,2]). В данной работе предлагается эксперимент по лазерному микроструктурированию поверхности монокристаллического кремния, представляющего собой не чистую подложку с тонким слоем окисла, а кристалл микросхемы 590 серии с определённой топологией.

Главный интерес представляют диффузионные резисторы и изменение их электрофизических свойств – в данном случае сопротивления. На основании работ [3,4] можно предположить, что появление на их поверхности и в объёме окисла нанокластеров кремния вызовет изменение его проводящих свойств, а значит и сопротивления.

Условия эксперимента

В качестве исследуемых образцов выступают МОП-интегральные схемы 590 серии, представляющие из себя аналоговые ключи и коммутаторы средней степени интеграции. Главным объектом внимания становятся тестовые структуры резисторов, находящиеся непосредственно на саСборник трудов научно-педагогической школы кафедры ПБКС 77 мом кристалле любой микросхемы 590 серии: отдельные элементы микросхемы, выполненные в едином технологическом процессе с остальными, но не подключенными в общую схему, а располагающиеся на краю кристалла и имеющие собственные контактные площадки и предоставляющие огромные возможности для изучения всей ИМС.

Исходя из количества тестовых структур и удобства измерений, был выбран кристалл К620-3, являющийся восьмиканальным аналоговым коммутатором 590КН3 с дешифратором для коммутации напряжений от минус 15 В до 15 В. На его тестовых структурах содержится 6 резисторов на различных диффузионных областях и два транзистора с каналами обоих типов (n-канальный и p-канальный), поэтому такой кристалл будет наиболее информативен.

Лазерное облучение образцов было проведено с помощью волоконного лазера с оптической накачкой на атомах иттербия (Yb) путём сканирования многочисленными (100 импульсов на линию с частотой 5000 импульсов в секунду) импульсами. На выходе у данного лазера получается лазерный пучок инфракрасного коротковолнового диапазона диаметром мкм и равномерным распределением мощности. Частота волны была выбрана равной максимальной для данной установки – 99 кГц, мощность же была подобрана экспериментально с тем расчётом, чтобы схема получила максимальную дозу облучения, но при этом не произошло оплавление алюминиевых проводников и не началось разрушение поверхности ИМС.

Для этого был проведён первый грубый эксперимент (рисунок) на кристаллах из той же серии, что и тестовые образцы, из которого стало очевидно, что при мощности лазера P = 4 Вт и выше тестовые кристаллы претерпевают необратимые разрушения, поэтому для облучения рабочих структур была выбрана мощность лазера около 2 Вт.

В ходе исследования были облучены три ИМС, на каждой из которых находится 6 исследуемых диффузионных резисторов. До и после облучения проводились измерения сопротивлений тестовых резисторов двухзондовым методом. Результаты представлены в таблице.

Результаты и обсуждения

Как видно из таблицы, в 14 из 18 случаях лазерное облучение тестового резистора вызвало повышение его сопротивления. Этот эффект может быть вызван образованием нанокластеров кремния в приповерхностных слоях резистора. В технологическом процессе микросхем 590 серии используется операция ионной имплантации легирующей примеси, следовательно, толщина сечения резистора, полученного по такой технологии, достаточно тонкая для того, чтобы в ней существенно проявлялись эффекты обмена носителями заряда между телом резистора и дефектаминанокластерами в окисле [3], что может ухудшать проводящие свойства

–  –  –

С помощью лазерной обработки были получены микроструктуры на поверхности интегральной схемы. Была обнаружена особенность микроструктуры, заключающаяся в повышении сопротивления диффузионных резисторов в среднем на 8,7%. Существенное отклонение от этой величины в ряде случаях, возможно, вызвано погрешностью использованной методики измерения, поэтому данные значения требуют дополнительных проверок, а подобные структуры дополнительных исследований, так как они способны эффективно и достаточно просто детектировать и изучать нанокластеры в системе Si/SiO2.

–  –  –

1. Скворцов А. М., Фам Куанг Тунг Структура нанокластеров кремния в системе кремний-диоксид кремния// Изв. вузов. Приборостроение. 2009. Т.

52, № 3. C. 69-73

2. Скворцов А. М., Плотников В. В., Соколов В. И. Формирование нанокластеров кремния в структуре кремний/диоксид кремния// Изв. вузов.

Приборостроение. 2005. Т. 48, № 3. С. 62-67.

3. Халецкий Р. А., Фам Куанг Тунг Влияние излучения YLP–лазера на вольт-фарадные характеристики системы кремний–двуокись кремния// Научно-технический вестник СПбГУ ИТМО. 2009. Т. 64, № 6. С 44-47.

4. Стройков И. И. Исследование нанокомпозитных структур на основе кремния и фосфатного стекла на кремниевых подложках// Научнотехнический вестник СПбГУ ИТМО. 2008. № 6. С. 55-62.

5. Дышловенко С. С., Стройков И. И., Фам Куанг Тунг Влияние лазерного микроструктурирования поверхности кремния на электрофизические свойства полученных структур // Научно-технический вестник СПбГУ ИТМО. № 6. 2006. С. 73-79.

–  –  –

Сборник трудов научно-педагогической школы кафедры ПБКС 81 УДК 004.932.72'1

РАСПОЗНАВАНИЕ ОБЛАСТИ НА ИЗОБРАЖЕНИИ ПО

ЗАДАННЫМ ГЕОМЕТРИЧЕСКИМ ПАРАМЕТРАМ

Н.С. Ампилогов, Т.С. Лихачева, Д.В. Шишлянников, Т.В. Щербакова Аннотация. Описывается принцип работы программы, распознающей область номера на изображении. Представлены основные этапы обработки изображения, позволяющие производить поиск интересующей области.

Статья будет полезна студентам, работающим с пакетом приложений MatLab, и разработчикам программного обеспечения.

Ключевые слова: Контрастирование, фильтрация, бинаризация, сегментация, MatLab.

–  –  –

Распознавание объектов на графических изображениях актуально ввиду того, что она может быть использована во многих сферах практической и научной деятельности, будь то определение номера транспортного средства, или нахождение других объектов, таких как, названия улиц. Задачей программы, описанной в данной статье, является поиск прямоугольной области автомобильного номера.

Разработка программы

Программа распознавания автомобильного номера была написана в среде разработки MatLab, включающей в себя пакет Image Processing Toolbox, предоставляющий широкий спектр средств, для цифровой обработки и анализа изображений. Данный пакет позволяет решать задачи, не выполняя длительных операций кодирования и отладки алгоритмов. Полученная программа загружает полноцветное изображение в пространство MatLab, после чего переводит его цветовую гамму «оттенки серого», контрастирует, убирает мелкий шум, ищет линии, бинаризует, замыкает области рамки, инвертирует изображение, окрашивает замкнутые сегменты, выводит на экран промежуточные результаты обработки для возможности визуального контроля. Далее программа ищет замкнутые области с заданными геометрическими соотношениями размеров среди полученных сегментов, выравнивает их и выводит на экран.

Обработка изображения

Сборник трудов научно-педагогической школы кафедры ПБКС 82 При решении большинства задач, включающих в себя работу с изображениями, необходимо провести предварительную обработку исходных изображений. Этот этап особенно важен при решении задач распознавания. От качества решения этапа предварительной обработки во многом будет зависеть эффективность решения задачи распознавания в целом. [1] К наиболее распространенным дефектам, которые могут присутствовать на исходных изображениях, относятся шум и низкий уровень контрастности.

Существуют разные подходы к фильтрации изображений. Для установления наиболее оптимальной обработки изображений проводилась сравнительная оценка нескольких фильтров, а именно рангового, медианного фильтров, а также адаптивной винеровской фильтрации. Оценка проводилась по вероятности удачного распознавания области номера на изображении [2].

Наименее эффективной оказалась адаптивная винеровская фильтрация. При ее использовании положительный итоговый результат составил 56%.

Лучше себя показал ранговый фильтр. Его результат составил 87,5%, но с обнаружением посторонних областей в 75% случае.

Наиболее качественную обработку изображений делает медианный фильтр. На исследуемых образцах изображений он распознаёт область номера в 92% случаев с обнаружением посторонних областей в 50% случаях.

Бинаризация и сегментация

Бинаризация – разбиение изображения на две области, одна из которых содержит все пиксели со значением ниже некоторого порога, а другая содержит все пиксели со значением выше этого порога. Такая обработка в дальнейшем служит для построения сегментации.

Сегментация изображений — это процесс присвоения таких меток каждому пикселю изображения, что пиксели с одинаковыми метками имеют общие визуальные характеристики. Результатом сегментации изображения является множество сегментов, которые вместе покрывают всё изображение, или множество контуров, выделенных из изображения. Все пиксели в сегменте похожи по некоторой характеристике или вычислительному свойству. В программе используется свойство связности, то есть множество пикселей, у каждого пикселя которого есть хотя бы один сосед, принадлежащий данному множеству. В данном случае применяется 8 пиксельный тип связности, то есть тип, при котором соседями для пикселя считаются все к нему прилежащие, в том числе и по диагонали [3].

Сборник трудов научно-педагогической школы кафедры ПБКС 83 Поиск областей интереса После сегментации изображения, все образованные сегменты помещаются в массив, который обрабатывается на предмет поиска замкнутой области.

Производятся вычисления заданных характеристик областей, на которые размечено изображение. В данном случае используются поля «Площадь», «Изображение», «Ориентация», «Рамка», «Полная площадь (включая содержимое)». Критерий, по которому производится поиск номера, это некоторая эвристика, рассчитанная исходя из геометрических размеров номера.

Листинг программы в MatLab

RGB=imread('img_8192_1.jpg');% Чтение исходного изображения и вывод его на экран I = rgb2gray(RGB);

I=imadjust(I, [0 80]/255, [ ], 1);% Контрастирование исходного изображения I = medfilt2(I,[7 7]);% Убираем мелкий шум filt = fspecial('log',[7 7], 0.8);% поиск линий I = imfilter(I,filt);

BW=roicolor(I,0,1);

BW = imopen(BW,strel('disk',2));% Замыкание области рамки BW = (bwlabel(BW,8));

BW=imclearborder(BW);

BWred=BW;

RGB2=label2rgb(BW);% Раскраска сегментов % Поиск областей интереса (номера) BWdata = regionprops(BW,'Area','Image','Orientation','BoundingBox','Con vexArea');

subplot(2,2,1), subimage(RGB);

subplot(2,2,2), subimage(BWred);

subplot(2,2,3), subimage(RGB2);

k = 1;

for i=1:length(BWdata) ratio = BWdata(i).BoundingBox(3)/BWdata(i).BoundingBox(4);

if BWdata(i).ConvexArea 10000 && ratio 7 && ratio 2 bound = floor(BWdata(i).BoundingBox);

numbers(k) = BWdata(i);

numbers(k). Image = imcrop(BW,bound);

k = k +1;

end end k=k-1;

count = k;

Сборник трудов научно-педагогической школы кафедры ПБКС k = 1;

figure;

for i=1:count BW = imrotate(numbers(i).Image, numbers(i).Orientation,'bicubic','crop');

subplot(count,count,i), subimage(BW);

end Заключение В данной программе можно отметить следующие достоинства: простота реализации кода при достаточно высокой эффективности решения поставленной задачи. Предварительное улучшение параметров изображения, такое как изменение контрастности и фильтрация, позволяет выделить чистую область изображения, произвести выравнивание найденной области.

К недостаткам можно отнести: отсутствие собственного интерфейса, не высокую устойчивость в распознавании объектов с значительными геометрическими искажениями, в некоторых случаях определение ложных объектов при распознавании образов автомобильных номеров.

При разработке данной программы группа авторов изучила некоторые методы цифровой обработки сигналов и возможности программной среды MatLab.

Литература

1. Журавель И.М. «Краткий курс теории обработки изображений». Консультационный центр MATLAB компании Softline. [Электронный ресурс].

Режим доступа: http://matlab.exponenta.ru/imageprocess/index.php, свободный.

2. Грузман И.С., Киричук В.С., Косых В.П., Перетягин Г.И., Спектор А.А.

Цифровая обработка изображений в информационных системах: Учебное пособие. - Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2002. - 352 c.

3. Linda G. Shapiro and George C. Stockman (2001): «Computer Vision», pp 279—325, New Jersey, Prentice-Hall, ISBN 0-13-030796-3

–  –  –

Сборник трудов научно-педагогической школы кафедры ПБКС 85 УДК 65.011.56

ОБЗОР МЕХАНИЗМОВ УПРАВЛЕНИЯ ВНЕСЕНИЕМ

ИЗМЕНЕНИЙ В PDM/PLM СИСТЕМАХ

–  –  –

Аннотация. Представлены основные требования к процессу внесения изменений, проанализирована реализация процесса внесения изменений в отечественных PDM/PLM системах.

Ключевые слова: внесение изменений, PDM, PLM, извещение об изменении <

–  –  –

Особенностью PDM систем четвертого поколения является наличие в них набора средств для управления вносимыми изменениями в состав и в спецификации изделия с учетом их влияния на весь жизненный цикл этого изделия. Автоматизация управления изменениями — это мощное средство повышения эффективности производственного процесса создания новой техники, а также рационализации работы в условиях отслеживания запросов заказчиков и учета изменяющихся потребностей рынка. Наиболее полная автоматизация процесса внесения изменений достигается благодаря интеграции средств управления изменениями с функциями управления потоком заданий [1]. Это означает, что каждый этап процесса внесения изменений может быть представлен как определенное задание потока работ и автоматически передан пользователю или системе, которые отвечают за выполнение этого задания. После завершения выполнения задания система управления потоком заданий продолжит процесс внесения изменений до тех пор, пока не будут завершены все его этапы и документация по изделию не получит статус выпущенной.

Требования к процессу управления внесением изменений

В системах PDM четвертого поколения отслеживается, как применяется конкретная деталь в каждой из модификаций того или иного изделия.

В процессе утверждения и внесения изменений в проект предприятие должно учитывать, когда и для каких партий эти изменения уже действуют, а для каких — нет, когда и в каких количествах необходимо производить или покупать новые детали. Как правило, должно быть реализовано три типа такой функциональности [2]:

отслеживание по календарным срокам;

по идентификационному номеру изделия;

Сборник трудов научно-педагогической школы кафедры ПБКС 86 по номеру партии или заказа.

Кроме того, может быть задано отслеживание эффективности внесенных изменений для нескольких разных изделий, в которых используется данная деталь.

Средства управления изменениями должны контролировать всю информацию о внесении изменения от момента постановки задачи до полного ее разрешения. Процесс внесения изменения можно разделить на следующие этапы [2]:

запрос на изменение;

изучение причин, повлекших за собой необходимость изменения;

предложения альтернативных вариантов;

реализация изменения путем формулировки заявки на изменение;

выполнение действий по внесению изменения.

Решения каждого этапа должны протоколироваться для возможного «отката» и проверки принятых решений.



Pages:     | 1 | 2 || 4 | 5 |   ...   | 6 |
 

Похожие работы:

«Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.» Кафедра «Природная и техносферная безопасность» РАБОЧАЯ ПРОГРАММА по дисциплине Б.1.1.22 «Безопасность жизнедеятельности» направления подготовки 01.03.02 «Прикладная математика и информатика» Профиль «Математическое моделирование и вычислительная математика» форма обучения – очная курс – 1 семестр – 1 зачетных единиц – 3 часов в неделю –...»

«Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.» Кафедра «Природная и техносферная безопасность» РАБОЧАЯ ПРОГРАММА по дисциплине Б.3.3.6.2 «Производственная безопасность» направления подготовки (20.03.01) 280700.62 «Техносферная безопасность» Профиль «Безопасность жизнедеятельности в техносфере» форма обучения – заочная курс – 4 семестр – 8 зачетных единиц – 3 всего часов – 108 в том...»

«ЛИСТ СОГЛАСОВАНИЯ от 20.06.2015 Рег. номер: 2305-1 (09.06.2015) Дисциплина: Электронно-цифровая подпись в системах защищенного документооборота Учебный план: 10.03.01 Информационная безопасность/4 года ОДО Вид УМК: Электронное издание Инициатор: Бажин Константин Алексеевич Автор: Бажин Константин Алексеевич Кафедра: Кафедра информационной безопасности УМК: Институт математики и компьютерных наук Дата заседания 30.03.2015 УМК: Протокол №6 заседания УМК: Дата Дата Результат Согласующие ФИО...»

«Тюменская область Ханты-Мансийский автономный округЮгра город окружного значения Нижневартовск Муниципальное бюджетное образовательное учреждение «Средняя общеобразовательная школа № 17» ОБРАЗОВАТЕЛЬНАЯ ПРОГРАММА деятельности отряда юных инспекторов движения «Безопасная дорога детства» Направление развития личности: гражданско-правовое Срок реализации – 3 года Целевая группа: обучающиеся 10-13 лет Автор: Калинина Е.В. г. Нижневартовск, 2013 Информационная карта программы Наименование...»

«Межрегиональный открытый социальный институт Аннотации рабочих программ направления 10.03.01 (090900.62) Информационная безопасность Йошкар-Ола Содержание Б1. Б.1 «Философия» Б1.Б.2 «История» Б1.Б.3 «Иностранный язык» Б1.Б.3 «Экономика» Б1.Б.5 «Правоведение» Б1.Б.6 «Основы управленческой деятельности» Б1.В.ОД.1 «Социология» Б1.В.ОД.2 «Иностранный язык в сфере информационных технологий» Б1.В.ОД.3 «Психология» Б1.В.ДВ.1.1 «Теория и практика переговорного процесса» Б1.В.ДВ.1.2 «Культура речи и...»

«Приложение 17 к ООП СОО 2014 – 2016 Утверждено Приказом директора МАОУ «Академический лицей» № 79-о от 31.08.2015 Рабочая программа среднего общего образования по учебному предмету «Основы безопасности жизнедеятельности» 10 класс Срок реализации 1 год Разработчик: учитель ОБЖ Анпилогов С.А. г. Магнитогорск, 2015 год Пояснительная записка В современном мире опасные и чрезвычайные ситуации природного, техногенного и социального характера стали объективной реальностью в процессе жизнедеятельности...»

«Рабочая программа по основам безопасности жизнедеятельности 5 – 9 класс преподавателя – организатора ОБЖ учителя I категории Шумова Михаила Юрьевича на 2015 – 2016 учебный год Рабочая программа по ОБЖ составлена на основании программы: А.Т.Смирнов, Б.О.Хренников. «Основы безопасности жизнедеятельности.» М.: Просвещение, 2011 г.1. Пояснительная записка Статус документа Рабочая программа составлена на основании программы: А.Т.Смирнов, Б.О.Хренников. «Основы безопасности жизнедеятельности.» М.:...»

«Выпуск 1 Омельченко Святослав Дмитриевич Офицер с высшим военно-специальным образованием. Военную службу проходил на разных должностях в Группе специального назначения КГБ СССР «Вымпел». Участник боевых действий. В настоящее время возглавляет Военно-патриотический Центр «Вымпел». Автор межрегиональных комплексных программ патриотического воспитания молодежи «Честь имею!», «Антитеррор: голос юных, выбор молодых». Член Правления Межрегиональной ветеранской организации Группы специального...»

«РОСЖЕЛДОР Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Ростовский государственный университет путей сообщения (ФГБОУ ВПО РГУПС) РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ Б1.В.ДВ.1 ЕДИНАЯ ТРАНСПОРТНАЯ СИСТЕМА ПО ПРОГРАММАМ ПОДГОТОВКИ НАУЧНО-ПЕДАГОГИЧЕСКИХ КАДРОВ В АСПИРАНТУРЕ НАПРАВЛЕНИЕ ПОДГОТОВКИ: 20.06.01 «Техносферная безопасность» Ростов-на-Дону 2014 г. СТРУКТУРА И СОДЕРЖАНИЕ РАБОЧЕЙ ПРОГРАММЫ Раздел 1. Общие положения 1.1 Цели и задачи...»

«общества и окружающей среды Работа по защите людей, Обзор ядерной безопасности 2014 Программа по ядерной безопасности и физической ядерной безопасности ^ GC(58)/INF/3 Обзор ядерной безопасности – 2014 GC(58)/INF/3 Обзор ядерной безопасности – 2014 IAEA/NSR/2014 Издано МАГАТЭ в Австрии Июль 2014 года Предисловие В «Обзоре ядерной безопасности – 2014» содержится аналитический обзор наиболее важных тенденций, вопросов и проблем во всем мире в 2013 году и усилий МАГАТЭ по укреплению глобальной...»

«управление экологическими рисками Опыт российских и международных компаний УДК 502/504:005 ББК 65.2821+20. Э40 Э40 Управление экологическими рисками : Опыт российских и международных компаний. — Москва : Международный форум лидеров бизнеса (IBLF), 2010. — 36 с. ISBN 9785903135158 Данная публикация содержит краткий обзор состояния и мер по усилению экологической безопасности в Российской Федера ции и примеры лучшего опыта компаний в области охраны окружающей среды. Опыт успешных программ и...»

«Содержание публичного отчета: 1. Общая характеристика общеобразовательного учреждения.2.Состав обучающихся.3.Структура управления общеобразовательного учреждения, его органов самоуправления.4. Условия осуществления образовательного процесса, в т.ч. материально техническая база.5. Учебный план общеобразовательного учреждения, режим обучения.6. Кадровое обеспечение образовательного процесса. Финансовое обеспечение функционирования и развитии 7. общеобразовательного учреждения. 8. Результаты...»

«Рабочая программа по предмету «Основы безопасности жизнедеятельности» 10-11 классы (Федеральный государственный образовательный компонент среднего общего образования) (редакция 04.03. 2015 г.) Составитель учитель ОБЖ: Д.А.Бирюков МБОУ Лицей «Эврика» 2015 г. Структура рабочей программы 1. Пояснительная записка, в которой конкретизируются общие цели среднего общего образования с учетом специфики учебного предмета.2. Общая характеристика учебного предмета. 3. Описание места учебного предмета в...»

«Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Дальневосточный государственный университет путей сообщения» ЪЕРЖ ДАЮ ректф, професоор. 2 6 Z г. МП ОСНОВНАЯ ПРОФЕССИОНАЛЬНАЯ ОБРАЗОВАТЕЛЬНАЯ ПРОГРАММА по программе специалитета по направлению подготовки 23.05.04. «Эксплуатация железных ДОРОГ» код и наименование напраолеиия (специальности) подготовки специализации: Магистральный транспорт, Грузовая и коммерческая работа. Пассажирский...»

«06nacTHoe rocy.n.apcTBemwe 6Io.z:pIeTHoe 06pa30BaTeJibHoe yt.Jpe)l(,[(eH11e cpe.n:Hero npocpeccHOHaJihHoro o6pa3oBaHH51 TeXHOJIOrMt.JeCKl1M TeXHl1KYM p.rr.11aBJIOBKa YTBEP)K)J;AlD 3a~.,l1,11peKppa no yqe6Hol1: pa6oTe trk,. c c. M.;(oneCHHKOBa « /Jt » ~I 2015 r. PA1QqA51 IlPOrP AMMA y qElHOH,LJ:HCD;HTIJIHHhl OTI.11 Me.n:HK0-611onon1Y.ec1me ocHOBhT 6e3orracHocTH )l(l13He,[(e51TeJibHOCTl1 HG3(JQftue y•1 e61101~ dUCljUl1JIU/lb/ p.rr.flaBJIOBKa 2015 r. Рабочая программа учебной дисциплины...»

«Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.» Кафедра «Природная и техносферная безопасность» РАБОЧАЯ ПРОГРАММА по дисциплине «Б.1.1.11 Безопасность жизнедеятельности» « (12.03.04) 201000.62 Биотехнические системы и технологии» Профиль 1 – «Биотехнические аппараты и системы» форма обучения – очная курс – 3 семестр – 6 зачетных единиц – 3 часов в неделю – 2 академических часов – 108 в...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ГОСУДАРСТВЕННОУ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «СЕВЕРО-КАВКАЗСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ ГУМАНИТАРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ АКАДЕМИЯ» ОСНОВНАЯ ОБРАЗОВАТЕЛЬНАЯ ПРОГРАММА ВЫСШЕГО ПОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ Направление подготовки: 190700.62 Технология транспортных процессов Профиль подготовки / специализация: «Организация и безопасность движения» Квалификация (степень) выпускника: бакалавр Нормативный срок обучения: 4 года...»

«Ежедневные новости ООН • Для обновления сводки новостей, посетите Центр новостей ООН www.un.org/russian/news Ежедневные новости 18 СЕНТЯБРЯ 2013 ГОДА, СРЕДА Заголовки дня, среда Сегодня в штаб-квартире ООН в Нью-Йорке Совет Безопасности ООН продлил на год мандат вновь зазвучал Колокол мира Миссии ООН в Либерии Четыре африканские страны согласовали план В Париже пройдет Конференция государствэффективного использования трансграничного участников Международной конвенции о борьбе водоносного...»

«Подготовка специалистов в области информационной безопасности Московский институт электронной техники (МИЭТ) был образован в Зеленограде в 1965 году во исполнение Постановления Совета Министров СССР от 26 ноября 1965 №1006. Подготовку специалистов в области информационной безопасности МИЭТ осуществляет с 1 сентября 2001 года (лицензия № 24Г-1453 от 06 июня 2001 г.) Кафедра «Информационная безопасность» Выпускающая кафедра факультета МПиТК Кафедра информационной безопасности (ИБ) создана...»

«Муниципальное бюджетное общеобразовательное учреждение средняя общеобразовательная школа № 1 п. Загорянский Щелковского муниципального района Московской области УТВЕРЖДЕНО Приказом директора от 29.08.2014 № 178-у РАБОЧАЯ ПРОГРАММА По основам безопасности жизнедеятельности (учебный предмет) 9 класс (классы) базовый (уровень программы) Составитель: Смотрова Мария Геннадьевна, учитель ОБЖ Щелково 1. Пояснительная записка Рабочая программа базового уровня по курсу ОБЖ для обучающихся 9 класса...»







 
2016 www.programma.x-pdf.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Учебные, рабочие программы»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.